法国Sofradir公司总部将乔迁新址谋求全面发展——各类红外探测器研制现状简介(中)

正3中波红外探测器Sofradir公司一直致力于中波红外探测器的进一步发展,比如功耗为2W的VGA格式HOT探测器以及像元间距为10μm的红外探测器。这些探测器设计用于远距离监视设备、指挥官或炮手瞄准装置、地对地导弹发射器以及其他一些需要依靠较高分辨率和灵敏度来提高侦察     

法国Sofradir公司总部将乔迁新址谋求全面发展——各类红外探测器研制现状简介(下)

5甚长波红外探测器 这项研制工作的目标是,通过制造截止波长为16 μm、工作温度为55 K的红外焦平面阵列提高人们对甚长波红外波段的认识水平.试验中,研究人员将1个特制的MCT探测层混成在Sofradir公司生产的CL176型标准硅读出集成电路(320×256元、像元间距为30 μm、电荷处理能力大于36 Me-)上.其中,探测层主要分为三部分:(I) CdZnTe衬底(在0.8 μm至红外波段是透明的);(2)用液相外延(LPE)技术在衬底上生长的MCT敏感层;(3)在有效波段内可实现最大光透过率的ZnS抗反射(AR)涂层.     

法国Sofradir公司发布用于导弹告警系统的新型多波长红外探测器

据http：//compoundsemiconductor.net网站3月29日报道,作为用于军事、空间和工业方面的先进红外探测器的开发商和制造商,法国Sofradir公司当天宣布他们已经发布了一款名为Altair的新型双波段红外探测器。该探测器工作在3μm～4μm和4μm～5μm两个中波波段,     

多色量子阱红外探测器的发展（上）

军用红外探测器需要使用工作在各种红外波段的大规格,高均匀性多色焦平面阵列器件。满足这些要求的一个候选者就是量子阱红外（光电）探测器（QuantumWell Infrared Photodetector,QWIP）。作为新一代红外探测器,QWIP基于极薄半导体异质结构中的载流子束缚效应。GaAs／A1GaAs／QWIP的主要优点包括标准的III—V族衬底材料和技术、良好的热稳定性、大面积、低研发成本以及抗辐射性。QWIP的另一个重要优点是具有带隙工程能力。可以通过调节量子阱宽度和势垒组分设计出满足特殊要求（例如多色焦平面列阵应用）的器件结构。介绍了对QwIP探测物理机制的理解以及近年来多色QwIP技术的发展状况。