氧分子对电子偶素的态转换

把气凝硅胶作为可变能量的电子偶素源,用时间选择γ能谱仪研究电子偶素在氧气中的运动,验证快速电子偶素与氧分子非弹性碰撞发生的态的转换效应,测得在两个阈能附近的截面为2.1×10^－17cm²和6.6×10^－18cm².研究慢速电子偶素与氧分子弹性碰撞交换电子所致态转换,发现过程的截面与电子偶素平均速度的平方根成反比,这一过程可以提供比较干净的仲态电子偶素源进行其它精密物理实验.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

真空电子偶素原子的产生

用慢正电子束入射固体靶表面,通过测量湮没光子能谱随靶温度和入射慢正电子能量的变化,用“峰法”确定慢正电子产生电子偶素原子的转换率。转换率依赖于靶材料、靶温度和入射慢正电子能量。对材料锗转换率可达80％。 关键词：     

不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响. 关键词： 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅     

ZIFs纳米晶体中电子偶素的自旋转换

ZIFs晶体由咪唑基桥接单金属离子构成,可通过咪唑酯连接物灵活选取合适的官能团对其结构进行调控,因而被赋予更多新的性质和功能. ZIFs晶体中孔结构及其化学环境与其性能紧密相关.本文采用静置法制备了ZIFs纳米晶体. X射线衍射结果证实制备的晶体为典型的ZIF-8晶体,扫描电子显微镜图可观察到其规则的菱型结构. N₂吸附-脱附测试表明ZIFs晶体具有较大的比表面积和孔容,分别为2966.26 m~2/g和3.01 cm~3/g.随着Co摩尔含量的增大, ZIFs晶体比表面积和孔体积逐渐减小,但是其孔径大小几乎稳定保持在12?左右.而N₂吸附-脱附等温线计算得到的孔径分布未显示咪唑配体组成的六元环的超微孔信息(3.4?).此外,利用正电子湮没寿命和多普勒展宽对晶体的微观结构和表面性能进行了研究.正电子的寿命谱有4个分量.较长寿命τ3,τ4分别是o-Ps在其微孔区域和晶体规则棱角间隙处的湮没寿命.随Co摩尔含量增大,其寿命τ3几乎没有变化,而较长寿命τ4从30.89 ns降至12.57 ns,其对应强度I3,I4也分别从12.93%和8.15%急...     

对“微波共振跃迁法测量电子偶素2~3S_1-2~3P_1精细结构”实验拟合公式的探讨

本文对Michigan大学S.Hatamian等人在“微波共振跃迁法测量电子偶素2~3S_1-2~3P_J精细结构”实验中所用拟合公式进行了审慎的分析和推证,修正了该公式的功率增宽项,并就Mainz大学R.Ley等人对该公式的批评作了评价。最后,采用新、旧拟合公式对Michigan组实验数据进行拟合并讨论其结果。     

近满壳偶偶核闯入态的微观描述

对于近满壳的偶偶核,以正常组态、质子对2p-2h激发组态及核子-核子有效相互作用为出发点,本文提出一种研究闯入态性质和组态混合的理论方法.     

激光辅助的电子偶素对反质子的反氢生成反应

在一级玻恩近似下, 研究了在激光辅助的电子偶素-反质子碰撞中的反氢合成. 发现在小角范围内, 平行于电子偶素入射方向极化的激光使反氢生成截面变小. 在中等角度范围, 截面有一定的增加, 特别当偏振方向垂直于入射方向时, 截面增加比较明显.     

胶子遮蔽和末态作用对p—A碰撞中粲偶素和b夸克偶素产额压低的贡献

本文用胶子结构函数的遮蔽效应和末态作用分析了在p-A碰撞中粲偶素和b夸克偶素产额压低的实验数据,较好地描述了粲偶素和b夸克偶素产额的压低与A和X2的关系.     

Belle实验?(5S)数据中新类底偶素态的寻找

Belle实验组利用在?(5S)共振峰上采集的大数据样本,对e+e－→π+π－?(nS)和π+π－hb (mP)(n=1,2,3,m=1,2)过程进行了研究,在π±?(nS)和π±hb(mP)的系统中,同时观测到了两个新的带电类底偶素结构——Zb(10610)和Zb(10650)。它们衰变到底偶素末态,同时还带有电荷,所以它们的组成成份中至少含有4个夸克。最近,对e+e－→π+π－π0γ?(1S)过程也进行了研究,在ω?(1S)系统中对类X(3872)的底偶素态Xb进行了寻找。     

Belle实验ϒ(5S)数据中新类底偶素态的寻找

Belle实验组利用在ϒ (5S)共振峰上采集的大数据样本,对e⁺e^－→π⁺π^－ϒ (nS)和π⁺π^－h_b (mP) (n=1,2,3,m=1,2)过程进行了研究,在π^±ϒ (nS)和π^±h_b(mP)的系统中,同时观测到了两个新的带电类底偶素结构——Z_b(10610)和Z_b(10650)。它们衰变到底偶素末态,同时还带有电荷,所以它们的组成成份中至少含有4个夸克。最近,对e⁺e^－→π⁺π^－π⁰ γ ϒ (1S)过程也进行了研究,在ωϒ (1S)系统中对类X(3872)的底偶素态X_b进行了寻找。     

用玻尔理论统-处理氢原子、电子偶素和氦原子基态能级

用玻尔氢原子理论处理氢原子和电子偶素基态的方法，在假定了氦原子基态的经典模型后，给出了氦原子基态能级和半径，并与实验和量子力学变分法计算的结果作比较，说明玻尔氢原子理论对氦原子基态能级的计算有一定的意义．     

新激光技术生成冷电子偶素

美国的物理学家发现电子偶素（一种短寿命的电子与正电子的束缚态）可以通过用激光束照射硅的表面而生成.由于这种技术是高度可控的,并且适用于很宽的温度范围,因而对于为寻找物质与反物质特性上的微小差别而设计的低温实验是极为有用的.     

胶子遮蔽和末态作用对p—A碰撞中粲偶素和b夸克偶素产额压低的贡献

本文用胶子结构函数的遮蔽效应和末态作用分析了在ｐ－Ａ碰撞中粲偶素和ｂ夸克偶素产额压低的实验数据，较好地描述了粲偶素和ｂ夸克偶素产额的压低与Ａ和Ｘ２的关系．     

粲夸克偶素P波态χc0宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的350万(2S)事例,通过ψ(2S)→γπ⁺π^－和γK⁺K^－反应道测量了χ_c0的总宽度.由Monte Carlo模拟给出的质量分辨函数,利用拟合χ_c2谱形得到的质量分辨作标定后,用于χ_c0宽度的拟合,得到χ_c0的宽度为(15.0)MeV.同时定出了χ_cJ(J=0,2)到π⁺π^－+K^－的衰变分支比.结果为B(χ_c0→π⁺π^－)=(4.27±0.23±0.60)×10^－3,B(χ_c0→K⁺K^－)=(3.44±0.21±0.47)×10^－3,B(χ_c2→π⁺π^－)=(1.52±0.17±0.29)×10^－3 和 B(χ_c2→K⁺K^－)=(5.2±1.1±1.8)×10^－4,其中第一项误差为统计误差,第二项为系统误差.     

动力压缩真空与原子间偶极一偶极力

利用Milonni源理论方法研究了动力不压缩真空中两原子间偶极--偶极(d-d)相互作用的性质与真空压缩的关系.结果发现:由于真空压缩的存在,两原子间d-d吸引力将受到削弱.当压缩系数为零时,得到通常文献中所熟知的结果.     

近满壳偶偶核闯入态及组态混合的微观分析

本文应用一种描述近满壳偶偶核的闯入态的微观理论,计算了对应于¹¹⁰Cd组态的低能谱及波函数.系统地考察了各种因素对闯入态形成的影响、产生组态混合的机制及强度.通过与唯象工作的比较,考察了微观s-d哈密顿量.     

Belle实验观测到新类粲偶素结构

利用在Υ(nS)(n=1,2,4,5)共振态及其附近采集的大量数据,Belle实验测量了末态中含两个矢量粒子的双光子过程γγ→J/ψ和ωJ/ψ.在这两个过程中,发现了两个窄共振结构X(4350)和X(3915).这两个新结构的性质目前尚不清楚,可能是普通粲偶素粒子,也可能是含一对粲夸克和一对轻夸克的四夸克态,或含一对粲夸克和一个激发胶子的混杂态,或是由其他未知的动力学原因造成的奇特结构.Belle同时发现在γγ→J/ψ过程中,不存在显著的Y(4140)的信号,实验结果与将Y(4140)解释为四夸克态的部分理论预期有较大差异.