自旋晶体管——未来新型器件

 传统的半导体三极管(又称晶体三极管或晶体管)由两个PN结和三个电极构成,从结构上看有NPN和PNP两种基本类型.其工作原理是大家所熟知的.晶体管的成功研制极大的带动了半导体工业的发展.晶体管的应用已渗入到国民经济的各个领域.     

晶体管发明70周年纪念

<正>1947年12月23日,美国贝尔实验室正式地成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管,标志着现代半导体产业的诞生和信息时代的开启。晶体管可以说是20世纪最重要的发明,到今天已经整整70年了。严格地说,晶体管泛指一切的单个半导体元件,经常用来指代半导体材料制成的三极管、场效应管,等等。它的英文名字是transistor,来自于     

基于金属氧化物半导体晶体管Colpitts混沌振荡电路及其同步研究

用金属氧化物半导体(MOS)晶体管模型取代传统Colpitts混沌振荡电路中的三极管模型, 提出了一种基于MOS管的Colpitts混沌振荡电路. 通过合适的归一化方法, 得到了与基于三极管电路类似的状态模型. 平衡点的指标说明两种结构产生混沌的机理并不相同. 然后, 通过参数反演, 得到了详细的电路参数, 并用Pspice软件仿真得到了混沌吸引子和混沌信号的频谱图, 说明了此结构可在低电压下工作并且能产生高频率的混沌信号. 最后, 用误差反馈的方法实现了这种结构的同步. 关键词： Colpitts混沌 金属氧化物半导体晶体管 低电压 误差反馈同步     

有关晶体三极管的材料和制造工艺问题

1948年晶体三极管的发明在科学技术界引起了极大的重视。经过十余年的迅速发展,晶体三极管已经成为当前半导体科学技术发展中的一个极重要方向。本文的目的主要是简单地介绍一下晶体三极管所需要的半导体材料以及它的制造工艺中所提出的若干问题。     

光导效应与光敏器件

光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等是利用半导体的光导效应制成的光敏器件。由于它们体积小、灵敏度高、性能稳定,寿命长、价格低,在自动控制、工业测量和家用电器中得到了广泛应用。如,目前用得最广泛的红外线遥控器、光控音乐石英钟等。本文从光导效应出发介绍光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管的原理及应用。     

演示用半导体三极管振蕩器的制作

半导体物理学是一門年輕的科学,特別是在最近十年中得到了迅速地发展,无论在理論上或是在实际应用上都取得一定的成就。自从半导体二极管与三极管成功地代替了二极电子管与三极电子管,并且愈来愈显示出比电子管有着更优越的性能以后,     

简易晶体管测试仪

简易晶体管测试仪赵维凡（黑龙江省佳木斯农业学校）检测晶体三极管的好坏，估测三极管放大倍数高低的方法比较多。使用有测β档的万用表是一种常用的简易方法，而且可以定量测试。这种方法的优点是较准确，实用于分组实验，但用于课堂演示效果不佳。我制作的两种定性检测...     

光子“晶体管”研究之二——光子“三极管”特性的计算分析

本文提出了光子“三极管”的理论模型,并对这一模型进行较详细的计算分析,得到了光子“三极管”的特性曲线,并指出了其应用前景。     

介绍一种新原理的半导体器件

用鍺或硅制成的二极管和三极管已获得了越来越广泛的应用。在一般的二极管中,扩散长度L(指半导体由少数載流子的)比起基区厚度d来要大得多。近来苏联維·依·斯达凡耶夫曾研究了一种新的半导体二极管,这种二极管的d/L远远大于1。根据他在这二篇文章里的报导,这种二极管有下列显著特点:     

《半导体三极管的放大原理》教学探讨

本文通过对教材的分析，探讨了半导体三极管放大原理的教学过程和方法。     

脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析

金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素.为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40, 90以及180 nm 3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件及其对NMOS晶体管工作状态的影响.结果表明:1)脉冲γ射线在辐射瞬时诱发NMOS晶体管内部阱电势抬升是导致纵向寄生三极管开启的主要原因; 2)当纵向寄生三极管导通时, NMOS晶体管内部会产生强烈的二次光电流影响晶体管的工作状态; 3) NMOS晶体管内部纵向寄生三极管的电流增益随工艺节点的减小而减小.研究结果可为电子器件的瞬时电离辐射效应机理研究提供理论依据.     

有机场效应晶体管材料及器件研究进展

有机场效应晶体管(organic field—effect transistor，OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进，使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一．文章慨述了有机场效应晶体管的材料研究、器件制备技术以及有机场效应晶体管在各领域中应用的最新进展．     

晶体管教学设计

职业学校要以提高学生综合素质为目标,以专业需求为依据来构建物理教学的新框架,充分发挥物理课为专业课服务的职能．高职生易接受直观事物,对实验感兴趣,动手能力较强．因此,将晶体二、三极管教学内容设计成不上理论课直接用实验去探究,课堂上学生主动性、积极性高,能独立完成学习目标,增强了学生的实践能力、创新能力、学习能力．     

开发塑料晶体管

塑料晶体管的结构类似于传统的硅晶体管的三明治结构,在衬底和栅格之上是绝缘层和塑料半导体层。IBM沃森研究中心的研究人员用钛酸锆氧钡取代原有塑料晶体管中的二氧化     

磁性纳米电机单电子晶体管的自旋输运特性

文章作者在研究磁性隧道结的自旋输运中引入量子点的机械振动自由度,将单电子隧穿和振动自由度耦合所导致的shuttle输运理论应用到自旋电子学中,研究结果表明,shuttle输运对自旋极化输运有很大的影响,其独特的输运性质可以用来设计自旋电子器件,文章在理论上提出具有巨磁效应的自旋阀、高性能的半导体自旋注入器以及电流的整流器.     

碳纳米管晶体管研制成功

我们所使用的每一台电脑,至少包含有数十亿只（由半导体硅制成的）晶体管.它们在计算机中接受软件的指挥,或开启或关闭,共同协调完成一部部电子表演的音乐舞蹈.过去的几十年,半导体科技人员的努力已经将硅晶体管的尺寸从几十微米减少到20—30nm,令世人享受到计算机的小型化以及功能的多样化.然而,硅晶体管尺寸的进一步缩小遭遇到挑战.近十年来,人们把硅晶体管的替代物设定为由碳纳米管制成的晶体管,然而研制碳纳米管晶体管的工作成效甚微．     

高精度单激光脉冲选择器及同步触发系统

 通过选择高速、高性能的ECL电路和采取多个半导体雪崩三极管的串并联及整形锐化等措施, 与两个并联的普克尔盒组成高精度电光开关,准确地从钛宝石自锁模激光器输出的82MHz飞秒激光脉冲序列中选出了单个脉冲。     

晶体管升压器和它的应用

晶体管升压器可以作为一种小功率直流高压电源(输出电压约350伏特,电流最大几百微安。),供中学物理教学演示实验使用。这种电源与电子管整流器或半导体整流器比较起来,不仅具有经济、轻便和安全的特点,同时还解决了在没有交流市电的地区难以获得直流高压的困难。兹将晶体管升压器的制作方法介绍在下面,并说明它在几种演示实验里的应用。     

形变碳纳米管场效应晶体管的电学性质

在紧束缚理论的基础上,推导出轴向拉伸和扭转形变时碳纳米管（CNT）的能带公式.结果显示拉伸和扭转形变都可以改变CNT的导电性质,在金属型和半导体型之间转变,特别是对于锯齿型CNT,根据n 与3的余数关系,在拉伸和扭转中分别显示出三种不同的变化规律.进一步应用场效应晶体管Natori理论模拟计算形变对CNT场效应晶体管的电流-电压特性的影响,锯齿型CNT根据n 与3的余数关系表现出不同的电流变化趋势,而对于扶手椅型CNT轴向拉伸不改变电流;在扭转形变时,CNT电流急剧升高,特别是扶手椅型CNT.锯齿型CNT和扶手椅型CNT的电流随扭转角度和外电压行为明显不同.在某些特定的扭转角度,电流随扭转角度变化非常显著,显示出锯齿型CNT和扶手椅型CNT发生半导体型与金属型之间的转变. 关键词： 碳纳米管 紧束缚理论 费米能级 能带结构     

关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题

半导体三极管在饱和区工作时,其等效电路可以用一个三极管及一个由集电极及基极构成的二极管联成的电路表示出来,其中三极管在有源区工作,而二极管在正向偏压下工作。这样的等效电路具有比较明显的物理意义。利用这个电路来求漂移管在一个共基极电路中脉冲工作下的储存时间。解出非平衡少数载流子的连续性方程,求出二极管p-n结附近非平衡少数载流子密度的稳定态分量及暂态分量,从而得到决定储存时间的方程。计算结果表明,储存时间与基极区域及集电极区域中非平衡载流子的寿命及表面复合速度有关。减少寿命及增加表面复合速度就可以减少储存时间。