纳米三苯环分子带不对称电子传导特性

利用基于Green Function的Tight-binding方法,对由三个苯分子环耦合成的输入与输出电极不对称纳米分子带进行了理论研究.通过数值计算,得出了入射电子通过分子带传输到不对称端点的电子传输谱.利用Fisher-Lee 关系式和量子流密度理论,在传输峰值的六个能量点E=±0.45eV、E=±1.06eV和E=±1.46eV处,分别计算了分子带内的电子流分布,并且给出了分子带内电子流分布的模拟结果.对电子通过分子带的传输特性和键电子流生成的物理原因给出了合理的解释.     

C60分子的电子传导和量子流分布研究

利用基于Green's function的tight-binding方法,对由两条原子线电极连接C60分子远端构成的电子传导系统进行了理论计算和数值模拟,得出了入射电子通过C60分子传输到远端点的电子传输谱.其结果揭示了电子传导过程中C60分子的开关特性,并且得出了电子传输能量与分子轨道共振时传输概率峰值的出现及振荡特征.利用Fisher-Lee关系式和量子流密度理论,在传输概率峰值的能量点E=-1.38eV处获得了C60分子内的量子流分布,给出了键量子流的最大值和最小值.对全部分子键上的量子流数值进行了图形模拟,其结果符合量子流动量守恒定律.     

三端纳米分子桥的电子传输特性研究

利用基于Green Function的Tight-binding方法,对由平面共轭分子连结成的三端子纳米分子桥进行了理论研究和数值模拟,得出了入射电子通过纳米分子桥传输到各个端点的电子传输概率,揭示出传导电子与分子轨道共振时传输峰值的出现和电子传输振荡的物理机制。利用Fisher-Lee关系式和电子流密度理论,在传输概率出现峰值的两个能量点E=±1.89处计算了分子桥内的电子流分布,同时得出了键电子流的最大值,并且得出了数值模拟结果。     

电极材料对碘化汞(α-HgI2)晶体Ⅰ-Ⅴ特性的影响

利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.     

基于有限元方法研究AT切石英晶体谐振器的动态特性

基于有限元方法研究石英晶体谐振器的谐响应振动特性.通过改变AT切石英晶片尺寸,分析不同尺寸情况下石英晶体各轴向的振动位移分布情况,可了解AT切石英晶体谐振器的厚度剪切振荡模态和寄生振动模态分布情况.仿真结果与实际测试结果对比,证明了采用这种仿真方法有助于石英晶体谐振器的设计.     

电极耦接变化对分子器件电子输运特性影响的研究

利用基于Green函数的 Tight-binding 理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究.通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化对电子输运的影响.结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随着分子与电极的耦合点的变化而改变.当耦接点改变时,不仅电子通过phenalenyl分子的概率变化,而且无源正负能量开关器件的特征也发生变化.所得结果还揭示出在应用phenalenyl分子器件时,只需改变电极耦接,就可以获得具有不同电子学特性的分子器件.     

基于单体石墨纤维的场发射特性研究

利用化学气相沉积(CVD)法,以甲烷为碳源在管式炉中合成了单体石墨纤维(MGF).选取长度为3.426 mm,顶端球面半径为11.26μm的单体石墨纤维直立于圆铜片上作为阴极,以导电ITO玻璃作为阳极,采用二极管结构在真空室中进行直流场发射测试,证实MGF的开启场强为0.4775 V/μm.基于有限元仿真软件ANSYS...     

Cs+:RbTiOPO4晶体的铁电相变和电导特性

在二元体系RbTiOPO4-CsTiPO5中通过助熔剂法生长出不同Cs+掺杂浓度的Cs+:RbTiOPO4晶体,X射线粉末衍射确定所获晶体的物相为斜方晶系Pna21型,研究了晶体的铁电相变及离子电导等物理性质,发现该类晶体具有典型的铁电体二次相变特征.     

超分子化合物(C_(12)H_(10)N_4)(C_7H_6O_3)_2的合成、晶体结构及荧光性质

合成了超分子化合物(C_(12)H_(10)N_4)(C_7H_6O_3)_2,并进行了元素分析、红外光谱、紫外光谱表征和单晶X射线衍射分析.构筑单元之间通过多重氢键和π-π堆积作用的协同效应形成超分子化合物,并研究了化合物的固体荧光性能.研究表明:该晶体属于单斜晶系P2_1/c空间群,晶胞参数为:a=0.3974(1) nm,b=2.0330(2) nm,c=1.4343(1) nm, β=94.892(2)°,V=1.15440(19) nm~3,d_c=1.400 g/cm~3,Z = 2,μ= 0.102 mm~(-1),F_((000))=508,R_1=0.0359,wR_2=0.0893 [I>2σ(I)].     

电极材料对碘化汞（α-HgI2）晶体I-V特性的影响

利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au／HgI2、AuCl3（Au）／HgI2、C（石墨）／HgI2接触的I-V特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α—HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1．0291和0．9380,接触电阻分别为3．0×10^8Ω和1．0×10^8Ω;而溅射Au与HgI2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0．8341,接触电阻为3．5×10^9Ω。这说明AuCl3在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触。C（石墨）化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C（石墨）／HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性。而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au／HgI2接触的欧姆特性变差。     

钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟

应用嵌入分子团簇的相对论密度泛函理论和离散变分(DVM)计算程序,对Na、Bi两种不同占位状态钨酸铋钠晶体的电子结构进行了理论计算.经计算,(Bi4Na4W5O20)6+团簇的禁带宽度为4.1eV,与实际晶体的禁带宽度相符;导带底主要是W5d轨道与Bi6p1/2轨道,而价带顶则主要由O2p轨道组成;Bi轨道能级受Na、Bi离子占位因素影响较大.     

Crystal structure of 6-nitrobenzo(a)pyrene

In 6-nitrobenzo(a)pyrene, an environmental pollutant, the nitro substituent lies at 69.5(1) to the mean plane of the aromatic moiety. The C–C bond distances range from 1.341(3) to 1.443(3) Å. The crystal is in the monoclinic space group, P2₁/c, with a = 8.3239(3) Å, b = 8.9530(3) Å, c = 18.0678(5) Å, = 99.264(2) and Z = 4. Molecules are assembled in sheets in the unit cell through stacking and alternating C–H O interactions.     

CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.     

有机分光晶体季戊四醇的生长研究

本文采用多次重结晶的方法提纯季戊四醇(PET)原料,用高效液相色谱进行分析研究.通过目测法和吊籽晶法,测定了PET生长的亚稳区宽度.研究了溶液的pH值、过热时间和过热温度等因素对溶液亚稳区和诱导期的影响.采用紫外-可见光谱、红外光谱研究了长时间高温下溶液被氧化的特性.用溶液降温法在2L的生长槽中生长出30 nm×30 mm× 30 mm的PET单晶体.     

配合物晶体MnHg(SCN)4的晶形分析

配合物晶体MnHg(SCN)4中维系晶体结构的化学键是-Mn-NCS-配位键.从MnHg(SCN)4晶体中配位键的分布特点出发,对属于点群4的单形四方四面体、四方柱和平行双面进行分析,确定晶形中不能出现平行双面{001}、四方柱{110},可以出现的单形为四方四面体{101}和{011}及四方柱{100},而且四方四面体{101}和{011}单形最发育.由结构分析得出的晶形特点与实际晶体晶形特点相符.     

Crystal structure of (diphenyl)(morpholino)phosphiniminocyclotrithiazene

The title compound (C₆H₅)₂(OC₄H₈N)P=N–S₃N₃ crystallizes in the space group with unit cell parametersa=9.3900(2),b=9.4747(1),c=11.3850(3) Å, =95.73(4), =96.85(6), =104.26(2)^o, and Z=2. The tricoordinated sulfur of the cyclotrithiazene ring deviates from the mean plane of other skeletal atoms by 0.683(4) Å. The angle at this atom is the smallest in the ring and is enclosed by the longest S–N bonds observed in the ring.     

The Electronic Structures of (PH4)3C60 and (ClO4)3C60

Abstract

We have studied theoretically the electronic structures of a hypothetical donor-type material, (PH₄)₃C₆₀, and a hypothetical acceptor-type material, (ClO₄)₃C₆₀ from first principles by using a full-potential linear-combination-of-atomic-orbitals method based on the density-functional theory within the local-density approximation. It is found that the charge transfer from the PH₄ molecules to the C₆₀ molecules is perfect while the charge transfer from the ClO₄ molecules to the C₆₀ molecules is not perfect. We compare the latter result with the electronic structures of two typical acceptor-type organic conductors, (TMTSF)₂ClO₄ and (TMTSF)₂PF₆, and discuss the differences.     

CdWO4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究

本工作生长出了φ57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺.对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发.同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致.此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的.     

Crystal and molecular structure of trans-bis(dodecylamine) bis(dimethylglyoximato)cobalt(III) nitrite

An octahedral geometry for the molecule of the title complex with very slight distortions around Co(III) is confirmed by single-crystal X-ray diffraction study. The molecular structure of the complex has been shown to contain two dodecylamine moieties in the trans orientations, two N-bonded dimethylglyoximato (DMG) groups and an uncoordinated nitrite ion.