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两通道声表面波全光纤声光调制器的研究 总被引:3,自引:2,他引:1
研制了一种新型的两通道声表面波(SAW)全光纤声光调制器,建立了多通道声波与光纤中光导波相互作用的耦合模方程并求出其解。SAW全光纤声光器件由两通道SAW器件和单模光纤构成。光纤嵌入SAW器件,光纤中的光导波被声表面波调制,由于两个通道中的SAW具有不同的中心频率,所以光纤中的光导波可以被具有不同频率的两个通道的SAW同时调制。测试了器件,实现了全光纤相干调制解调。 相似文献
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以LiNbO3晶体为基底,SiO2/In2O3为镀膜材料,设计并制作了用于准共线型声光可调谐滤波器(AOTF)的声波导及其叉指换能器(IDT),研究了制作工艺,实验测量了该声波导的传输性能。实验结果表明:在未加声吸收胶的声波导中,声表面波(SAW)来回反射,形成驻波,使能量叠加,影响了传输;而在加了声吸收胶的声波导中,SAW具有良好的传输特性,即射频频率在165~185MHz时,声波导传输的效率达到最高,符合AOTF滤波的中心频率范围。测试结果表明:该声波导能够满足声光滤波的要求,而且制作工艺简单、设计灵活,性能更高。 相似文献
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异质声层状结构(HAL)声表面波(SAW)谐振器的品质因数(Q)和阻抗比通过优化金属电极厚度得到了进一步提高。该文采用基于格林函数/有限元(FEM)/边界元(BEM)算法的多层结构SAW器件仿真软件建立了20°YX LT/40°Y90°X石英为基底,Cu作为金属电极的单端口HAL SAW谐振器模型。首先计算了位移场分布,分析了HAL中传播的声波模式。随后计算了LiTaO3(LT)厚度hLT=0.1λ~0.2λ(λ为波长),Cu电极厚度hCu=0.04λ~0.1λ下器件的伯德(Bode)Q、机电耦合系数K2和阻抗比,研究了不同LT厚度下谐振器的BodeQ、K2和阻抗比随电极厚度的变化。结果表明,当hLT=0.1λ~0.2λ时,最佳Cu电极厚度均为0.05λ,理想LT厚度下BodeQ和阻抗比分别高达3 000和98 dB。 相似文献
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本文利用集总参数等效电路模型计算了声表面波波导耦合双模谐振窄带滤波器的频率响应。讨论了谐振器各设计参量对滤波器性能的影响。在X-112°YLiTaO_3基片上实验制作了中心频率114MHz左右,Δf_(-3dB)分别为70kHz和40kHz的二极和四极窄带滤波器。对二极滤波器,阻带抑制小于一30dB;对四极滤波器,阻带抑制小于一50dB;匹配后插损3dB。理论计算与实验结果一致。 相似文献
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为解决目前常用电容式湿度传感器存在的误差较大和一致性较差的问题,提出了采用常压化学气相淀积(APCVD)法制备的多孔SiO2膜作为吸湿材料的乐甫波声表面波(SAW)传感器感知湿度。基片采用42.75°旋转Y轴切割石英材料,乐甫波传播方向为[0°,132.75°,90°],SiO2湿敏膜厚度为0.5μm。实验结果表明:此湿度传感器灵敏度约为62 kHz/RH%,在相对湿度为50%时,最大湿滞约3%。测得的湿敏特性和迟滞特性表明,乐甫波声表面波湿度传感器线性度较好,实验证实该湿度传感器具有很好的应用前景。 相似文献
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对共面波导LiNbO3电光调制器的结构和性能参数进行分析的基础上,利用保角变换方法和扩展点匹配方法通过仿真选择合适的调制器结构参数,优化了调制器性能,实现了宽带调制。 相似文献
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声光可调谐滤波器(AOTF)是一种基于集成光学技术的光学器件,它的性能主要取决于它的各个关键模块,特别是光波导和模分离器的设计.首先采用有效折射率法设计了工作于1.55um处的Ti:LiNbO3单模波导,之后对所设计波导的模场进行了模拟,并对模拟结果进行了分析.在单模光波导设计的基础上,采用光束传播方法(BPM)设计了TE/TM模分离器,并分析了它的消光比.最终得出波导和模分离器的优化设计结果. 相似文献
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新型衬底开槽结构的LiNbO3波导强度调制器设计分析 总被引:3,自引:2,他引:1
提出了一种在LiNbO3衬底背面沿垂直光传播方向的开槽结构的波导调制器,不仅可以通过开槽的方式替代通常LiNbO3基片和电极之间的SiO2缓冲层,起到减小驱动电压和抑制直流(DC)漂移的作用,而且由于其开槽部分和未开槽部分的截面图都比较规则,开槽部分又符合部分电容法的应用条件,在设计中可以避开有限元法(FEM)而采用施瓦兹-克里斯托弗耳(SC)变换进行计算。数值计算结果表明,在电极长度为40 mm的LiNbO3衬底上,开槽时选取开槽处的厚度为15μm,开槽宽度为38.5 mm,调制器调制带宽可以达到40.00 GHz,阻抗为63.10Ω。说明这种结构在没有SiO2缓冲层的情况下同样能够实现光波和微波的速度匹配,对于调制器的制作设计更加便利和精确。 相似文献
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阐述了高速突发模式外调制器电路的设计要点,着重讨论了消光比、啁啾对光发射机的影响,对匹配问题进行了详细讨论,设计了性能良好的前向匹配电路及电吸收调制器驱动电路,其工作速率为12 Gb/s,运用这些技术设计的光发射机消光比大于23.3 dB,啁啾小于13.4GHz. 相似文献
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新型脉冲调制器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
垂直导电型MOSFET(VMOSFET)的出现是半导体功率器件领域的一项重大突破。本文介绍一种以VMOSFET为高压开关的新型脉冲调制器,叙述其特点,工作原理及电路设计,该脉冲调制器可用于W波段中功率磁控管发射机。 相似文献