用X—射线和电子衍射对合成汞系超导体的预烧样品的研究

在６００℃－９００℃的温度范围内，每间隔１００℃用固态反应技术将按２：２：３的比例混合的ＢａＯ，ＣａＯ及ＣｕＯ的混合物进行烧结，将不同温度和不同反应时间下进行反应的产物通过Ｘ－射线衍射和电子衍射分析，我们得到了一种新的相化合物可能具有Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ７的分子式。     

用CH3CSNH2钝化GaP表在特性的研究

借助扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究在不同处理条件下,ＧａＰ晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响。实验结果表明：经过ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液一定时间钝化处理后,ＧａＰ表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ｇａ－Ｓ、Ｐ－Ｓ键,并引起Ｘ光电子能谱的Ｇａ、Ｐ芯能级化学位移,Ｇａ的硫化物有较好的稳定性。     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

GdBa2Cu3O7—x超导体失氧与超导电性的关系：GdBa2Cu3o7—x淬火样品的EXAF …

本文采用ＥＸＡＦＳ方法了ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高Ｔｘ超导陶瓷在不同温度下淬火后各金属原子周围氧配位数及键长的变化,得出该１２３相超导体随淬火温度升高失氧的具体位置为Ｏ１及Ｏ４,Ｃｕ－Ｏ平面未被破坏。指出Ｃｕ－Ｏ链及Ｏ４在１２３相超导体中应具有重要作用。     

用X－射线和电子衍射对合成汞系超导体的预烧样品的研究

在６００℃－９００℃的温度范围内，每间隔１００℃用固态反应技术将按２：２：３的比例混合的ＢａＯ，ＣａＯ及ＣｕＯ的混合物进行烧结．将不同温度和不同反应时间下进行反应的产物通过Ｘ－射线衍射和电子衍射分析．我们得到了一种新相化合物可能具有Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ７的分子式．其结构为四方相，晶格参数确定为ａ＝１．２９４８（２）ｎｍ，ｃ＝０．９１５６（４）ｎｍ     

退火a－Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本文研究了退火ａ－Ｇｅ／Ｃｕ（ａ－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００ｋ与退火温度Ｔａ之间关系出现反常；（２）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在团相反应和多相品化；（３）实验首次发现在ａ－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小．     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

Ni/Al2O3催化剂上甲烷的分解温度和时间对积炭的影响

用在线质谱法研究了Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂上甲烷分解温度和时间对积炭的影响。实验结果表明：在６００－８００℃内甲烷在还原的Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂上可分解为表面碳物种（即ＮｉｘＣ）和氢气,这种表面碳物种在较低的温度下可扩散进入体相,在高温下可逐步转化为低活性的碳物种。在８００℃下由于表面碳物种不能扩散进入体相,金属镍中心迅速被表面碳物种覆盖,导致甲烷分反应失活。     

Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应

室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜. 利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征. 在此基础上，研究了Cu/SiO₂/Si(111)体系的扩散和界面反应. 实验结果表明：当退火温度高于450℃时出现明显的扩散现象，并且随着温度的升高，体系扩散现象会更加显著. 当退火温度低于450℃时没有铜硅化合物生成，当温度达到500℃时才有铜硅化合物生成. 关键词： 薄膜 扩散 界面反应 硅化物     

SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。（３）我们讨论了与ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格的结