不对称二层及三层三明治金属卟啉,酞菁配合物的研究进展

论述了９０年代以来不对称三明治金属（主要是稀土）卟啉、酞菁配合物化学研究的最新进展，并根据其三维共轭电子结构性质、阐述了其作为新型光电热磁力功能材料的巨大潜在应用价值。     

对称的二层及三层三明治型金属酞菁配合物的研究进展

本文论述了三十年代以来三明治型的二层和三层金属（稀土金属Ｓｃ，Ｙ，Ｌｎ、锕系金属Ｔｈ，Ｕ，Ｐａ，Ｎｐ，Ａｍ、前过渡金属Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、主族金属Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉ）酞菁（Ｐｃ）配合物化学研究的进展，并根据其三维共轭电子结构性质阐述了其作为新型分子电导、电致变色、气体传感、非线性光学材料和液晶等功能材料的巨大的潜在应用价值。     

基于乙硫基取代的三层酞菁铕二聚体修饰ITO电极构筑电化学多巴胺和尿酸传感器

通过在水平和垂直两个方向上来扩展酞菁配合物的共轭结构, 合成了三明治三层酞菁铕二聚体配合物[Pc(SC₂H₅)₈]₂Eu₂[BiPc(SC₂H₅)₁₂]Eu₂[Pc(SC₂H₅)₈]₂, 使用Quasi-Langmuir-Sh?fer(QLS)方法将配合物薄膜修饰在氧化铟锡导电玻璃(ITO)电极表面, 利用多种谱学手段对配合物分子在薄膜内的排列进行表征, 发现分子采取J聚集模式Edge-on排列在ITO电极表面, 该薄膜具有良好的半导体性质, 导电率高达8.86×10^-5 S/cm. 将配合物薄膜修饰的ITO电极成功应用于多巴胺(DA)和尿酸(UA)的电化学灵敏检测, 最低检测限分别达到1.35和1.64 μmol/L, 灵敏度分别达到110和186.5 mA·μL·mol^-1 ·cm^-2.     

三明治型金属卟啉、酞菁配合物分子材料

本文论述了３０年代以来三明治型（二层和三层）金属（稀土金属（Ｓｃ，Ｙ，Ｌｎ）、锕系金属（Ｔｈ，Ｐａ，Ｕ，Ｎｐ，Ａｍ）、早期过渡金属（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、主族金属（Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉ））的卟啉、酞菁配合物化学的研究情况，并根据其三维共轭电子结构性质揭示了其作为新型电、磁和光学分子材料的巨大的潜在应用价值和近年来作为分子导体、分子磁体、分子元器件研究方面取得的巨大进展。     

三明治型金属卟啉、酞菁配合物功能材料

本文简要论述了三明治型（二层和三层）金属［稀土金属（Ｓｃ，Ｙ，Ｌｎ）、锕系金属（Ｔｈ，Ｐａ，Ｕ，Ｎｐ，Ａｍ）、早期过渡金属（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、主族金属（Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉ）］的卟啉、酞菁配合物在气体传感、电致变色显示和非线性光学材料等方面的研究情况，并对其发展前景进行了展望。     

酞菁化合物LB单分子膜的SERRS

酞菁类化合物具有优良的光电特性,选择适当的取代侧链可得到稳定的LB成膜材料,可望在微电子器件等方面获得重要的应用.本工作观测了四-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(CuPc(Dt-PP)_4)在银岛膜上的LB单分子层的表面增强共振拉曼散射(SERRS)光谱。比较其固体粉末的共振拉曼散射(RRS)光谱,讨论了酞菁铜分子大环在载片表面的取向及其可能的原因。1 实验CuPc(Dt-PP)_4样品由陈文启等合成,经元素分析、IR、NMR、色谱等研究确认其结构如图1所示.银岛膜用真空蒸镀法制备在玻璃载片上。用同时蒸镀在铜网上的银膜的透射电     

酞菁铜衍生物LB膜的结构研究

酞菁铜衍生物作为LB膜材料具有良好的热稳定性,与衬底的附着力强,有丰富的光电特性,并对NH_3有较高的气敏特性,本文应用透射电子显微镜研究了2种新型酞菁铜衍生物LB膜成膜过程的结构变化。     

新型两亲性酞菁锌LB膜的研究

本文合成了一种新型的两亲性酞菁分子,研究了它在不同溶剂中的聚集行为,考察了酞菁及酞菁与正十六烷混合的成膜性能,制备了混合的多层LB膜,并利用紫外光谱研究LB膜内的分子聚集状况,用分子激子理论对实验结果加以分析,还应用偏振紫外的方法对LB膜内酞菁分子大环的取向进行了确定。     

取代自由酞菁及二层和三层三明治型配合物的红外光谱

钕配合物;取代自由酞菁及二层和三层三明治型配合物的红外光谱     

酞菁LB膜气敏性的研究进展

综述了酞菁类化合物ＬＢ膜的导电性、气敏性、气敏的检测，以及气敏机理和动力学机制。     

三异丙氧基混合稀土掺杂改性聚苯乙烯的研究

用廉价的三异丙氧基混合稀土杂改性聚苯乙烯，利用红外光谱，紫外与可见光吸收光谱，荧光光谱，X射线光电子能谱，扫描电镜等手段对其表下，并测定其冲击强度。证明了改性聚苯乙烯中存在着稀土金属离子与苯环的配位作用；改性聚苯乙烯的荧光强度比纯聚苯乙烯的高，其中以稀土含量为1．0％时其荧光强度最高，同时改性后聚苯乙烯抗冲性能显著提高，表明三异丙氧基混合稀土对聚苯乙烯有较好的增韧作用。     

稀土高分子荧光材料的研究

综述了稀土高分子荧光材料的研究基础,比较了不同方法合成的稀土高分子发光材料的结构与性能,介绍了当前该领域的研究进展。     

高效毛细管电泳测定混合氯化稀土中的稀土元素

研究了在以含有紫外吸收的咪唑为背影电解质和以α－羟基异丁酸为络合剂的缓冲液体系中，用毛细管电泳间接外法检测和然土离子的方法，讨论了各操作条件对稀土离子分离泊影响。     

羧酸稀土配合物共聚反应的研究

通过沉淀法和直接法制备羧酸稀土配合物，与丙烯酸等单体共聚反应制备不同稀土含量的稀土有机高分子离聚物。用微量热天平(TG)、差热分析仪(DTA)等分析它的热稳定性以及玻璃化转变温度，用红外光谱分析其结构。讨论了用不同方法合成的稀土配合物对共聚反应和聚合物性能的影响。结果显示直接合成羧酸稀土配合物有利于共聚物性能的稳定和稀土含量的调节。     

苯基稀土钆配合物的成键性质研究

苯基稀土钆配合物具有Ln-Cσ键,由于这类配合物不稳定且分离困难,故其研究工作开展得很少~[1,2],其电子结构的研究尚未见报道.最近,我们合成了新型的苯基稀土配合物C_6H_5LnCl_2·nTHF(Ln=Pr、Sm、Gd,n=3,4)并测定了其晶体结构~[3],本文报道了苯基稀土钆配合物的电子结构和成键性质,并与中性苯稀土配合物的成键性质~[4]进行了比较.     

用三异辛氧基混合稀土改性聚苯乙烯的研究

通过原位本体聚合制备三异辛氧基混合稀土改性的聚苯乙烯，采用FT－IR，UV，FS和DMTA等手段研究三异辛氧基混合稀土对PS性能的影响，并测定其冲击强度。结果表明，改性PS的荧光强度随稀土含量的增加而提高；DMTA表明改性PS的玻璃化温度比纯PS的低，同时改性PS在低温－85度左右有一个较大的β转变峰，冲击强度亦有明显提高，说明改性PS具有较好的低温抗冲击性能。     

稀土配合物有机电致发光器件中电致激基复合物发光性质的研究

以稀土配合物Tb0.5 Eu0.5（thienyhrifluroacetone）3-2，2-biphenyl（简称Tb0.5 Eu0.5（TTA）3Dipy）作为发光层，制备了结构为ITO／PVK：Tb0.5 Eu0.5（TTA）3Dipy／BCP／Alq3/A1的OLED发光器件，在直流电压的驱动下，发现了铕在612nm处的特征发射和PVK在410nm处的发光。此外，还观察到了位于490nm处的新的发光峰。通过改变不同的器件结构，分析研究了新的发光峰的性质，认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物。     

钇磷钨三元杂多配合物的合成及其稀土多元渗与导电性的研究

合成了未见报道的标题配合物。通过化学分析、ICP和TG曲线确定了其化学式为K_8H_3[Y(PW_(11)O_(39))_2]·25H_2O;利用IR、UV、XRD、~(183)W-NMR、循环伏安等手段对其结构进行了表征,结果表明杂多阴离子为β_2型Keggin结构。采用稀土多元渗的方法对配合物进行了气相热扩渗,经ICP和XPS测试表明:微量的稀土元素La和Ce可以渗入到配合物的体相,并与组份元素存在键合作用。扩渗后化合物的化学式为K_8H_6YLa_(0.11)Ce_(0.18)P_2W_4~ⅤW_(18)~ⅥO_(78)·15H_2O,其晶体属单斜晶系,晶胞参数:a=6.3775nm,b=3.6771nm,c=3.7727nm,β=90.192°,V=88.47326nm~3;导电性的测试结果表明:室温时,扩渗后试样的电导率提高了约10~3倍,且热稳定范围变宽,523K时的电导率为1.33×10~(-2)S·cm~(-1),有望成为实用化的导电材料;~1H MAS NMR测试结果表明其存在三种质子,其导电机理可能是质子导电。     

一种新型稀土配合物Eu(TTA)2(N-HPA)Phen的发光特性研究

合成了一种新的含有3个配体的稀土配合物Eu（TTA）2（N-HPA）Phen（TTA-噻吩甲酰基三氟丙酮，N—HPA=N-苯基邻氨基苯甲酸，phen=邻菲咯啉）。将稀土配合物作为掺杂物与基质PVK按照不同质量比混合共溶，旋涂成膜。通过荧光光谱，分析了薄膜的发光特性，并将其应用于有机电致发光。研究了PVK和Eu（TTA）2（N—HPA）Phen之间的能量传递，并且制备了发光层为PVK：Eu（TTA）2（N—HPA）Phen，结构为ITO／PVK：Eu（TrA）2（N—HPA）Phen／BCP／Alq3／Al的多层器件，发现改变PVK和稀土配合物的掺杂比，可以不同程度地抑制PVK的发光，最终得到纯的Eu^3＋的红色发光。实验结果证明，在PVK：Eu（TTA）2（N—HPA）Phen=5：1的质量比下，从PVK到稀土配合物之间存在充分的能量传递。     

共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen电致发光的研究

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen，将其掺杂到导电聚合物PVK中，制成结构为ITO／PVK：RE配合物／PBD／Al的电致发光器件，与PVK：Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比，我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光，增强铕的发光，而Tb3 本身的发光很弱，几乎看不到，说明Pb3 在其中起到能量的中间传递作用，促进了PVK到Eu^3 的能量传递，本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。