Mn^4＋在钾钠铌酸锶钡晶体中的能态

测得了光折变材料锰掺杂的钾钠铌酸锶钡晶体（ＫＮＳＢＮ：Ｍｎ）的透过率，给出了晶体的能态结构，按配位场理论讨论了Ｍｎ＾４＋的作用机制，从微观结构上解释了ＫＮＳＢＮ：Ｍｎ的光学二极管效应。     

Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的光折射变化特性研究

基于Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的透射特性,探讨了Ca2+在晶体中的电子行为机制,分析了Ca2+掺杂而引起的光致折射率变化特性.采用Michelson干涉装置测得了样品折射率随时间变化的特性曲线.实验结果分析表明,适当的ca2+掺杂可以有效改善铌酸锶钡晶体的光折射特性.     

钾钠铌酸锶钡晶体作为自泵浦相位共轭镜器件的设计

本文给出了钾钠铌酸锶钡晶体作为自泵浦相位共轭镜器件的设计原理及基本考虑,设计了相应的器件并研究了其基本特性。     

Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的光折射变化特性研究

基于Ca²⁺掺杂铌酸锶钡晶体的透射特性,探讨了Ca²⁺在晶体中的电子行为机制，分析了Ca²⁺掺杂而引起的光致折射率变化特性.采用Michelson干涉装置测得了样品折射率随时间变化的特性曲线.实验结果分析表明，适当的Ca²⁺掺杂可以有效改善铌酸锶钡晶体的光折射特性. 关键词： 2+')" href="#">Ca²⁺ 铌酸锶钡 透射率 光折变     

铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

采用溶胶-凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜，通过X射线衍射，摇摆曲线，X射线Φ扫描，扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构，采用Adachi法研究了薄膜的电光特性. 实验发现，KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长，K⁺，Na⁺的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r₅₁. 成分为K_0.2Na_0.2Sr_0.24Ba_0.56Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.6Ba_0.2Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.72Ba_0.08Nb₂O₆的三种KNSBN薄膜的r₅₁值分别为108.52pm/V, 119.98pm/V, 126.96pm/V，r₅₁的数值随Sr²⁺含量增加而增大. 关键词： 横向电光系数 钾钠铌酸锶钡 外延生长     

铌酸锶钡晶体的光存储实验研究

通过全息存储光路调整,采用适当的曝光时间,在铌酸锶钡晶体中得到清晰的全息存储图象,并通过高压固化存储图象,测得全息存储时间衰减曲线.     

光折变晶体钛酸钡锶电荷传输参数的测量

报道用两波耦合技术测量光折变晶体钛酸钡锶(Ba_(1-x)Sr_xTiO-3,BST)的电荷传输参数φμτ在激光波长λ=515nm和光功率密度I—1W/cm~2下测得光折变响应时间为0.5sec.考虑到BST晶体吸收系数的光强相关性,修改了光栅形成率的函数变量,得到BST晶体的暗电导σ_a和电荷传输参数φμτ的拟合值分别为1.0×10~(-11)(Ωcm)~(-1)和2.8×10~(-10)cm~2/V.     

掺杂光折变LiNbO3晶体光伏效应特性

用前向二波耦合实验方法，对几种掺杂的LiNbO3晶体的光折变性质中出现的光伏现象进行了研究。在双掺杂的Ce：Fe：LiNbO3晶体中得到强纵向光伏效应，该效应可以对衍射效率产生59．7％的调制；在单掺杂的Ce：LiNbO3和Zn：LiNbO3等晶体中，得到由横向光伏效应产生的偏振态记录光栅。     

Ce：KNSBN光折变晶体栅衍射特性研究

研究了Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ光折变晶体两波耦合作用写入体光栅的衍射效率与写入光偏振态和光强比的关系,分析了写入光偏振态造成光栅衍射效率差别的原因,并用修正耦合波理论对实验进行了拟合。实验结果为Ｃｅ：ＫＮＳＢＮ晶体在全息记录和光学信息处理领域的应用提供了依据。     

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.     

Mn:KNSBN晶体中背向光散射与光学二极管效应

用单束毫瓦级的632.8nmHe-Ne激光入射到掺Mn的KNSBN晶体中,观察到强烈的背向散射,同时观察到一种与背向散射相联系的光学二极管效应。在一定范围内,光学二极管的时间响应常数τ与晶体表面的入射光强成反比,以K₉玻璃片作反馈镜,可将τ降低一个数量级。已取得τ=1.5s及大于15.3的正、反向透过率比。对实验结果给出理论解释。 关键词：     

光折变晶体多重全息存储衍射效率均匀性的研究

推导出了全息多重存储时间递减曝光法各幅图象写入时间的解析表达式,研究了时间递减法和循环曝光法单次曝光时间、总曝光时间以及循环次数随存储图象的幅数之间的变化关系,结果表明时间递减法不但对记录系统的要求较低,而且也可获得相当均匀的衍射效率.     

基于KNSBN:Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN:Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN:Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN:Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

基于KNSBN∶Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN∶Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN∶Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN∶Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

掺锰的钾钠铌酸锶钡晶体中双光束诱导光学二极管效应

两束波长为632.8nm的He-Ne激光在掺Mn的钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体中对撞,诱导产生一个光学二极管,当两束光同时存在且入射功率分别为0.876mW和0.0914mW时,光学二极管两个方向上的等效透射率之比达202,并有继续增大的趋势。     

外加电场对掺杂KNSBN晶体空间电荷场的影响

利用掺铈KNSBN晶体,在633nm下观察和测试了外加电场对晶体内部空间电荷场的基频和高阶分量的记录和擦除特性的影响,并对所得实验结果进行了分析。 关键词：     

掺杂无机纳米超微粒的有机聚合物体系中的光折变效应

研究了掺杂无机纳米超微粒的有机聚合物体系中的光折变效应．体系中以Ｃｕ２Ｓ／ＣｄＳ／ＺｎＳ复合超微粒为光敏剂,ＰＶＫ为载流子输运剂,电光分子为ＥＰＮＡＣ．给出了光敏剂的制备方法,ＥＰＮＡＣ的分子结构及电光特性,以及该光折变材料中的两波耦合效应的实验结果．结果表明,无机纳米超微粒可用作光折变材料中的光敏剂,这是它的一种新的应用．     

光折变晶体均匀多重全息图存储研究

本文推导了光折变晶体角度编码多重全息存储中写入均匀光栅时的曝光时间递推公式.分析了散射效应对光栅写入时间常数的影响和写入光耦合对光栅振幅的影响,给出了两种因素影响下曝光时间计算的修正递推公式.数值计算结果表明,按照这种修正公式计算所得多重存储中各幅全息光栅振幅不仅均匀性好,而且振幅相对较大,这种曝光方法有利于提高晶体的存储容量.实验中以递推公式所得时间进行曝光记录,在厚度为0.6mm的Fe:LiNbO₃晶体中采用角度编码很容易存储了30幅全息图.     

c向切割LiNbO3:Fe晶体薄片中的四波混频各向异性光散射

报道了在ｃ向切割ＬｉＮｂＯ₃：Ｆｅ晶体薄片的前向光散射中观察到的一种新的类似鸭蛋形的各向异性衍射光环图样，并且提出了由入射光、强的背向散射光而引起的四波混频各向异性光散射机制，圆满地解释了有关实验结果。 关键词：