快速热处理技术在集成电路制造上的应用

主要介绍快速热处理技术，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火，Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的快速热氧化和用Ｎ２Ｏ加固薄栅用的快速热氮化等方面的应用。     

0.4～0.25μm时代的半导体工艺技术

<正> 1 前言所谓0.4～0.5μm 时代,就 DRAM 而言,恰处于从64M 到256M 的过渡阶段。长期以来,DRAM被誉为半导体技术的“技术驱动器”。事实上它起到了这个作用。的确,以微细加工为中心,对半导体工艺技术中各领域保持着某种平衡、调节作用并驱动其它技术进展。但到0.5μm 时代,情形就开始稍有变化了。这反映了对半导体工艺技术中DRAM 定位时代性的变化。例如,从高速逻辑器件开始对布线技术就严格要求;对极薄介质膜要求近来成为闪烁存储器话题。     

部分耗尽0.25μm SOI射频nMOSFET

结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的工艺条件.制作了0.25μm SOI射频nMOSFET器件,结构和工艺参数同仿真结果一致,测试获得了优良的或可接受的直流及射频性能.     

IOGHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器

采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%.供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW.芯片面积为0.67mm×0.58mm.     

ASIC线宽降至0.35μm

美国和亚洲的制造厂商在研制专用集成电路(ASIC)的过程中现已采用亚微米技术。虽然有些厂商已开始采用0.25μm技术,但大多数ASIC产品都是采用0.5μm～0.35μm的CMOS工艺制造的。门数一般为50万门～100万门。日本有一家厂商宣称,它已开发出一个0.35μm系列款式的产品,其速度高达80ps,     

热处理对氧化铋在8μm～14μm波段内的发射率的影响

本文通过设计正交实验,采用不同的热处理工艺对着色颜料氧化铋粉末进行热处理,随后测量样品在8μm～14μm波段的平均法向发射率,并得出优化的热处理工艺路线;对各个影响因素进行的分析表明,温度是热处理过程中影响样品发射率变化的主要因素,并通过XRD、SEM、EDS等多种表征手段,分析了红外发射率变化的内在机理.结果表明,晶格畸变是引起发射率变化的主要因素,而由气体分子吸附引起的表面成分变化对发射率也有一定的影响.     

用锡磷青铜制造弹性零件的热处理工艺技术

用锡磷青铜ＱＳｎ６．５－０．１Ｙ制造弹性原件，如接触簧片等，为改善其弹性性能，采用的主要方法是冷塑性变形加低浊退火。本文为寻求合理的低温退火工艺规范，满足弹性元件的性能要求，首先制定出热处理退火后的机械性能指标，然后在此基础上，采用正交设计法，优选出最佳的热处理工艺参数，用以指导生产实践。     

0.25μm CMOS千兆以太网发送器设计

分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV.     

一种基于0.25μm CMOS工艺的锁相环电路设计

锁相环在很多领域都得到了广泛应用。本文给出了一款全芯片集成锁相环电路设计,其工作输出频率范围在50M到150M之间,抖动在150ps以内,工作电压为2.5伏,该芯片采用了0.25μmCMOS工艺。本文主要阐述全芯片集成锁相环的设计方法,以及对各个参数的折衷设计考虑,最后给出了一些仿真结果和电路物理版图。     

用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜

采用MOCVD工艺，制备非晶态Bi4Ti3O12薄膜，然后经过快速退火处理，制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜，运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构，X射线显微分析仪测量薄膜材料的组份，并通过电滞回线的测量，研究快速退火对Bi4Ti3O12薄膜结构和电性能的影响。     

300mm／0.18μm工艺及设备

介绍了３００ｍｍ／０．１８μｍ主要工艺及设备,包括光刻,栅极氧化,电容绝缘和布线。     

0.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩（实际尺寸为0.162微米）,大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白。同时公司立足于内需巨大的中国市场,拥有一支优秀的技术团队,除了能为客户提供具有低成本、方便快捷供货的优势外,     

10GHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器

采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%. 供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW. 芯片面积为0.67mm×0.58mm.     

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。     

IOGHz 0.25μm CMOS LC压控振荡器

采用标准0.25μm CMOS工艺实现了10GHz LC压控振荡器.为了适应高频工作,并实现低相位噪声,该压控振荡器采用了手动优化的带中心抽头的对称电感,将A-MOS变容二极管与无源金属-绝缘层-金属电容串联,并采用了带LC滤波器的尾电流源.测试结果显示,当振荡频率为10.2GHz时,在1MHz频偏处相位噪声为-103.2dBc/Hz,调谐范围为11.5%.供电电压为3.3V时,核心电路功耗为9.0mW.芯片面积为0.67mm×0.58mm.     

激光热处理在汽车行业的应用与推广实践

本文阐述了本公司近几年来汽车行业开展激光热处理的研究与实践。文章着重介绍了汽车行业对激光热处理需求现状，并介绍了本公司开展激光热处理技术实践、技术实践和普及推广实践。报道了本公司在激光热处理涂料、光路系统反各调试去、工件材质的影响、及机械正弦波淬火机等方面的研究和进展。