一种实用化的互补双极工艺技术

在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管,并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速运算放大器芯片中。     

一种能与CMOS兼容的高频横向双极晶体管

本文介绍了一种能方便地实现与CMOS器件兼容的高频横向双极晶体管。与常规纵向双极晶体管相比,它能使BiCMOS技术具有更低的成本。器件性能也与常规高频纵向双极晶体管相仿。采用这种横向双极晶体管的BiCMOS门电路也与采用常规纵向双极晶体管具有同样优良的性能。     

高频CB工艺与硅超高速集成运放

本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计，版图设计和工艺研究情况。     

一种转换速率为2000V/μs的超高速运算放大器

介绍了一种超高速运算放大器,其转换速率为2000 V/μs、建立时间为25ns(精确到0.1% )。重点叙述了其电路结构、工作原理以及PN结隔离互补双极工艺(CBiP)技术。采用CBiP技术实现了纵向NPN、纵向PNP晶体管的兼容。并用Ca-dence SPICE对该电路进行了模拟分析,模拟结果显示SR2500 V/μs。对研制的样品进行了测试分析,其SR2000 V/μs,达到了电路的设计要求     

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律；研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理；并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同６０Ｃｏγ和电子辐照损伤的差异进行了探讨．结果表明，界面态的产生是６０Ｃｏγ和电子辐照损伤的主要原因，而位移效应造成的体损伤在质子辐照效应中占有重要地位．     

高速单片集成运算放大器

本文列出了最新高速单片运算放大器典型样品的电性能参数。利用新型的工艺和电流反馈的设计方法,制造出了低成本和高性能的单片集成运算放大器。描述了低压工艺、高压工艺和互补工艺等对单片集成运算放大器性能的影响。对电流反馈设计技术的优点和缺点进行了比较,并指出了在集成运放应用中应注意的问题。     

双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究

对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。     

与Si 工艺兼容的Si/ SiGe/ Si HBT 研究

我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面结构Si/SiGe/Si HBT和低噪声Si/SiGe/Si HBT,为进一步高指标的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

超导／半导兼容技术的理论研究

超导器件和电路因其具有超高速度、超低功耗、超低噪声和超高可靠性等卓越性能而受到越来越多的关注。     

GaAs/Si兼容技术的讨论

<正> 一、引言 关于在未来的微电子技术中是Si材料还是GaAs材料占主要地位,80年代初人们就展开了争论。但没有最后结果,却诞生了新的技术:GaAs/Si兼容技术。这一技术从开始研究至今,不过五年时间,但已成为微电子领域最受重视的方向之一。     

半加成法工艺研究

半加成法适合生产（10 m/10 m）^{50 m/50 m}之间的精细线宽线距,目前主要有两种工艺:改良型半加成法和半加成法。本文主要探讨上述两种工艺实现方法,分析其关键工艺及业界前瞻性技术,最后对两种工艺进行对比。     

CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件.探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16～18 kΩ.释放后的器件特性响应率13～15 V/W,探测率(1.85～2.15)×107 cmHz1/2/W,时间常数20～25ms.     

CMOS与BIPOLAR IC兼容工艺的研究

本文介绍n阱CMOS与BIPOlAR集成电路兼容工艺。在CMOS集成电路工艺的基础上增加一次双极晶体管的基区注入,CMOS特性不改变。     

铝基印制电路板制造工艺研究

此文对一种进口铝基印制电路板的制造工艺流程进行了介绍,对所采用的制造工艺技术进行了较为详细的论述。     

一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。     

应用于刚挠印制板无铅工艺兼容的不流动性半固化片

当今电子产品的功能不断增加，随之而来的是对电子产品设计多样化的要求。正是由于这种需求，刚挠结合板以其巨大的技术进步和不断增加的需求而获得关注。这其中的不流动性半固化片是将刚性板与挠性板结合在一起的关键材料，它的主要功能是在刚性材料和挠性材料之间形成可靠性的粘接层，所以对该材料界面性质和功能进行研究。对于不流动性半固化片的应用来说是至关重要的。现在，一种新的基于酚醛固化树脂体系的不流动性半固化片已经被开发出来，这种新型材料显示了优异的耐热性和可靠性。经过热性能分析和热冲击测试，这种新型材料的性能比传统的DICY固化环氧树脂体系材料更加优越。     

Clocked Dosimeter Compatible with Digital CMOS Technology

We present two versions of a radiation dosimeter, they are CMOS circuits built around a PMOSFET radiation sensor, compatible with standard technology. These dosimeters are intended to be used as built-in sensors in integrated circuits to signal misfunction danger due to radiation exposure, and so they have a binary output which changes its state when the total radiation dose exceeds a prefixed level. The first circuit is an improved version of a previously developed dosimeter which has less power consumption and sharper transfer characteristics. It has been built in ES2 1.0 µm technology and we present experimental results. The second circuit is under development, it is a clocked dosimeter which samples the dose only during a very short time at each clock period and then remains at rest, to further reduce the power consumption.