高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

部分子演化模型与EMC效应

本文研究了部分子在核环境中的演化对束缚核子结构函数的影响,并结合小x区域内邻近核子间部分子空间重叠引起的核遮蔽效应,计算了原子核⁵⁶Fe的平均核结构函数与氘核结构函数之比.计算结果与实验数据符合甚好.     

小动量转移区高扭曲效应对核子自旋结构函数的影响

利用夸克模型计算了核子的自旋相关结构函数随Q²的依赖关系.在小动量转移区研究高扭曲效应a₂(Q²),d₂(Q²)对结构函数的影响.计算结果和其它的一些模型理论计算做了比较.     

含QCD修正的p-A碰撞Drell-Yan过程的核效应

在微扰QCD α_s级近似下,采用双重Q²重标度模型,计算了p-A碰撞Drell-Yan截面与p-N碰撞Drell-Yan截面之比,即核效应函数R_QCD(x_A,Q²).计算结果与没有QCD修正的R(x_A,Q²)值比较,在0.03≤x_A≤0.3之间都有不同程度的压低,与实验符合的情况有所改善.说明对核Drell-Yan过程核效应的研究,QCD修正是有一定意义的,并且在计入这种修正后,双重Q²重标度模型仍然是有效的.     

LiO2(C2V，X2A2)分子的结构与势能函数

使用二次组态相互作用方法，在aug-cc-pvtz基组水平上对LiO₂(C_2V，X²A₂)基态分子进行了几何优化，得到了它的平衡几何构型和力常数.根据原子分子反应静力学原理得到可能的电子状态和离解极限.应用多体展式理论方法推导出了LiO₂(C_2V，X²A₂)基态分子的解析势能函数.     

SiO2分子的基态(X1A1)结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO₂分子的电子态及其离解极限，采用B3P86方法，在6-311G^**水平上,优化出SiO₂基态分子稳定构型为单重态的C_2V构型，其平衡核间距R_e=R_Si—O=0.1587 nm,∠OSiO＝111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率ν(B₂)=945.4cm^-1，弯曲振动频率ν(A₁)=273.5 cm^-1和反对称伸缩振动频率ν(A₁)=1362.9cm^-1.在此基础上，使用多体项展式理论方法，导出了基态SiO₂分子的全空间解析势能函数，该势能函数准确再现了SiO₂(C_2V)平衡结构.     

轻子原子核深部非弹散射中核结合效应的不同处理之比较

本文采用在壳动力学和总能量守恒条件对肪冲近似进行了运动学修正,由此计算了核结合效应在轻子原子核深部非弹散射中的影响,并将这种模型与采用离壳动力学计算核结合效应的模型进行了对比,发现两种模型对束缚核子的结构函数F₁(x)及Callan-Gross比率R_A=σ_L/σ_T给出不同的结果和预言.与实验的对比表明:在壳处理比离壳处理解释更多的实验现象,而且与实验的符合也更好一些.     

奇奇核的U(B)(6)×U(v)(12)×U(π)(4)动力学对称性

本文讨论奇奇核U^(B)(6)×U^(v)(12)×U^(π)(4)动力学对称性的SO(6)极限情形.除计算能谱外,对体系的波函数、E(2)电磁跃迁几率和单粒子转移反应强度都进行了计算,并得到相应精确解.最后就¹⁹⁸Au₁₁₉和¹⁸⁸Ir₁₁₁两核的实验能谱与理论计算值进行了比较并作了讨论.     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

A=147—153核的Gamow—Teller跃迁

在壳模型的基础上系统研究了¹⁴⁶Gd区A=147-153核的Gamow-Teller跃迁.这些相对¹⁴⁶Gd核心为粒子态的核唯一的β允许衰变道为π1h_11/2→v1h_9/2的Gamow-Teller跃迁.计算结果表明,实验的约化几率B(GT)与计算的B(GT)比较,存在一个阻塞因子γ²,即γ²=B_exp(GT)/B_cal(GT)=0.17±0.05.     

VxOyq团簇按照△=2y+q-5x值进行分类

按照团簇的氧化指数,对钒氧化物团簇V_xO_y^q (x≤8, q=0,±1)进行了分类(钒氧化物的氧化指数△=2y+q-5x). 密度泛函理论计算结果表明,氧化指数相同的团簇倾向于具有相似的成键方式、电子结构和反应活性. 根据这一规律,提出了V₂O₆和V₃O₆⁺新的可能的基态构型. 在钒氧化物体系上的成功应用,表明这种分类方法可以有效地     

“全同”超形变核转动带的量子群Uqp(u2)模型的理论分析

利用量子群U_qp(u₂)模型计算了^{191-192-193-194Hg}超形变(SD)带的γ跃迁能E_γ,运动学转动惯量J⁽¹⁾和动力学转动惯量J⁽²⁾,顺排角动量之差(i=ω(J⁽¹⁾(^{191-192-193-194}Hg)-J⁽¹⁾(¹⁹²Hg))),并与实验值进行比较得到了满意的结果,此外,还利用U_qp(u₂)模型的形变参量与核软度的关系式,计算出各SD带的核软度参数σ₁与唯象分析给出的组态结构进行了比较分析.     

BeCl分子电子激发态的多参考组态相互作用计算

运用含Davidson修正的多参考组态相互作用方法,在aug-cc-pVTZ基组水平上,对BeCl分子基态和相同多重度的几个低电子激发态进行了势能扫描计算.通过群论原理确定各电子态对称性及离解极限.将其中基态(X²Σ⁺)和第一激发态(A²Π})对应的势能曲线拟合到Murrell-Sorbie解析势能函数形式,得到基态(X²Σ⁺)的离解能及主要光谱常数(括号中为文献[6]提供的实验值)为D_e=3.74eV,R_e=0.18173nm(0.17970),w_e=857.4cm¹(847.2),w_ex_e=5.03cm^-1(5.14),B_e=0.7103cm^-1(0.7285),α_e=0.0059cm^-1(0.0069),第一激发态(A²Π)的D_e=3.02eV,R_e=0.18369nm(0.18211),w_e=832.7cm^-1(822.1),w_ex_e=5.93cm^-1(5.24),B_e=0.6953cm^-1(0.7094),α_e=0.0065cm^-1(0.0068),计算结果与实验值符合得较好.另外,通过Level程序求解双原子径向核运动的Schrödinger方程得到J=0时BeCl分子这两个电子态的全部振动能级.     

175Hf核ε衰变的IXK/Iγ(343keV)比值计算和分析及其辐射数据计算

简要地介绍了¹⁷⁵Hf核ε衰变的I_XK/I_γ(343keV)比值的计算方法与实验测量的比较与分析,并在此基础上,计算得到了P_γ(343keV)=0.869±0.004,还给出了¹⁷⁵Hf核ε衰变的辐射数据的计算与推荐     

小尺寸VmOn+团簇的激光光解和密度泛函计算

通过激光溅射法产生了V₂O_n⁺ (n=1, 2), V₃O_n⁺ (n=1, 2, 3)和V₄O₃⁺等缺氧的钒氧团簇,并采用532和266 nm波长的激光对它们进行了光解研究. 利用密度泛函理论计算与激光光解实验相结合确定了这些团簇的几何结构和可能的光解通道. 激光光解实验表明V相似文献   

AsO+同位素离子X2∑+和A2∏电子态的多参考组态相互作用方法研究

采用包含Davidson修正多参考组态相互作用(MRCI)方法结合价态范围内的最大相关一致基As/aug-cc-pV5Z和O/aug-cc-pV6Z, 计算了AsO⁺ (X²∑⁺)和AsO⁺(A²∏)的势能曲线. 利用AsO⁺离子的势能曲线在同位素质量修正的基础上, 拟合出了同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺和⁷⁵As¹⁸O⁺的两个电子态光谱常数. 对于X²∑⁺态的主要同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺, 其光谱常数R_e, ω_e, ω_ex_e, B_e和α_e分别为 0.15770 nm, 1091.07 cm^-1, 5.02017 cm^-1, 0.514826 cm^-1和0.003123 cm^-1; 对于A²∏态的主要同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺, 其T_e, R_e, ω_e, ω_ex_e, B_e和α_e分别为5.248 eV, 0.16982 nm, 776.848 cm^-1, 6.71941 cm^-1, 0.443385 cm^-1和0.003948 cm^-1. 这些数据与已有的实验结果均符合很好. 通过求解核运动的径向薛定谔方程, 找到了J=0时AsO⁺(X²∑⁺)和AsO⁺(A²∏)的前20个振动态. 对于每一振动态, 还分别计算了它的振动能级、转动惯量及离心畸变常数, 并进行了同位素质量修正, 得到各同位素离子的分子常数. 这些结果与已有的实验值非常一致. 本文对于同位素离子⁷⁵As¹⁶O⁺(X¹∑⁺), ⁷⁵As¹⁸O⁺(X¹∑⁺), ⁷⁵As¹⁶O⁺(A¹∏)和⁷⁵As¹⁶O⁺(A¹∏)的光谱常数和分子常数属首次报导.     

基于函数映射的快速傅里叶变换算法

给出了一种新的快速傅里叶变换算法.算法利用了傅里叶变换因子C_N^kn、S_N^kn的对称特性,将函数序列x(n)个数压缩至四分之一.对其压缩后的函数序列,按其相邻函数值之差映射为函数p(n),同时对傅里叶变换因子C_N^kn、S_N^kn按累进求和映射为A_N^kn、B_N^kn.不同于FFT算法要求N为2的整数次幂,该算法中N可为任何偶数.对诸如方波、三角波、锯齿波及可分解为阶梯波的光学图象、特别是二值光学图象,能极大地减少计算量,某些情形低于FFT算法的计算量.     

PGBs对高能e+e－湮没产生顶夸克对的单圈量子效应

在一代Technicolor(TC)模型中计算了PGBs(PseudoGoldenstoneBosons)对高能e⁺e^－→tt过程的单圈量子效应.给出了重整化的形状因子和矩阵元.计算了PGBs对总截面前后不对称参数A_FB和左右不对称参数A_LR的虚贡献,结果表明选取适当的参数值,新物理对以上可测量的贡献最大分别可达:－12.3%、－3.3%和－11.7%.在下一代对撞机上这一理论结果能为TC理论打开实验的窗口.同样的计算表明PGBs对e⁺e^－→bb过程的单圈贡献小于－1.0%.     

三方晶系的非线性磁光克尔谱及其表面磁化强度取向的效应

本文计算了三方结构不同表面和不同磁化强度取向下的χ⁽²⁾、SHG、MSHG及非线性克尔旋转角Φ_k,a⁽²⁾.结果表明,SHG和Φ_k,a⁽²⁾值非常灵敏地依赖于薄膜的表面及磁化强度的取向;三方结构的SHG、Φ_k,a⁽²⁾与fcc、bcc和hcp结构的相比有很大的差异,这表明结构对非线性磁光效应有重要的影响;当M//X、Y轴时,MSHG信号很明显,这表明可通过A值的测量来研究磁性薄膜表面的磁畴结构以及取向.     

面心晶格的固溶体的自由能

本文应用了Kirkwood方法去计算面心立方体的固溶体AB₃的自由能。在这个方法中,自由能被表为(kT)^-1的幂级数。我们的计算一直算到了(kT)^-4的系数。如果称原子排列的秩为S,称忽略O(kT)^-n的自由能为F_n,那末F_n与S的关系对于不同的n(n=2,3,4,5)是极不同的。事实上,F₃,F₅和S=0处始终为极小,使理论中看不到超点阵的结论。这说明自由能F对(kT)^-1的展开的级数收敛极慢。将F表为η≡e^{(-(V_AA+V_BB-2V_AB)/kT)}-1的级数(式中V_AA,V_BB,V_AB代表最近邻AA,BB,AB对的作用能)而称忽略O(ηⁿ)的自由能为F_n′那末F₂′,F₃′依然不给我们超点阵的结论,但由F₄′,F₅′我们非但获得了超点阵,并也看到了S的突变及固溶体的潜热。F₄′,F₅′是极相似的,使我们相信它们近似于真正的F。