增益带宽可调放大器

本论文介绍一款高指标的增益带宽可调放大器的设计与制作。设计采用多重措施来降低噪声,提高效率,并且采用负反馈思想抑制零点漂移。实测表明,设计出的增益带宽可调放大器各项指标能很好地达到设计要求,具有一定的实用性,为工业生产和电子竞赛提供可靠参考。     

微波反馈放大器的匹配和增益带宽的探讨

本文介绍了小信号微波反馈放大器的分析与综合。放大器采用通常的增益级框图表示和并联反馈。文中提供了全部网络元件的估算值和闭环宽频带增益、带宽和双端口的匹配值。用图解法对匹配值与增益进行了权衡。最后用实例描述了综合方法。     

配有数字式增益和带宽控制的低噪声交流放大器

在低噪声模拟电路中,高增益放大器在输入端用来提高信噪比(SNR).输入信号电平决定输入级增益;低电平信号需要最高的增益.使电路的带宽尽可能窄,只让有用的输入信号频谱通过,这也是低噪声模拟信号处理中的标准做法.     

光纤参量放大器增益带宽拓宽技术

光纤参量放大器在当今高速WDM光纤通信系统中有广泛的应用前景，宽带宽是其主要特性之一，本文在分析诸如光纤的色散平坦斜率、零色散波长及双折射因素对光纤参量放大器增益带宽的影响的基础上，论述了拓宽增益带宽的几种方法和设计技术。     

增益带宽为290MHz的仪器放大器

如图1所示,一个双匹配运算放大器IC_1与差频放大器IC_2组成一个高频仪器放大器。表1列出了该放大器在±5V电压下运行的性能。利用这个电路可获得不同的增益,而且使该电路运行的电源电压可在±4到±16.5V的范围内变化。     

低功耗恒定带宽可编程增益放大器的设计

随着无线智能终端功能的不断丰富,可穿戴设备、无线传感器网络、无线手持终端等得到了快速发展,如何降低射频收发机的功耗成为了越来越突出的问题。作为射频收发机重要模块的可变增益放大器,其电路设计的好坏往往直接决定了射频接收机的总体性能,在此研究并设计一种低功耗恒定带宽可编程增益放大器,该可编程增益放大器主要由2个Gm跨导单元、压控电流衰减器以及电阻阵列构成。采用两个高线性度Gm跨导单元有效减小芯片面积和功耗,并且增益变化不会导致带宽变化。在TSMC 130 nm CMOS工艺下进行了后仿真验证,实验结果显示该可编程增益放大器在1.2 V电源电压下以400μA的电流消耗实现了增益调节范围0~40 d B,增益连续调节,线性度OIP3为18.84 d B,性能良好。     

一种提高放大器增益和带宽的设计技术分析

运算放大器是信号处理中的基础模块,是高性能混合信号数据转换器、片上系统(SoC)等的重要组成部分。低功耗和高性能的基础电路模块成为系统发展的瓶颈,因此对增益和带宽增强型运算放大器的研究成为业界关注的焦点。为了研究运算放大器增益和带宽优化设计技术,实现低功耗高性能的解决方案,对电流重用技术的产生背景和技术演进作了较为详细的分析,体现了在技术进步过程中对结构的优化和改进,对高性能系统集成设计具有重要的参考意义。     

微波反馈放大器匹配及增益带宽的研究

本文介绍的是小信号微波反馈放大器的分析与综合。放大器是采用通常的增益级的框图,并取并联反馈。文中提供全部网络元件值的估算和预测闭环宽频带增益、带宽和双端口的匹配值。简述匹配值与增益用图解法的权衡。最后描述了综合方法并举例说明设计实例。     

用双组视频放大器来制成高增益带宽的运算放大器

将双组视频放大器内部的放大单元串联并加入适当的相位补偿元件的方法,你可制成一个具有高增益,宽频带和良好直流精度特性的组合放大器。在图1所示例子中,运算放大器驱动一个150Ω的负载并提供一个40dB的闭环增益。你可以把两个20dB放大器串联起来,得到40dB的增益,但这种连接方法将引起严重的输出失真。(视频放大器通常工作在低增益,并驱动75Ω或150Ω的负载)。     

GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.     

一种高增益、大带宽跨阻放大器的设计

作为激光近炸引信中探测与目标识别核心元件的光电探测器,其性能取决于光电二极管和相应的放大电路。针对引信、制导应用对光电探测器的要求,提出一种新型高增益、大带宽跨阻放大器设计。该跨阻放大器由两级放大电路构成,第一级由两个对称的RGC（Regulated Cascode）结构组成,消除光电二极管漏电流对直流工作点影响,隔离光电二极管寄生电容提升工作带宽;第二级放大电路由三个级联的电流复用反相放大器构成,是跨阻放大器的主要增益级;最后以射级跟随器输出,为后续系统提供足够的电压摆幅。 该电路基于SMIC 0.35μm 标准CMOS工艺设计,仿真结果表明：跨阻增益为110.2dBΩ,带宽为46.7MHz,40MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至1.09pA/ ,带宽内等效输出噪声电压为5.37mV。测试结果表明,跨阻放大器增益约为109.3 dBΩ,输出电压信号上升时间约为7.8ns,等效输出噪声电压大小为6.03mV,功耗约为10mW,对应芯片面积为1560×810μm2。 关键字：跨阻放大器、高增益、大带宽、RGC、反相放大器     

GaAlAs／GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系

本文用DLTS和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的GaAlAs/GaAs有源层掺Si器件的深能级，用红外显微镜测量了近场EL图像，研究了深能级及暗结构缺陷的器件的影响及它们间的关系。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

半导体激光的倍频

用碘酸锂(α-LiIO_3)晶体对GaAlAs DH激光二极管的脉冲输出进行了倍频。对于0.83μm的基波激光,第一类相位匹配角为40°。二次谐波的平均功率和基波平均功率成近似的平方关系。     

一种用于流水线ADC的高增益高带宽放大器

介绍了一种适用于高速高精度流水线模数转换器(ADC)的放大器.该放大器使用了增益提升技术,具有高增益、高单位增益带宽的特点,能满足高速高精度ADC对放大器的性能要求.该放大器采用1.8 V 1P6M 0.18 μm CMOS工艺实现,仿真表明直流增益为100 dB,单位增益频率为1.2 GHz(负载电容1.5 pF),功耗16 mW.将该放大器用于10位100 MS/s转换速率的流水线ADC,测试结果表明该放大器性能达到设计要求.     

高增益二极管泵浦固体激光放大器

对高增益二极管泵浦固体激光放大器进行了设计,在输入脉冲峰值功率为１～１０００Ｗ级、脉宽为１０～３０ｎｓ的条件下,利用８０８ｎｍ半导体泵浦源对一种新型几何结构的固体增益介质进行泵浦,实现１００ｍＪ级的脉冲能量输出。     

一款高增益、低功耗、宽带宽全差分运放设计

基于SMIC 0.18μm工艺模型设计了一种低电压1.8 V下的高增益、低功耗、宽输出摆幅、宽带宽的运算放大器电路。采用增益自举技术的折叠共源共栅结构极大地提高了增益,并采用辅助运放电流缩减技术有效地降低了功耗,且具有开关电容共模反馈(SC-CMFB)电路。在Cadence spectre平台上仿真得到运放具有极高的开环直流增益(111.2 d B)和1.8 V的宽输出摆幅,单位增益带宽576 MHz,相位裕度为58.4°,功耗仅为0.792 m W,在1 p F的负载时仿真得到0.1%精度的建立时间为4.597 ns,0.01%精度的建立时间为4.911 ns。     

具有正斜率增益的GaAs MMIC宽带放大器芯片设计

介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm。详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失。