半导体光折变介质中光束传输的自囚禁及周期调制

推导了光束在半导体光折变介质的光子晶格中演化的二能级形式, 给出了光束在其中传播时二能级方程的经典正则形式. 解析计算出了经典正则方程的不动点并对其稳定性作了分析, 计算出了拓扑结构变化的临界值. 根据二能级方程的经典正则形式做出了空间相图, 进一步分析了半导体光折变介质中光束传输的自囚禁现象, 发现有两种形式的自囚禁: 1)能级中的布居数差和相对相位都在平衡点附近振动; 2)能级中的布居数差在平衡点附近振动, 而相对相位单调变化. 分别从高频、低频、中频三个方面研究了外加周期调制对自囚禁的影响, 发现在高频调制中发生自囚禁现象的相变参数能够被周期场非常有效的调制, 使得光束在半导体光折变介质中传输时, 在非线性效应影响较小时也能够发生自囚禁. 关键词： 半导体光折变介质 自囚禁 二能级形式 周期调制     

理想气体一维不定常流自模拟运动的基本微分方程

将一维不定常流自模拟函数推广到一般形式，结合量纲理论和流体力学基本运动方程，导出总能量为常数情况下的理想气体一维不定常流自模拟运动基本微分方程组.该理论模型表明，由流体速率u和自模拟面速率r·〖DD)]组成一个无量纲特性参数L，用L作自变量时理想气体一维不定常流自模拟运动的规律具有常微分方程的最简数学形式.该模型克服了点爆炸Taylor自模拟温度函数原点附近趋于无穷大的问题，具有重要意义. 关键词： 理想气体 自模拟运动 Taylor模型     

Ernst方程的主手征形式与自对偶Yang-Mills场方程

指出Ernst方程可以化为主手征形式, 讨论了轴对称自对偶杨-Mills场(SDYM)与Ernst方程以及主手征形式的关系. 并对H-变换在Ernst方程中的对应作了讨论.     

物理学中的波概念

本文针对自经典力学的机械波到广义相对论的引力波等诸多波概念,其关切的物理量所涉及的物理现实与数学结构,后者包括具体方程的形式和波的函数表达,作一个简单的梳理。波既被当作运动的形式,也被当作存在自身的形式,本质上也许不过是一个在我们有限的数学知识内容易掌握的工具形式。     

大功率恒流源取样电阻设计

针对取样电阻在大功率恒流源中的作用和技术要求,在理论和实验上对取样电阻的设计原则、结构形式和材料选择方法进行了系统分析。对水冷式和自冷式两种结构形式的大功率恒流源取样电阻进行了比较研究,实验结果表明:相比于水冷式取样电阻情形,装配自冷式取样电阻的恒流源主要技术指标得到明显改善,输出电流失稳度降低2/3,纹波系数由2.7%降低到2.3%,使用寿命提高10倍以上。     

计算加速度相关Lagrange函数的方法

研究从运动微分方程构造加速度相关Lagrange函数的问题,给出一种由方程的自伴随形式计算加速度相关Lagrange函数的方法.举例说明结果的应用. 关键词： 分析力学 加速度相关Lagrange函数 自伴随性 Lagrange力学逆问题     

理想气体球面强冲击波一般自模拟运动模型

应用理想气体一维不定常流自模拟运动基本微分方程，详细讨论了球面强冲击波波后气体自模拟特性，推导出具有自模拟运动特性的球面强冲击波传播公式的一般形式.分析结果表明：球面强冲击波自模拟运动模型不必从具有奇异性质的点源出发，冲击波初始速度和自模拟温度函数解一般不存在趋于无穷大的问题.Taylor点爆炸冲击波自模拟模型只是一般自模拟模型中假设自模拟运动总能量为定值条件下的特例. 关键词： 理想气体 球面强冲击波 自模拟运动     

激光散斑反差与表面粗糙度关系的理论分析

本文从Fresne1-Kirchhoff衍射公式出发,直接由光强分布导出了散斑平均反差与表面粗糙度特征参数的关系公式,采用指数形式和高斯形式的自相关函数,得到极为相符的计算结果。利用激光衍射散斑平均反差测量表面粗糙度,具有精度高和分辨高等优点,可以用于测试精密表面的粗糙度。     

自对偶引力的局部对称性与约束

在Ashtekar形式下，广义相对论的相空间被嵌入到复SU（2）Yang-Mils理论的相空间里．将一般场论中分析局部对称性与约束的方法推广到复的场论，从自对偶Palatini形式的位形空间构造出Ashtekar形式的相空间，进而讨论了位形空间上的局部对称性与相空间上的约束的关系． 关键词：     

阻尼谐振子的拉格朗日函数和哈密顿函数

利用一种直接方法将阻尼谐振动微分方程变换成等价的自伴随形式,并构造出阻尼振子的两个拉格朗日函数和哈密顿函数,导出了阻尼谐振子的Noether守恒量.     

一种自对偶理论的规范不变形式及其量子化

对于一种新提出的自对偶场与规范场耦合的拉氏理论,本文给出相应的单上闭链,即Wess-Zumino项,构造了这种理论的规范不变的形式。利用正则量子化方法并通过选取适当的规范固定条件,证明了这规范不变的形式等价于原来的规范非不变的形式。此外,利用Batalin-Fradkin-Vilkovisky量子化方法,进一步指出这种等价性与规范固定条件的选择是无关的。 关键词：     

高斯光束在对数型非线性介质中自诱导效应

从标量Helmholtz方程出发,推导了对数饱和非线性介质中光场满足的非线性Schr dinger方程(NLSE)。通过与梯度折射率下的光场满足的方程比较,发现高斯光束在对数型饱和非线性介质中可自诱导梯度折射率。利用数值计算,详细地讨论了自诱导梯度折射率对高斯光束传输特性的影响。发现高斯光束在其自诱导的梯度折射率的影响下,呈振荡形式的准稳定的传输。光束注入介质中的初始状态,直接影响着光束的振荡形式(先发散还是先聚焦)、振荡深度(幅度)、振荡周期。得到高斯光束形成孤子的条件,以及若使高斯光束在对数饱和非线性介质中保持小损耗、高稳定的传输,应该使光束在阈值(孤子条件)附近注入介质的结论。     

相对论能量正比于动质量的一般性证明

依据相对性原理,仅仅要求粒子的动量和能量在不同的惯性系中具有相同的函数形式,即可一般性地证明相对论能量必须正比于动质量.这一特性为相对论本身的自洽要求,而与线性时空变换的具体形式无关,也与光速不变的假设无关.依据这一特性,同时也一般性证明了质量守恒定律等价于能量守恒定律.     

自对耦无序分布随机链Potts模型的临界普适性研究

以蒙特卡罗模拟方法对自对耦分布二维随机链q态Potts模型的短时临界行为进行了数值研究.利用初始非平衡演化阶段存在的普适幂指数和有限体积标度行为，数值模拟了在不同形式随机分布时q＝3和q＝8态Potts模型磁临界指数η和动力学临界指数z.计算结果发现η不依赖于自对偶无序分布的具体形式， 从而以数值方法给出了一个关于淬火掺杂自旋系统的临界普适行为的验证. 关键词： 随机链Potts模型 动力学蒙特卡罗模拟 临界普适性     

荧光光谱对自组装多肽作为药物载体的初步研究

为解决疏水性药物普遍存在的因水中溶解度低而给药困难、生物利用度低的问题,采用了新型两亲性自组装多肽RGA16(Ac-RADAGAGARADAGAGS-NH₂)作为载体包裹和释放疏水性模型药物。以芘为模型疏水性药物,以鸡蛋卵磷脂脂质体模拟细胞膜,通过稳态荧光光谱表征和测定芘的存在形式和浓度。两亲性自组装多肽RGA16能够在水溶液中稳定模型疏水性药物芘的晶体。扫描电镜图像显示多肽RGA16与芘晶体相互吸引,两者形成10 μm以上大小的复合体。在机械搅拌下多肽RGA16与水溶液中的芘相互作用5 d左右形成稳定的胶体混悬液(多肽-芘复合体)。被多肽包裹时,芘以晶体的形式存在。而当与EPC脂质体溶液混合时,芘可从多肽的包裹中以分子形式释放到EPC的双层膜中。芘从自组装多肽所稳定的胶态晶体向EPC脂质体释放的过程采用连续时间扫描稳态荧光光谱加以观察。通过将释放过程中芘单体的荧光强度与标准曲线相比较,确定了特定时间点EPC脂质体中芘的转移量。以上结果表明：该两亲性自组装多肽RGA16具有作为小分子量疏水性药物载体的潜力。     

解物理习题中的形式主义和跟它作斗争

解習題是物理教學中重要的和必要的工作形式之一,它能使學生鞏固地和自覺地掌握物理課程,但是,只有在方法上是正確地進行這一工作時,它才是真正有價值的。實際上我們却經常看到教師自己、特别是學生的對待解習题的形式主義的態度。     

对羟基苯甲酸丁酯在蓖麻油-水界面上自组装及其重构动力学研究

以循环伏安法研究了对羟基苯甲酸丁酯在蓖麻油-水界面上自组装膜生长动力学,在自组装初期苯环以卧式定向按指数生长规律形成Langmuir自组装膜,成膜速率常数为0.0216min-1,单分子扩散系数为1.14×10-6cm2/s。自组装后期,苯环的卧式定向转化为立式定向,遵从S形玻兹曼函数,转化速率常数为k=0.0143min-1。自组装膜在支持电解质中以指数函数形式进一步重构成为完整、稳定的有序膜,重构速率常数为k=0.0319(±0.0011)min-1。自组装膜修饰电极在较高扫速下符合理想电容器模型,而在较低扫速下受离子扩散影响。自组装膜修饰较大程度地提高了电极的双电层电容。     

交换子的积分表示

在中间态最低质量不为零的情形下,求出了双交换子的积分表示的一个可能形式。在最低质量取为零时,它化为Dyson的结果。又讨论了如何简单地自积分表示求出色散关系。     

CUPT开放实验

<正>1主要内容中国大学生物理学术竞赛(CUPT)自2010年第1届起,迄今已举办7届,其新颖的形式(根据17个开放题目以学术辩论的形式进行比赛)吸引了越来越多的高校参与其中,参赛规模由第1届的12所高校17支队伍增加到2016年的64所高校65支队伍,是为数不多的全国性物理竞赛之     

Si(111)解理面氧吸附后Si L_(2,3)VV俄歇谱形的分析

对Si(111)解理清洁表面及其在氧吸附后测得的SiL_(2,3)VV俄歇谱进行数字积分、背底扣除及退自卷积后,得到了解理清洁表面在氧吸附前后的部分跃迁态密度。分析这两者之间的差别,结合别人的实验及理论计算结果表明:氧同时以分子形式及原子形式进行吸附,在吸附过程中,还同时形成氧化硅的价态。