用椭偏法分析单波段及双波段兼容a－C：H增透膜

讨论了在单晶锗上为获得单波段（３～５μｍ）及双波段（３～５μｍ、８～１２μｍ）兼容ａ－Ｃ：Ｈ增透膜所必需的膜系设计，及用椭偏法对该膜进行的增透结果分析。结果表明，ａ－Ｃ：Ｈ膜是理想的红外增透膜。椭偏法对分析所制备的膜是否符合膜系设计要求及沉积工艺参数的确定具有重要意义。     

用椭偏法分析单波段及双波段兼容a—C：H增透膜

讨论了在单昌锗上为获得单波段（３－５μｍ）及双波段（３－５μｍ，８－１２μｍ）兼容ａ－Ｃ：Ｈ增透膜所必需的膜系设计，及用椭偏法对该膜进行的增透结果分析。结果表明，ａ－Ｃ：Ｈ膜是理想的红外增透膜。椭偏法对分析所制备的膜是否符合膜系设计要求及沉积工艺参数的确定具有重要意义。     

溶胶—凝胶法制备CH3SiO3／2—SiO2孤立膜

采用溶胶凝胶法,以２０％正硅酸乙酯／８０％甲基三乙氧基硅烷为先驱体,通过控制溶胶过程及选择合适的成膜参数,并以一种疏不性膜为可分离载体,制备得到了大尺寸的,厚度可达５０￣１０００μｍ的无支撑孤立膜。研究了制膜过程中正硅酸乙酯对抑制结晶沉淀及成膜行为的影响。采用ＡＦＭ观察了膜的表面形貌,采用ＸＲＤ对结晶沉淀进行了结构分析。     

高性能DF化学激光三色分束器

本文表述ＤＦ高能激光应用光学系统中作为共孔径分光元件而研制的三色分束器的光学性能，讨论了满足分光性能光学元件基片，镀膜材料选取，多层膜设计与制备技术，元件性能测试结果。得到在ＺｎＳｅ基片背面未镀膜情况下三色分光膜性能：３．８μｍ波长带反射率大于９９．６％，８～１４μｍ红外波段透过率大于７５％，可见光区０．６４～０．９２μｍ透过率大于５０％，膜层通过了稳定性检验。     

高性能DF化学激光三色分束器

本文表述ＤＦ高能激光应用光学系统中作为共孔径分光元件而研制的三色分束器的光学性能，讨论了满足分光性能光学元件基片，镀膜材料选取，多层膜设计与制备技术，元件性能测试结果。得到在ＺｎＳｅ基片背面未镀膜情况下三色分光膜性能：３．８μｍ波长带反射率大于９９．６％，８～１４μｍ红外波段透过率大于７５％，可见光区０．６４～０．９２μｍ透过率大于５０％，膜层通过了稳定性检验。     

PE－LiTaO_3波导中的切伦科夫培频

对用质子交换法生长的ＬｉＴａＯ３（ＰＥ－ＬｉＴａＯ３）波导特性进行了研究，并利用该种波导实现了由１．０６μｍ到０．５３μｍ的切伦科夫倍频转换（ＣＳＨＧ），转换效率为１２２％／Ｗ·ｃｍ２．倍频光束质量好，垂直波导面方向的发散角度为１．３ｍｒａｄ，平行波导面方向的发散角度为３．３ｍｒａｄ．     

氟化物玻璃中Tm^3＋离子敏化Ho^3＋离子的红外发光性质

研究了氟化物玻璃中Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子的红外吸收光谱性质，用钛宝石激光器作为激发源，研究了Ｔｍ＾３＋离子的交叉弛豫过程和Ｔｍ＾３＋敏化Ｈｏ＾３＋２μｍ的红外发射光谱。研究结果表明，只有发Ｔｍ＾３＋离子浓度较高（～２ｗｔ％）时，才能发生较强的交叉弛豫进行，随Ｍｏ＾３＋离子浓度的增加，２μｍ的发光强度增大，当激发光波长为８１３ｎｍ时，２μｍ的发光强度最大。     

堆泵浦^3He—Ar—Xe激光实验的放大管研制

介绍了堆泵浦￣３Ｈｅ－Ａｒ－ｘｅ激光实验中放大管的设计及混合气的组成。经聚乙烯慢化体慢化后的ＣＦＥＲ－Ｈ脉冲堆的热中子注量率为６×１０～（１４）ｎ／ｃｍ￣２·ｓ，根据慢化体结构设计了内充气体组份为￣３Ｈｅ：Ａｒ：Ｘｅ＝３４．７：３４．７：０．２６７，６ｏｏｍｍ×Φ３４ｍｍ的放大管，在约１．４×１０￣（１６）裂变每脉冲下进行￣３Ｈｅ－Ａｒ－Ｘｅ（λ＝１．７３μｍ）激光激射实验，获得毫瓦级功率输出。     

堆泵浦~3He－Ar－Xe激光实验的放大管研制

介绍了堆泵浦￣３Ｈｅ－Ａｒ－ｘｅ激光实验中放大管的设计及混合气的组成。经聚乙烯慢化体慢化后的ＣＦＥＲ－Ｈ脉冲堆的热中子注量率为６×１０～（１４）ｎ／ｃｍ￣２·ｓ，根据慢化体结构设计了内充气体组份为￣３Ｈｅ：Ａｒ：Ｘｅ＝３４．７：３４．７：０．２６７，６ｏｏｍｍ×Φ３４ｍｍ的放大管，在约１．４×１０￣（１６）裂变每脉冲下进行￣３Ｈｅ－Ａｒ－Ｘｅ（λ＝１．７３μｍ）激光激射实验，获得毫瓦级功率输出。     

单模光纤中Raman光放大

本文报道在单模光纤中，背向受激拉曼散射（ＢＳＲＳ）对通信光的光放大研究。所用泵浦源为声光０开关Ｎｄ￣（＋３）：ＹＡＧ激光器，工作波长１．０６４μｍ。信号源为ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器，工作波长１．３０μｍ。在１．３０μｍ处实现了Ｒａｍａｎ光放大，增益达１９．４ｄＢ以上，增益系数为２．３×１０￣（－１２）ｃｍ／ｗ。     

ZnS衬底上GeC/GaP增透保护膜系的制备及红外光学性质

把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8~11.5μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜;用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH4的混合气体中,以单晶Ge圆片为靶制备了GeC薄膜。分别用柯西(Cauchy)公式和乌尔巴赫(Urbach)公式表示折射率和吸收系数,对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合,得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP膜的折射率与块体材料的相近,在波长10μm处约为2.9;GeC膜的折射率较小,在波长10μm处约为1.78。用所得到的薄膜折射率,通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并制备出了GeC/GaP双层增透保护膜系,当GaP膜厚较大时,由于吸收增大膜系增透效果较差;当GaP膜厚较小时,膜系有较好的增透效果。     

采用HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜制备衍射光栅

采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采用X射线作曝光光源通过掩模进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8 μm、周期为1 μm的衍射光栅.     

铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究

本文叙述了使用溶胶凝胶法在MgO(0 0 1)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程 ,膜层厚度可达 5 μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、扫描、拉曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能 ,实验发现 ,铌酸锶钡薄膜具有了较好的 (0 0 1)方向的优先取向性能 ,并且随着薄膜厚度的增加 ,其晶体取向性也会随之不断改进。熔石英的透明衬底上生长的SBN薄膜具有较大的电致双折射效应 ,其有效电光系数能够高达 6 6 2× 10 -11m/V。     

ZnO／AlN／Si（111）薄膜的外延生长和性能研究

用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温Al N缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及Al N(000l)的衍射峰。ZnO/Al N/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460″和1105″;干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20cm-1;3μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5nm;激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h。低温10K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入Al N为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量。     

Control Al/Mg intermetallic compound formation during ultrasonic-assisted soldering Mg to Al

To prevent the formation of Al/Mg intermetallic compounds (IMCs) of Al₃Mg₂ and Al₁₂Mg₁₇, dissimilar Al/Mg were ultrasonic-assisted soldered using Sn-based filler metals. A new IMC of Mg₂Sn formed in the soldered joints during this process and it was prone to crack at large thickness. The thickness of Mg₂Sn was reduced to 22 μm at 285 °C when using Sn-3Cu as the filler metal. Cracks were still observed inside the blocky Mg₂Sn. The thickness of Mg₂Sn was significantly reduced when using Sn-9Zn as the filler metal. A 17 μm Mg₂Sn layer without crack was obtained at a temperature of 200 °C, ultrasonic power of Mode I, and ultrasonic time of 2 s. The shear strengths of the joints using Sn-9Zn was much higher than those using Sn-3Cu because of the thinner Mg₂Sn layer in the former joints. Sn whiskers were prevented by using Sn-9Zn. A cavitation model during ultrasonic assisted soldering was proposed.     

Thickness optimization of Mo films for Cu（InGa）Se2 solar cell applications

Mo thin films are deposited on soda lime glass (SLG) substrates using DC magnetron sputtering. The Mo film thicknesses are varied from 0.08 μm to 1.5 μm to gain a better understanding of the growth process of the film. The residual stresses and the structural properties of these films are investigated, with attention paid particularly to the film thickness dependence of these properties. Residual stress decreases and yields a typical tensile-to-compressive stress transition with the increase of film thickness at the first stages of film growth. The stress tends to be stable with the further increase of film thickness. Using the Mo film with an optimum thickness of 1 μm as the back contact, the Cu(InGa)Se2 solar cell can reach a conversion efficiency of 13.15%.     

具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al₂O₃栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(L_g)为2 μm,栅宽(W_g)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(L_gs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(L_gd)之间的距离为10 μm。在栅压为－20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为－20~+12 V。在栅压V_gs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (W_g=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm²。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×10⁸。当V_ds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (W_g=0.9 mm,V_gs=+10 V)。在V_gs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。     

ZnO薄膜肖特基二极管的研制

采用直流反应磁控溅射的方法,在Al/Si(100)衬底上沉积了ZnO晶体薄膜.利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极,制作了ZnO薄膜肖特基二极管.X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向.原子力显微分析表明:样品表面光洁平整,晶粒尺寸约100nm,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为0.4μm,载流子浓度为1.8×1015 cm-3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型.室温下的I-V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性.Pt与n型ZnO接触的势垒高度为0.54eV.文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善.     

光谱学研究硅烷钒锆复合钝化膜的结构和成膜机理

在热镀锌钢板表面制备了硅烷钒锆复合钝化膜。用X射线光电子能谱(XPS)、射频辉光放电发射光谱(rf-GD-OES)和傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)表征了钝化膜的组成结构,分析了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。结果表明：硅烷之间互联构成了硅烷钒锆复合钝化膜的主成膜成分,无机缓蚀剂均匀分布在膜层中。钝化膜表面Si2p的XPS窄幅扫描谱100.7 eV处的拟合峰和红外光谱在波数1 100 cm-1 Si—O吸收峰变宽加强,表明硅烷以Si—O—Zn键的形式化学吸附在锌的表面,硅烷分子之间通过Si—O—Si键相互交联;红外光谱中1 650和1 560 cm-1的两个酰胺特征峰,结合910 cm-1的环氧特征峰的消失,表明γ-GPT的环氧基团在氨基活性氢的诱导下开环和γ-APT的氨基之间发生聚合反应形成交联的空间网状结构;rf-GD-OES分析发现钝化膜0.3 μm处存在一层富氧层,钝化反应生成的ZrF₄,ZrO₂和钒盐等无机物均匀分布在钝化膜中。分析膜层组成结构和成膜前后的ATR-FTIR光谱,研究了成膜过程中发生的物理过程和化学变化,提出了硅烷钒锆复合钝化膜的成膜机理。