小型高可靠石英晶体振荡器的研制

本文介绍了30MHz小型石英晶体振荡器使用表面贴装技术把集成电路、印制电路板与石英晶体混合组成晶体振荡器,采用了新工艺,新材料,先进的晶体制造技术,电路设计新颖,加工方便,利用二次封装技术,实现了具有超宽温度,小体积,重量轻,频率稳定,功耗低,可靠性高等优点。     

一种超小型抗振恒温晶振的研制

晶体振荡器是振动敏感器件,通常在振动条件下晶振的相位噪声会恶化。该文分析了抗振恒温晶振(OCXO)的设计方法及影响因素,阐述了振动对晶振相位噪声的影响,并采用微型减振器及低加速度灵敏度晶体谐振器设计了100 MHz超小型抗振恒温晶振。该文研制的100 MHz超小型抗振恒温晶振体积仅为25.4 mm×25.4 mm×15 mm,振动条件下相噪指标最优达到-147 dBc/Hz@1 kHz,达到了预期的研制目标。     

集成电路型石英晶体振荡器

在所有的数控设备中,都需要一个频率固定、幅值稳定、波形纯洁的振荡器作为整个设备或是设备中关键部分的脉冲源,进而获得各种控制脉冲的信号,使整个设备能按控制程序正常运转。因此一个优质的振荡器是数控设备中关键部件之一。集成电路型石英晶体振荡器RGDV18-1采用TTL与非门制成振荡器,然后由多个分频器将振荡器输出的方波脉冲进行分频,组成一个精度高、频率稳定的脉冲源。它无需外接任何元件就能稳定和正常地工作。图1为RGDV18-1电原理图。这是一个由二级门电路线性化放大器组成的正反馈晶体振荡电路。门M_1、电阻R和正反馈电路的内阻构成一个门电路线性化放大器。门M_2单独作为另一个放大器,门M_3起隔离及整形作用,同时也是输出脉冲的控制门。电阻R将两个放大器的静态工作点同时偏置在位置相同的与非门转换区,使得电路产生振荡,其振荡频率由石英晶     

石英晶体振荡器频率稳定度的基本极限

本文评论精密体声波石英晶体振荡器的频率不稳定性，研究频率稳定性能够达到的极限和目前接近频率稳定度极限的程度，石英晶体振荡不稳定性因素有时间，温度，加速度，离子辐射，电磁场，湿度，大气压力，电源和负载阻抗，大多数基本极限是零或小至可以忽略，只有几种是有限的。本文预测了未来能够达到的向极限靠近的进展，提出能够极大地改进石英晶体振荡器频率稳定度的方法。     

微小型恒温晶体振荡器

本文介绍体积为20×12×5(mm)和16×16×5.5(mm)两种结构的微小型恒温晶体振荡器的设计制造、工艺以及为微型化而对晶体谐振器进行专门的设计安装。详细介绍了对主振电路、射随级和加热及控温电路采用混合集成和表面安装技术而实现了微型化。对已提供给航空、航天电子工程使用的,频率从100kHz到80MHz范围部分产品进行的全面技术指标测试结果进行了分析。还对多信号输出晶体振荡器的工作原理作了简单介绍。     

用于遥测系统中的晶体调频振荡电路分析

本文主要分析遥测发射机中的晶体调频振荡电路,并导出晶体调频网络的参数与频率之间的关系式.最后,给出晶体调频振荡电路的实验结果和实际应用.     

磷化铟晶体生长技术的现状及其发展趋势

介绍了近几年磷化铟合成及其单晶生长的进展情况。对提高晶体成晶率、降低缺陷密度、改善晶体的热稳定性等新工艺、新技术进行了分析比较，并论述了磷化铟单晶生长技术的发展趋势及其应用前景。     

吖啶酮衍生物粉末微晶的二次谐波测量

建立了有机物粉末二次谐波(SHG)的测量系统。测定了N-烃基口丫啶酮衍生物粉末的SHG,并以溶剂变色法测定了一些口丫啶酮衍生物的分子超极化率与分子基态偶极矩的复合量(βCTμg).从分子结构特征与分子折射率等方面对其所表现出的非线性光学性质进行了分析。具有“Λ”型多极结构、分子间氢键、支化烷基和甲基的口丫啶酮衍生物,粉末SHG较强;βCTμg与SHG相对强度近似线性关系;分子折射率与SHG不满足Kurtz-Pery关系。     

铁磁性微晶玻璃热种子材料的研制

采用基础玻璃熔融析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料,其中基础玻璃的组成以Fe2O3-CaO-SiO2为主体并添加少量B2O3和P2O5。借DTA,XRD分析确定了合理的热处理制度,制备了以Fe3O4为主晶相的微晶玻璃,并对其磁性能及生物活性进行了试验。结果表明:所得的微晶玻璃材料单位质量的磁化强度达到22.6A·m–1·g–1,且能生成羟基磷灰石,故材料具有生物活性。     

Injection locking of oscillators

An oscillator can be locked in frequency by an external signal which is injected into the oscillator. In the oscillator model developed by Adler [1], the mechanism of the locking process depends upon the following. 1) The initial frequency difference between the oscillator and external signals. 2) The relative amplitude between the injected and the oscillator signals. 3) The circuit parameters. There are cases when the time required for locking must be known, particularly when an oscillator is being locked to a pulsed signal. In this paper, the work of Adler is extended to develop an equation which is useful for higher levels of locking signal, a case often encountered when an oscillator is being injection locked by a pulsed signal. Because the solution of this equation is unwieldy and difficult to understand intuitively, except in very special cases, curves describing the locking mechanism were obtained using a digital computer. These curves enable a designer to construct oscillators which will provide a desired performance. The curves were checked experimentally and showed a close agreement between predicted and measured results. The experimental data indicates that the theory describes the locking time remarkably well even at high levels of locking signal.     

Varactor-tuning of multiple-device oscillators

The possibility of varactor-tuning a multiple-device oscillator is analysed. It is found that the tuning characteristics depend on the number of varactor diodes used and their coupling with the summing resonator.     

热处理时间对铁磁性微晶玻璃磁性能的影响

以Fe2O3-CaO-SiO2-B2O3-P2O5系统为基础,采用基础玻璃析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料。通过XRD,确定了热处理样品中的主晶相为磁铁矿、硅灰石和赤铁矿;采用振动样品磁强计(VSM),测试样品室温下的磁性能;通过SEM,观察样品中晶体的形貌。研究了热处理时间对其磁性能的影响。结果表明:合理的热处理时间为2h,制得的铁磁性微晶玻璃的比饱和磁矩为26.2A·m2·kg–1。     

有源—R多相振荡器

本文介绍了一种多相有源—R振荡器电路,这个振荡电路能产生m个振幅相等、相位错开等间隔的信号.本电路对于每一相,使用一个运算放大器.本文还给出了实验结果.