三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰，采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法的检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

浓盐基体元素对ICP中待测元素谱线强度的影响

本文利用LB喇叭型气动雾化器、研究浓盐基体元素对钴,镍、锡、铬、钛、钒原子及离子谱线强度的影响。实验表明,某些基体元素浓度为20—30毫克/毫升时,对多数待测元素谱线强度影响不大。因而,此种雾化器为ICP-AES分析浓盐基体中杂质提供了好的途径。     

ICP-AES法测定高纯氧化铕中微量稀土和非稀土杂质时光谱干扰的消除及分析条件的优化

本文提出了ＩＣＰ－ＡＥＳ直接同时测定高纯氧化铕中１４个稀土和２０个非稀土杂质元素的分析方法。着重考察了铕基体对分析元素的基体效应，谱线干扰及背景影响等情况。用标准加入法测出氧化铕基准中的微量杂质元素，消除了由于忽略基准中的杂质元素的含量给分析测定带来的误差。同时对仪器的工作条件进行了优化。     

直流等离子体－中阶梯光栅直读光谱仪测定地质样品中微量锂

本文应用ＤＣＰ－ＡＥＳ法测定地质样品中微量锂。讨论了基体效应和阴离子效应、基体（Ｆｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ和Ｎａ）对Ｌｉ元素谱线产生不同程度的增强效应。在待测溶液中加入一定量的基体元素，能有效地降低或消除这种影响。基体元素产生的增强效应主要是阳离子的作用。还讨论了分析线的线性状况。方法简便可靠，Ｌｉ的测定范围为１～１５００μｇ／ｇ，相对标准偏差为３．１～６．３％。     

双铂网雾化和超声雾化进样系统对ICP-AES分析性能的影响

从元素检出限、基体效应、ICP稳健性及记忆效应方面实验研究了双铂网雾化与超声雾化两种进样方式对ICP-AES分析性能的影响。结果表明,在超声雾化进样条件下,Cu,Pb,Zn,Cr,Cd,Ni的检出限较双铂网雾化的检出限降低了6～23倍;在基体效应方面,超声雾化进样时基体对元素原子及离子谱线强度的影响均较双铂网雾化系统明显,元素谱线增强/减弱的幅度受元素谱线、基体组成和浓度的影响;Ca和Mg基体对谱线强度的影响强于K和Na基体;离子谱线受基体的影响明显强于原子谱线。超声雾化系统进样时ICP的稳健性要劣于双铂网雾化系统,而且超声雾化系统的记忆效应较双铂网雾化器严重。     

电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素

采用电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素。讨论了镉基体的谱线干扰,比较了镉基体产生的多原子离子的干扰程度,该干扰按ＣｄＨ、ＣｄＯ、ＣｄＯ２ 、ＣｄＡｒ、ＣｄＯＨ和ＣｄＯＨ２ 顺序递减。研究了不同浓度镉基体对分析物信号的抑制或增强效应,镉的浓度大于０．２５ｇ·Ｌ－ １ 时,对质量数小于１００的分析物的信号强度产生抑制,而对质量数大于１５０ 的分析物的信号强度产生增强,采用８９Ｙ和２０９ Ｂｉ作内标分别克服基体的抑制和增强效应。测定了高纯镉的Ａｓ、Ｂｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｔｈ、Ｖ 和Ｕ 等１６ 个杂质元素,方法的检测限０．００５～０．０５２ μｇ·Ｌ－ １ ,标准加入回收率８２％ ～１０８％ 。     

杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

 在氢气放电源打靶的实验中,测到了系列能量恒定不变的低能X射线新谱线,这些新谱线的能量分别为(1.70±0.10) keV, (2.25±0.07) keV,(2.56±0.08) keV,(3.25±0.10) keV和（3.62±0.11） keV,与Si,Ta,S,Cl,K和Ca等元素的特征X射线能量相近,但靶中所含的杂质或来自放电室的杂质元素可能会产生这些能量的X射线谱峰,证实新谱线是否由这些元素的特征X射线干扰所致显得尤为重要。分析了本实验系统中各种杂质的可能来源,论证了放电室端杂质对新谱线的影响,及靶材料中体杂质和面杂质对新谱线的影响;用X射线光电子能谱仪对靶做了表面分析。研究结果表明：杂质元素的特征X射线不会对氢气放电源打靶产生的新谱线有影响。这些新谱线的性质有待进一步的实验研究。     

微量稀土元素光谱分析的载体研究——钡化合物载体作用

用发射光谱分析高纯稀土氧化物,因直接光谱法的灵敏度较低,或者因基体稀土元素的谱线复杂,干扰严重,需要用化学方法分离基体元素,然后将稀土杂质富集物用碳粉吸附进行光谱分析。在用发射光谱分析植物中的微量稀土元素也往往预先经炭化处理。因此较系统     

后退火对InxGa1—xAs单层量子点光学性质的影响

研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体,当铟的摩尔分数（ｘ）不同时,后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３,０．３７,０．５０,１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和蓝移。对于ＧａＡｓ基体,在７００℃退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移与退火３０分钟相似;（仅当ｘ＝０．２３时,退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移小于３０分钟）。对于Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ基体,在７００℃退火３０分钟和９０分钟,其ＰＬ谱蓝移是不同的。     

热化学反应在矿物原料发射光谱分析上的应用

在原子发射光谱分析方法中,利用碳电极中所发生的热化学反应来降低分析检出限,是一个简便而有效的途径。这个方法的实质是:矿物原料中的被测元素与加入的热化学试剂,在室电极中,在高温电弧加热的条件下,发生异相化学反应。使杂质元素转变为易挥发的化合物。从而实现基体元素与杂质元素的有效分离。使电弧等离子体中痕量杂质元素的原子浓度相对于基体原子有很大的提高。因此,杂质元素谱线就大为增强,而由于基体元素所造成的光谱背景则大为减弱。因而使分析检出限得到极大的改善。碳电极中的热化学反应能否发生,以及反应进行的快慢程度,可根据热力学定律的计算,从反应前后的自由能变化来进行判断。我们从热力学的角度出发,同时考虑到反应动力学方面的因素,找到了适用于矿物原料中某些杂质元素的相适的热化学试剂和适宜的反应条件。并在实际分析中取得了满意的结果。     

电感耦合等离子体质谱法测定高钝镉中的杂质元素

采用电感耦合等离子体质谱光测定离纯镉中的杂质元素。讨论了镉基体的谱线干扰,比较了镉基体产生的多原子离子的干扰程度,该干扰按ＣｄＨ、ＣｄＯ、ＣｄＯ２、ＣｄＡｒ、ＣｄＯＨ和ＣｄＯＨ２顺序递减。研究了不同浓度镉基体对分析物信号的抑制或增强效应,镉的浓度大于０．２５ｇ·Ｌ＾－１时,对质量数小于１００的分析物的信号强度产生抑制,而以质量数大于１５０的分析的信号强度产生增强,采用＾８９Ｙ和＾２０９Ｂｉ作内标分     

原位能量色散X射线荧光分析中岩样基体效应及其修正研究

原位能量色散X射线荧光现场分析岩样矿物成分时,岩样基体效应会对测量结果产生影响。本文以Cu元素作为待测元素,研究了17种不同岩样基体对原位能量色散X射线荧光分析Cu元素特征X射线强度的影响及其修正方法。采用蒙特卡罗方法模拟获得了Cu元素含量相同的17种不同岩样测量谱线,综合各类岩石元素构成的相似性,并依据模拟谱线Cu元素Kα射线强度与谱线参数之间的相关性,反映了原位能量色散X射线荧光分析岩样Cu元素的基体效应并不完全受岩体元素构成或岩石分类的控制,需要依据岩石样分析谱线参数的相关性进行归类讨论。针对基体影响Cu元素特征射线强度相似的15种岩样进一步研究,并对Cu元素特征X射线与谱线主要参数的主成分进行分析,发现散射本底、X光管靶材料特征X射线及其非相干散射峰强度能够很好的描述Cu元素特征X射线强度受岩样基体影响的变化,据此可以对基体效应影响相似的岩体进行Cu元素测量结果修正。采用本文方法同样也能为不同岩性岩体其他待测元素基体效应的修正提供参考。     

ICP-AES法同时测定纯铁中八种杂质元素

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定纯铁中８种杂质元素：Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ的分析方法。研究了铁基体地被测元素光谱线的光谱干扰与物理干扰,采用背景扣除法与基体匹配法进行校正。被测元素的检出限为０．４－３．０μｇ／Ｌ,合成试样的回收率为９１－１１０％,杂持元素含量为０．０００３－０．０５％时,测量的相对标准偏差〈９％,方法简便、准确、结果满意。     

ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

碱金属元素对稀土激光微等离子体基体效应研究

本文以激光微区光谱分析仪结合CCD光栅光谱仪为分析系统,在减压氩气环境下,以EuⅡ420.505 nm、SmⅡ443.434 nm、DyⅡ400.048 nml、TmⅡ424.215 nm为分析线,研究了碱金属元素锂、钠、钾对稀土激光微等离子体的基体效应.结果表明:掺有碱金属元素的基体与空白基体相比,谱线强度都有明显的增强,其中钾元素的增强程度最大,得出钾元素是一种很好的光谱栽体;掺有碱金属元素的基体所对应的电子温度和电子密度与空白基体相比有明显的下降,认为分析谱线增强的主要机理为,碱金属元素的掺入降低了等离子体的电子温度,使其向谱线的标准温度靠近所致.     

铅黄铜合金中痕量元素定量分析的激光诱导击穿谱研究

实验上研究了最佳实验条件下铅黄铜合金中Ni，Fe两种杂质元素的LIBS分析谱线，在氦气、氩气、空气和真空等4种环境中，测定了Ni，Fe两种杂质元素分析中的LIBS定标曲线，定标曲线的拟合标准偏差在0.02—0.08范围内. 关键词： 激光诱导击穿谱 定标曲线 定量分析 铅黄铜合金     

ICP-AES法同时测定氯化锂和氢氧化锂中七种杂质元素

本文报导了用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定ＬｉＣｌ和ＬｉＯＨ·Ｈ２Ｏ中７种杂质元素Ａｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ的分析方法。研究了基体元素锂对被测元素的基体效应，采用基体匹配法与背景扣除法进行校正。被测元素的检出限为０．１－９．４ｎｇ／ｍＬ，加标试验回收率为９２％－１０９％，当杂质元素含量为０．０００１％－０．０２８％时，相对标准偏差小于７％。方法简便、快速、准确，用于样品分析，取得了满意的结果。     

ICP—AES中基体干扰效应及其机理研究 Ⅲ.有关干扰机理的探讨

本文对ＩＣＰ－ＡＥＳ中一些基体干扰现象的机理进行了讨论。指出ＩＣＰ低观察区域的增感效应是基体元素电离产生的离子和电子共同发挥作用的结果,基体对分析谱线的零干扰点主要与基体元素特性有关;Ａｌ元素在低观察区域对碱土金属元素的抑制效应仍是一种溶质挥发干扰。     

钢中化学元素的X－射线荧光光谱分析

本文叙述合金钢中１５种元素的Ｘ射线荧光光谱快速定量分析方法。用Ｘ４０软件中的ＰＨ模式进行共存元素间的谱线重叠和基体吸收－增强效应的校正。对于合金中的微量重元素如Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ和Ｎｉ以０．０６５ｎｍ处的散射背景为内标局部补偿样品表面结构、仪器波动和基体效应等因素造成的影响。所得分析结果满足生产要求。     

钢中化学元素的X—射线荧光光谱分析

本文叙述合金钢中１５种元素的Ｘ射线荧光光谱快速定量分析方法。用Ｘ４０软件中ＰＨ模式进行共存元素间的谱线重叠和基体吸收－增强效应的校正。对于合金中的微量重元素如Ｃｕ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ和Ｎｉ以０．０６５ｎｍ处的散射背景为内村局部补偿样品表面结构，仪器波动和基体效应等因素造成的影响，所得分析结果满足生产要求。