Mg2Ni纳米贮氢合金电极的电化学性能

测定了Mg2Ni纳米贮氢合金电极在扫描速率份别为10，20，40，80，160mV／s时的循环伏安曲线。从曲线上读出不同扫描速率时的阴极峰电流Ipc，阳极峰电流Ipa，阴极峰电势Epc，阳极峰电势Epa，数据列于表1。作Ipc-v^1/2关系图，如图1所示。     

Mg2Ni纳米晶材料的机械合金化制备工艺及贮氢性能

在充满氩气的手套箱中按化学计量比2：1称取原料镁粉(纯度99．7％，粒度100目)和镍粉(纯度99．9％，粒度200目)混合均匀，装入SIMOLOYER高能球磨机(ZOZ Gmbh，CM01-2L型)的球磨舱中，舱内温度控制在30℃，球磨全过程在氩气氛保护下进行。球磨用φ5不锈钢研磨球。     

Mg2 Ni贮氢合金的结构、性能与改性

Mg2Ni合金以价格低廉、高能量密度,而引起人们的广泛关注。本文对Mg2Ni贮氢合金的结构、性能特别是电化学性能,以及常用的改性方法进行综述。     

纳米Mg-Ni合金的制备技术

纳米Mg-Ni贮氢材料具有成本低，活化容易、贮氢容量大，吸放氢动力学性能优异等特点，有很大的应用前景。本文用机械合金化法进行了纳米Mg-Ni合金的制备，且对制备的粉末进行了XRD，TEM，SEM等微观结构的分析。     

高性能贮氢电极合金

在简要介绍有关贮氢合金及镍－氢化物（Ｎｉ／ＭＨ）电池概念的基础上，回顾了ＡＢ５型和ＡＢ２型Ｌａｖｅｓ相贮氢电极合金的发展历史，综述了国内外有关上述两种贮氢电极合金的最新发展，讨论了提高贮氢电极合金综合电化学性能的各种方法．     

表面修饰纳米TiO2的贮氢合金电极的光充电行为

采用水解-沉淀法制备了锐钛矿结构的纳米级TiO2,研究了表面修饰TiO2的贮氢合金电极的光充电、循环伏安及交流阻抗特性.结果表明,表面未修饰TiO2的贮氢合金电极在光照下电极电位基本无变化,而表面修饰TiO2的贮氢合金电极在光照下,电极电位向负方向偏移,可达-0.835V,表明在光照射条件下电极表面有氢原子形成.电化学阻抗谱的结果也表明,表面修饰电极在光照时表面有吸附氢存在,并存在氢原子向贮氢合金内部的扩散过程.扫描电镜观察表明,表面修饰TiO2的贮氢合金电极在光充电后产生的氢原子被贮氢合金吸收引起膨胀,导致表面出现大量微裂纹.     

机械合金化贮氢钛铜非晶合金的结构研究

用机械球磨方法制得了数种不同组成的钛铜非晶合金。用Ｘ射线粉末衍射，扫描电子显微镜及扩展Ｘ射线吸收精细结构研究了它们的结构。得出了用机械合金化制得的钛铜非晶合金的结构与用液相急冷法制得的相同合金的结构不同，形成两侧分别为钛与铜金属薄膜，中间夹以非晶钛铜合金的夹心饼干式结构。过长的球磨时间，会使温度升高而产生结构弛豫，在合金属层内形成微细的钛、铜金属微粒。     

贮氢材料及其纳米化

 70年代席卷全球的石油危机促使各国开始寻求新型的、来源充足的能源;随着环境意识的加强,人类迫切需要一种清洁能源。氢能作为一种来源丰富、清洁、高能量密度的能源(见表1),早就引起了人们的关注。不过由于氢是一种密度很低的气体,传统氢气贮运以气体、液体状态为主。气态贮运贮存量小,液态贮运需消耗大量液化热,而且需要杜瓦瓶等附属设备;它们的安全性能均很差。1970年荷兰菲利普实验室发现ＬａＮｉ5材料具有可逆吸放氢的特性,贮氢体积密度高于液氢(见表2),安全性能很高;他们还指出贮氢材料具有广阔的开发前景,从而引起全球贮氢材料研究的浪潮。     

V—Ni合金的制备及吸氘性能

金属V作为贮氢材料具有良好的增压性能因而在ICF靶丸制备工艺中备受关注，但是金属V难活化，严重影响了其在增压材料方面的应用。为了改善金属V的活化性能，向金属V中掺杂少量的金属Ni以期达到对其改性和改善其贮氢性能的目的。     

Ni纳米团簇修饰的板钛矿TiO2准纳米立方块的制备及其光催化产氢性能

本文采用化学还原法制备了系列Ni纳米团簇(NCs)修饰的板钛矿TiO₂准纳米立方块(Ni/BTN). 结果表明,Ni NCs的负载量和氧化态对Ni/BTN复合材料的光吸收、光催化活性和稳定性均存在显著的影响. 在制备的系列Ni NCs负载产物中,0.1%Ni/BTN复合材料的光催化产氢活性(156 μmol/h)最佳,为单纯的BTN产氢活性(36 μmol/h)的4.3倍. 进一步的研究结果表明,Ni NCs的超细尺寸(∽2 nm)和高分散性有利于快速捕获BTN的光生电子,从而可缩短光生电荷的传输距离和提高BTN 的光催化活性. 结果证明了板钛矿TiO₂是一类潜在的高效光催化材料,为采用低成本Ni基助催化剂进一步提高其光催化性能的研究提供了重要的思路.     

具有析氢催化活性的纳米微晶Pd／Si电极的制备及表征

利用化学置换法在ｐ型Ｓｉ（１１１）表面制轩了米微晶Ｐｄ，对其析氢反应催化活性进行了考察，采用阳极溶出法对沉积层进行了研究，并借助于Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对表面和界面进行了分析，结果表明，表面沉积微晶Ｐｄ的ｐ型Ｓｉ电极在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中的析氢这塌位比裸Ｓｉ电极下降近４５０ｍＶ，阳极溶出曲线在０．３６－０．３９Ｖ附近出现Ｐｄ的溶出峰；ＸＰＳ测试证明Ｐｄ沉积层呈不连续微晶弥微分布于基底表面，     

纳米Ni/SiO2介孔复合体的制备与超顺磁性

采用溶胶－凝胶法制备了Ni^2+的SiO2干凝胶,再通过化学还原得到了纳米Ni/SiO2介孔复合体。从样品的透射电子显微镜观测结果可估算出,介孔复合体中Ni粒子的尺寸约为11－12nm。样品的磁性测量结果表明,与通常的Ni纳米颗粒相比,纳米Ni/SiO2介孔复合体中纳米Ni粒子的粒径在大于理论计算的纳米Ni粒子的临界尺寸时,仍能够保持超顺磁状态。在一定温度范围内,提高还原温度有利于复合体中纳米Ni粒子向超顺磁状态转变。     

有机金属化学气相沉积法制备的Ni/Al2O3纳米复合材料的氢吸附

研究了通过有机金属化学气相沉积技术及单源分子前躯体方法制备的Ni/Al₂O₃纳米复合材料的氢吸附(存储). 在冷壁的有机金属化学气相沉积反应器中,通过降解Ni(acac)₂粉末基底上的[H₂Al(OtBu)]₂制备的Ni/Al₂O₃纳米复合材料. 通过X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜以及能量色散型X射线荧光光谱等技术表征该复合材料. 采用自制Sievert's设备研究该复合材料的氢吸附(存储),可以储存约2.9%(重量比)的氢.     

混合物理化学气相沉积法制备MgB_2单晶纳米晶片的研究

利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的Mg B2单晶纳米晶片.利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上,以便对其精细结构等物性进行表征.电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性:T c onset=38K,T c(0)=33K.扫描电子显微镜图像表明,晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间,宽度从几微米到上百微米;高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹.选区电子衍射数据与Mg B2已有的单晶衍射数据相符.这些测量结果证实了其确为高质量单晶Mg B2超导纳米晶片.本文不仅提出了一种全新的制备单晶Mg B2的方法,也观察到了纳米尺度Mg B2单晶的零电阻现象,为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材.     

红外光谱技术在纳米NiFe2O4制备过程中的应用

采用溶胶 凝胶法制备NiFe2 O4 纳米粉末 ,并经不同温度热处理 .测定了制备过程中各阶段的红外吸收光谱和不同温度处理样品的红外漫反射光谱 .结果表明 ,红外吸收光谱较好地反映了溶胶 凝胶法制备NiFe2 O4 纳米粉末过程中结构的变化 ,为确定热处理温度提供了实验依据 ,彻底消除有机物 ,热处理需在 40 0℃以上 ;红外漫反射谱可以较好地反映粉末的尺寸效应和形态效应 ,粉末粒径越小 ,漫反射函数 (K M)值越大 ;当粒径达到一定尺寸时 ,红外漫反射的尺寸效应消失     

纳米TiO2叶片状阵列电极的制备及其在染料敏化太阳电池中电子的输运性能

在低温条件下采用定向刻蚀技术, 对金属Ti片表面用H₂O₂溶液进行刻蚀氧化, 制备了垂直生长的纳米TiO₂叶片状阵列薄膜电极. 通过X射线衍射分析表明, 纳米TiO₂叶片状阵列薄膜经500 ℃下烧结1 h后, 从无定型转变为锐钛矿相. 场发射扫描电子显微镜观察表明: 在80 ℃下的H₂O₂溶液刻蚀氧化, 经1 d制备得到的是Ti片表面垂直生长的叶片状阵列, 其形貌均匀且完整地 关键词： 2')" href="#">纳米TiO₂ 叶片状阵列电极 染料敏化太阳电池 电子传输     

混合物理化学气相沉积法制备MgB$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;单晶纳米晶片的研究

利用混合物理化学气相沉积法在石墨衬底上制备出了晶形为六角结构、厚度不同、径向尺寸不一的MgB₂单晶纳米晶片. 利用纳米定向转移技术将此晶片转移到了碳支持膜铜网上, 以便对其精细结构等物性进行表征. 电输运测量和磁性测量结果都表明晶片具有超导电性: T_conset=38 K, T_c(0)=33 K. 扫描电子显微镜图像表明, 晶片表面平整、厚度分布在几个纳米到200 nm之间, 宽度从几微米到上百微米; 高分辨透射电镜图像显示出晶片具有周期性晶格条纹. 选区电子衍射数据与MgB₂已有的单晶衍射数据相符. 这些测量结果证实了其确为高质量单晶MgB₂超导纳米晶片. 本文不仅提出了一种全新的制备单晶MgB₂的方法, 也观察到了纳米尺度MgB₂单晶的零电阻现象, 为后续的磁通钉扎、纳米力学性能等领域的深入研究提供了合适的素材. 关键词： 2')" href="#">单晶MgB₂ 超导纳米晶片 零电阻 混合物理化学气相沉积法     

醇热技术制备TiO2纳米晶的荧光光谱及荧光量子产率

采用钛酸四丁酯醇热技术制备了TiO2纳米晶溶胶,透射电子显微镜(TEM)照片显示其为粒径小于10nm的类球形形貌。该纳米晶在最大激发波长375nm激发下,在450nm处产生稳定的强荧光。不同浓度TiO2纳米晶的荧光光谱和吸收光谱表明,该发光带不仅受粒子量子尺寸效应的影响还与带内缺陷能级和表面态的电子跃迁有关,是三者共同作用的结果。以硫酸奎宁在激发波长313nm的荧光量子产率0.55为标准,测得TiO2纳米晶在不同激发波长下的荧光量子产率。结果表明,TiO2纳米晶在激发波长330～370nm范围内有较高的荧光量子产率(约为0.20),远高于文献报道值(10-3数量级)。据此,TiO2纳米晶有望成为一种有前途的无机纳米荧光探针。     

基于磁控溅射与退火工艺制备的纳米结构VO2薄膜特性的研究

氧化钒（VOx）根据不同价态表现出不同的电学特性,其电学和光学特性还与薄膜的结构有关。通过不同的沉积方法,可以得到不同态的氧化钒。目前制备氧化钒薄膜的方法有真空蒸镀、溅射、气相沉积和溶胶-凝胶法等。适当改变制备条件可以制得不同结构的氧化钒薄膜,这种结构对薄膜的性能会产生明显的影响。