乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管

介绍了采用浮动催化剂法，利用乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管。采用二茂铁作为催化剂先体，乙醇作为碳源，利用石英基底收集产物。催化剂先体二茂铁的蒸汽在载气的作用下被带到高温区（800℃），二茂铁在高温区分解形成铁纳米催化剂颗粒，这些催化剂颗粒催化生长出多壁碳纳米管。利用扫描电子显微镜、（高分辨）透射电子显微镜对制备的多壁碳纳米管都进行了表征。实验结果表明，制备的多壁碳纳米管均匀性好，石墨化程度较高。     

乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管

介绍了采用浮动催化剂法,利用乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管。采用二茂铁作为催化剂先体,乙醇作为碳源,利用石英基底收集产物。催化剂先体二茂铁的蒸汽在载气的作用下被带到高温区(800℃),二茂铁在高温区分解形成铁纳米催化剂颗粒,这些催化剂颗粒催化生长出多壁碳纳米管。利用扫描电子显微镜、(高分辨)透射电子显微镜对制备的多壁碳纳米管都进行了表征。实验结果表明,制备的多壁碳纳米管均匀性好,石墨化程度较高。     

乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管

介绍了采用浮动催化剂法,利用乙醇化学气相沉积法制备多壁碳纳米管.采用二茂铁作为催化剂先体,乙醇作为碳源,利用石英基底收集产物.催化剂先体二茂铁的蒸汽在载气的作用下被带到高温区(800℃),二茂铁在高温区分解形成铁纳米催化剂颗粒,这些催化剂颗粒催化生长出多壁碳纳米管.利用扫描电子显微镜、(高分辨)透射电子显微镜对制备的多壁碳纳米管都进行了表征.实验结果表明,制备的多壁碳纳米管均匀性好,石墨化程度较高.     

化学气相沉积法制备BN

根据国内外现有的文献资料，介绍了化学气相沉积ＢＮ的具体制备方法、试验设备及主要原理。     

利用水和二茂铁的化学气相沉积方法制备α-Fe2 O3纳米颗粒的圆形图形的研究

利用水和二茂铁作原料,通过化学气相沉积的方法在950℃以上可以在二氧化硅表面上制备出二氧化铁纳米颗粒组成的圆形图形.研究发现,这些圆形图形的特点,包括图形的平均尺寸和尺寸分布、图形之间的平均间隔、以及组成这些图形的氧化铁纳米颗粒的大小等,同沉积温度、水和二茂铁的比例等密切相关.通过调整这些实验参数,我们在较大面积的二氧化硅基片上成功地制备出氧化铁纳米颗粒的圆形图形阵列.这些圆形图形阵列有可能作为纳米碳管等一维材料的制备模板.这些图形以及组成它们的纳米颗粒的特点有可能对沉积的纳米材料的形貌和性能等产生影响.     

激光化学气相沉积法制备TiO2薄膜

利用激光化学气相沉积(LCVD)方法,以钛金属有机化合物为前驱体,以O2为反应气体,在激光功率PL为0～200 w、基板预热温度为400～700℃的条件下,制备出了金红石型TiO2薄膜和金红石型与锐钛矿型混合TiO2薄膜.研究表明,激光功率和基板预热温度对所沉积的TiO2薄膜的物相组成、截面组织,表面形貌和薄膜生长速度均有着显著的影响.     

取向碳纳米管阵列的等离子体复合化学气相沉积法制备

采用热丝和射频等离子体复合化学气相沉积技术,用旋涂法制备负载催化剂的硅片衬底,以CH4为碳源制备出取向碳纳米管阵列薄膜.利用扫描电子显微镜对不同还原时间和不同N i(NO3)2浓度下制备的催化剂基片和取向碳纳米管阵列薄膜进行形貌分析,用透射电子显微镜和拉曼光谱对碳纳米管进行表征.结果表明,在H2-N2气氛中热还原后硅片上的催化剂粒径均匀,排列致密,利用该法制备的碳纳米管为竹节型多壁碳纳米管,管径分布均匀,管长约5μm.碳纳米管阵列薄膜垂直于硅片衬底生长,生长排列均匀致密,具有良好的取向性.     

热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征。结果表明，在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成。纳米晶粒平均尺寸约为6nm。室温下用HeCr激光激发样品，观到薄膜发出波长位于400～550nm范围内可见光辐射。     

以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒

首次以ZnS为源,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关．在没有Au催化的条件下,ZnO颗粒呈圆形颗粒,直径多在30-200nm之间,密度为10^4-10^9cm^-2;有Au催化的条件下,ZnO纳米颗粒呈六边形,平均尺寸明显变小,在10—100cm之间,而密度显著提高,为10^8-10^10cm^-2所制备的纳米ZnO颗粒在497nm和376nm附近分别有很强和较弱的光致发光．     

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成;ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。     

阵列式碳纳米管制备研究

CVD工艺制备碳纳米管阵列,二甲苯(C6H4(CH3)2)作为碳源气体,二茂铁(C10H10Fe)作为催化剂前驱体,反应温度为700～800℃,碳纳米管直径30～60nm,长度50～60μm。     

大电流密度碳纳米管阴极的生长及场发射性能研究

研究了碳纳米管作为大电流密度场发射阴极的CVD生长情况与场发射性能。结果表明,通过CVD生长的碳纳米臂的直径与催化剂颗粒的直径相近,其生长方向是随机的。根据薄膜厚度与催化剂颗粒的关系,认为通过控制催化剂薄膜的厚度可能会达到调节碳纳米管直径的目的。在实验中获得的碳纳米管具备了良好的场发射性能,在直径为0．13mm的圆形面积上获得的碳纳米管场发射平均电流密度达到1．28A／cm^2。     

硅基底表面上多种形态碳纳米管的生长

以Fe/Ru双金属纳米颗粒为催化剂,在含有一层自然氧化层的硅基底上制备单分散碳纳米管,并用原子力显微镜进行表征。实验结果表明在同一基底上碳纳米管具有多种形态,如环形、树枝状分叉形、锥形,单根和成束等。这种多种形态碳纳米管的出现,为更进一步了解碳纳米管的生长机制以及对控制碳纳米管制备有着重要意义。     

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式，是今后集成电路中ＳｉＯ２淀积的主流工艺。     

Field electron emission of multiwalled carbon nanotubes and carbon nanofibers grown from Camphor

Vertically aligned carbon nanofibers (CNF) and multiwalled carbon nanotubes (MWCN) were synthesized from camphor by catalytic thermal chemical vapor deposition on Co and Co/Fe thin films (for CNF) and on silicon substrates using a mixture of camphor and ferrocene (for MWCN). CNF and MWCN were studied by scanning and transmission electron microscopy, visible Raman spectroscopy, X-ray diffraction in order to get insight into the microstructure and morphology of these materials. Field electron emission study indicates turn-on field of about 1.52, 2.3 and 4.3 V/μm for MWCN, Co/CNF and Co/Fe/CNF films, respectively; and threshold field of about 2.48, 3.1 and 6 V/μm, respectively. Our study indicates a better performance for field electron emission compared with some of the earlier published reports which might be due to higher aspect ratio, good graphitization and suitable density.     

RF-PECVD法研究碳纳米管的生长特性

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM),高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征.结果表明:700℃和800℃温度下生长的CNT均取向无序、弯曲缠结,由整齐排列的圆...     

制样溶剂及基底对原子力显微镜观测单壁碳纳米管的影响

本文选用不同基底和溶剂进行单壁碳纳米管(SWNTs)样品制备,采用原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)观察进行表征和观测。结果表明,溶剂和基底对样品制备十分重要,会直接影响AFM观测效果。以去离子水为溶剂进行样品分散时,SWNTs在石英、硅片和云母三种基底上都出现了不同程度的聚积和重叠,影响观测效果。而采用乙醇为溶剂,在石英或云母为基底进行成像时,均可获得质量良好的图像。选择云母作为基底,可以大大减少基底处理时间,制样方便快速,并且能够获得理想的观测效果。     

Synthesis of carbon nanotubes by catalytic chemical vapour deposition: A review on carbon sources,catalysts and substrates

Carbon nanotubes (CNTs) have been extensively studied during the past two decades and Catalytic Chemical Vapour Deposition (CCVD) technique has been untiredly employed by researchers to produce CNTs of various crystallographic configurations. In this paper the material aspects carbon sources, catalysts and substrates with regard to CCVD synthesis of carbon nanotubes are reviewed in light of latest developments and understandings in the field. The role of these materials in synthesis of CNTs is explained keeping the upto date literature in view. Latest research reports and their findings are presented with regard to effects of growth control aspects such as temperature, vapour pressure and catalyst concentration on CNT formation. Besides recent understandings with regard to preferential growth of CNTs are also discussed. From this literature review it is found that carbon diffusibility and carbon solubility of any catalyst are two important factors in determining CNT nucleation and growth. Moreover, addition of catalyst species to any transition metal catalyst can improve the catalyst performance and addition of water, air, alcohol etc. during CCVD process can increase the activity and lifetime of the catalyst besides enhances the production of CNTs.     

碳纳米管分散形态的电镜研究

未经处理的碳纳米管常呈现团聚形态。然而，团聚形态对进一步深入研究碳纳米管的性能与应用造成了很大的局限．所以，碳纳米管的有效分散至关重要。现在国内虽已对碳纳米管的分散进行了一定的探索，但却未能对分散务件进行定量标定。本文采取超声波振荡的方法进行分散，并细致、深入地探讨了不同分散务件对碳纳米管分散形态的影响，从而说明选用适当的碳纳米管原料、延长超声振荡时间以及降低悬浮液浓度都将有利于碳纳米管的充分分散。