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根据高温超导薄膜的特点,详细讨论了制备高温超导滤波器的光刻技术及在制备的各环节中需注意的问题,实验结果表明:此种方法提高了制备的成功率。 相似文献
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氩离子刻蚀对高温超导YBCO薄膜物理特性的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了高温超导薄膜表面经氩离子不同程度刻蚀后其物理性能的变化,并采用离子刻蚀的方法设计制备了一个四节超导滤波器.YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜表面经氩离子适当厚度刻蚀后的测试结果表明,薄膜的零电阻超导临界温度Tc随刻蚀时间适当的增加而提高,但过度刻蚀会带来电阻率的增大及转变宽度加宽.经SEM观测,刻蚀后薄膜表面的颗粒减少,趋于平整,通过XRD分析,离子刻蚀使薄膜晶格常数c发生了变化,同时测得超导薄膜的临界电流密度Jc基本保持不变.这一工作表明氩离子刻蚀对薄膜的氧含量及氧分布有一定的调控作用,并能提高薄膜的平整度,而且用此工艺制备出的超导滤波器显示出良好的微波特性,各项指标均达到了设计要求.这些研究对高温超导薄膜在微波电路中的应用提供了有利的帮助. 相似文献
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研制了一种高选择性的24阶切比雪夫(Chebyshev)型高温超导带通滤波器,其中心频率为1748MHz、带宽为75MHz,适用于GSM移动通讯基站系统.此滤波器是在直径为3英寸、厚度为0.43毫米的铝酸镧双面超导薄膜上制作的.滤波器的计算机仿真是用Sonnet软件完成的.在滤波器设计中,提出了一种结构新颖的谐振器.在77K时,它具有很高的品质因子,约为30000.测试结果表明,该滤波器具有很好的选择性,带边陡度为17dB/MHz,带外抑制优于-90dB. 相似文献
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本文提出了一种新颖的L型阶跃阻抗谐振器,该谐振器具有结构紧凑、抑制二次谐波能力强及易于实现电耦合及磁耦合等特点。使用该谐振器设计并制作了一款具有小型化、高选择性及宽阻带特性的6阶自均衡高温超导滤波器。测试结果表明,在70 K温度下滤波器的中心频率为1 601 MHz,3 dB带宽为24 MHz,带内回波损耗<14.87 dB,带内最大插入损耗约为0.22 dB,60%带宽范围内群时延起伏<3.13 ns,通带两侧具有一对深度的传输零点,实现了1 632~5 511 MHz范围内衰减>60 dB的宽平坦阻带。 相似文献
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高温超导滤波器的封装是影响超导滤波器性能的重要环节之一。文中详细讨论了封装盒设计应该注意的细节,避免影响超导滤波器性能的因素出现。成功地应用超声点焊的方法解决了PIN接头和高温超导滤波器电极的连接,达到了较小的接触电阻和较好的机械强度。 相似文献
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We characterized the surface defects in a-plane GaN, grown onto r-plane sapphire using a defect-selective etching (DSE) method. The surface morphology of etching pits in a-plane GaN was investigated by using different combination ratios of H3PO4 and H2SO4 etching media. Different local etching rates between smooth and defect-related surfaces caused variation of the etch pits made by a 1:3 ratio of H3PO4/H2SO4 etching solution. Analysis results of surface morphology and composition after etching by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) demonstrated that wet chemical etching conditions could show the differences in surface morphology and chemical bonding on the a-plane GaN surface. The etch pits density (EPD) was determined as 3.1 × 108 cm−2 by atom force microscopy (AFM). 相似文献
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The formation of in-plane texture via ion bombardment of uniaxially textured metal films was investigated. In particular, selective grain Ar ion beam etching of uniaxially textured (0 0 1) Ni was used to achieve in-plane aligned Ni grains. Unlike conventional ion beam assisted deposition, the ion beam irradiates the uniaxially textured film surface with no impinging deposition flux. The initial uniaxial texture is established via surface energy minimization with no ion irradiation. Within this sequential texturing method, in-plane grain alignment is driven by selective etching and grain overgrowth. Biaxial texture was achieved for ion beam irradiation at elevated temperature. 相似文献
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