入射电子被中性原子散射过程中的库仑波描述

在前期工作的基础上,给出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.我们早期工作的一个重要缺陷是:对于初、末通道,分别使用了解析的平面波和库仑波,而现有的波函数与早期工作之间的一个重要差别在于:在初通道,现有的波函数包含有入射电子与中性原子之间的短程相互作用效应,而早期文章则没有这种效应.这里使用的末态波函数与以前是相同的.当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下,我们计算了电子入射离化氦原子的三重微分截面,并发现现有的理论计算与实验结果很好的一致.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子²⁰⁷Pb^q+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 关键词： 高电荷态离子 经典过垒模型 电子发射产额     

氦原子(e,2e)反应中库仑波描述入射电子的理论研究

在前期工作的基础上,当初通道使用具有有效电荷库仑波时,完成了电子入射离化氦原子三重微分截面的理论推导.计算表明:初通道库仑场对较低入射能量情况下,(e,2e)过程的三重微分截面有较大影响.     

中低速C3+与He,Ne,Ar原子相互作用过程中单电子转移绝对截面的测量

实验测量了1.7v0-4.2v0(v0为玻尔速度,v0=2.19×108 cm/s)的C3+与He,Ne,Ar原子碰撞过程中单电子转移绝对截面.将实验结果与多体经典轨道蒙特卡罗模拟计算结果做了比较,发现测量结果与多体经典轨道蒙特卡罗模拟计算结果在趋势上相符.当入射离子速度在1.7v0-2.0v0时,因多体经典轨道蒙特卡罗方法计算时不能考虑多电子关联态俘获和极化效应的影响,实验值大于计算值.当入射离子速度在2.2v0-4.2v0时,由于被俘获电子对入射离子的不完全屏蔽,加上电子间的动态关联及有效电荷的影响,实验结果先与多体经典轨道蒙特卡罗计算结果符合很好,而后逐渐大于计算值.此外,还根据转移电离与单电子俘获的截面比简单分析了转移电离机制.     

氦原子(e,2e)反应中库仑波描述入射电子的理论研究

在前期工作的基础上,当初通道使用具有有效电荷库仑波时,完成了电子入射离化氦原子三重微分截面的理论推导.计算表明初通道库仑场对较低入射能量情况下,(e,2e)过程的三重微分截面有较大影响.     

强扰动区C~(q+)离子与He原子碰撞中有效电荷研究

本文利用经典过垒电离模型(Class Over Barrier Ionization)处理100-400ke V/amu强扰动区(q/v1)的不同价态非全裸离子Cq+(q=1-4)与全裸离子H1+,He2+,Li3+与He原子碰撞过程.发现相同价态下,全裸离子的双单电离截面比R21明显低于非全裸离子,原因在于两者的电子结构明显不同.非全裸离子的外壳层电子在碰撞过程中会有一定几率过垒,这在以往的研究中并未考虑.利用模型计算结果与实验数据的比对,估计入射离子第二有效电荷,最终确定入射离子在电离过程中的第一和第二有效电荷.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感.     

电子碰撞离化H（1s）末态波函数动量相关效应

考虑电子碰撞离化Ｈ（１ｓ）末态波函数中电子动量相关效应对三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的影响，结果发现在中，高入射能情况下，采用本文提出的电子有效核电荷表达式，ＴＤＣＳ计算结果与实验值符合得非常好。     

低速离子在固体中的电子阻止截面

在均匀电子气模型和微扰极限成立的条件下,给出了低迷离子在固体中的电子阻止截面公式。结果表明,低迷离子的电子阻止本领可以表示成只与入射离子性质有关的因子和只与材料性质有关的因子的乘积。这种简化阻止函数的形式被推广到一般的固体材料,从而得出相同速度的离子之间的有效电荷比基本与靶材料无关的结论。给出了一套计算重离子与氢离子有效电荷比的经验公式,由实验资料确定了公式中的参数。采用此有效电荷比公式以及低速氢离子的电子阻止截面数据,很容易计算出低速重离子的电子阻止截面。与实验比较表明,我们给出的公式能很好地描写实验上发现的Z_1和Z_2振荡,而且在实验误差范围内,能很好地描写电子阻止截面S_e随离子能量的变化关系。     

托卡马克芯区Zeff测量和分析方法的研究

基于等离子体锯齿弛豫振荡的测量和研究,结合芯区电子功率平衡的分析,获得一种可靠的确定芯区平均有效离子电荷数Zeff的测量方法。该方法不受杂质的限制,测量条件十分容易满足。     

Ar+和He+离子与C60碰撞后富勒希离子的激发机制

C60在与重离子作用下的激发机制与入射离子能量、质量及电荷态有关.核阻止主要出现在低能重离子与C60的碰撞中;而高能轻离子作用下,电子阻止迅速增强,成为主要的激发方式.本文中直接观察到由弹性碰撞引起的C+峰,及其丰度依赖于入射离子的质量.同时我们还发现电子阻止随入射离子能量(7～20?keV)增大相应增加,这与绝热量子分子动力学计算的结果一致.     

类氦离子的电子碰撞电离微分截面

本文主要利用扭曲波玻恩交换近似方法(DBE)计算类氦离子在电子碰撞下,相应不同的末态电子能量分配的电离截面(能量微分截面)。发现对这些微分截面在不同靶电荷及入射能量下,都可用带两个参数的高斯函数αexp(β(x—0.5)²)很好地拟合。还给出两个拟合参数随靶电荷和入射能量的变化曲线,以及讨论了在库仑波玻恩交换近似(CBE)和DBE两种不同近似下所得参数值的差别。计算结果也表阴,在低靶电荷和低入射能量时用DBE计算的必要性。 关键词：     

低速高电荷态离子40Ar16+与云母表面作用中的电子发射研究

报道了由兰州ECR源提供的低速高电荷离子40Ar16 入射到云母表面产生的电子发射的实验测量结果.结果发现,电子发射产额Y与离子入射角ψ有近似1/tanψ的关系.基于经典过垒模型,我们对这一关系进行了理论分析.实验结果和理论结果相当符合,这就间接说明势能电子发射是低速高电荷态离子作用于表面发射电子的一个主要途径.     

中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响。研究表明：在中高入射能下,截面的角分布由 binary 峰和 recoil 峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献。更进一步,修正后的 binary 峰的幅值对入射电子能量 和散射电子偏角 的变化比较敏感。     

辐射复合截面的扭曲波计算

采用非相对论量子计算方法计算了电子与高电荷态离子碰撞的辐射复合截面, 其中连续态电子的波函数是由扭曲波近似方法(DWBE)获得. 计算了低能电子与中、低核电荷的高电荷态离子(类H和类Li)的辐射复合截面, 并与采用有效电荷的库仑波计算结果进行了比较, 说明了扭曲波计算的重要性.     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

氦原子（e，2e）反应中库仑波描述入射电子的理论研究

在前期工作的基础上，当初通道使用具有有效电荷库仑波时，完成了电子入射离化氯原子三重微分截面的理论推导。计算表明：初通道库仑场对较低入射能量情况下，(e，2e)过程的三重微分截面有较大影响。     

经典过垒模型在Xeq++He碰撞中的应用

采用位置灵敏探测和飞行时间技术研究了高电荷态Xe离子(q=15,17,19,21,23)与He原子碰撞中双电子转移截面与单俘获截面比随入射离子电荷态的变化规律.提出一步过程假定,对扩展的经典过垒(ECB)模型进行了修正,利用修正模型计算得到的单、双电子转移绝对截面与Andersson等人和Selberg等人的实验结果符合得很好,所得截面比与本实验得到的双电子转移截面与单电子俘获截面符合得比较好.