可记录再生的光盘存储器及其应用

一、引言自1972年荷兰菲利浦公司推出世界上第一台激光电视播放机以来,仅仅用了十多年的时间,世界各国先后已成功地研制了各种     

光盘存贮和信息输出用半导体激光器

本文主要阐述了光盘存贮和激光打印机用的半导体激光器的要求、性能,并综述了目前高功率半导体激光器的研究现状及动向。对0.8μm带和0.6μm可见光半导体激光器的构造原理和如何实现短波长化进行了探讨。     

发光二极管和半导体激光器

自从发现在GaAs晶体上作成的P—n结能发射很强的光并观测了它的激光作用之后,至今已有10年的历史了。在此期间,虽然经历了不少曲折,但由于许多研究人员的积极努力,这种半导体发光器件取得显著的进展。当然,还有许多不足之处和有待今后解决的问题,但毕竟有一部分器件已跨入了实用阶段。半导体器件所期望的各种优点,诸如体积小,简便,效率高,价格低廉等特点正在逐步付诸实现。     

以半导体激光器为光源的光学记录系统设计

光学记录系统的组成,有光源为单一模式的半导体激光器、准直物镜、柱面扩束物镜、旋转多面体、fθ透镜及光敏介质。在不修正半导体激光器象散值Δs时,准直物镜的焦点基本上位于半导体激光器的垂直平面光束原始发散点位置上;柱面扩束物镜仅在激光器的平行平面上具有光焦度,其倍率Γ应满足于关系式;光敏介质应位于fθ透镜后焦点附近。     

用半导体激光器测普朗克常量

本文用小型半导体激光器做单色弱光源,用光电效应法测量普朗克常量,具有精度高、体积小、重量轻、成本低、节约电、使用方便等优点.用光谱分析论证了与相关其他光源比较,半导体激光器光源具有较好的单色性,理论分析了单色光谱线宽度影响测量精确度的原因.     

隧道再生四有源区大功率半导体激光器

利用隧道再生原理实现半导体激光器在低注入电流下的高光功率输出。通过传输矩阵法对隧道再生四有源区光耦合半导体激光器的模式特性进行了理论分析,指出器件的激射模式应为TE3,且存在最优的内限制层厚度。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延法生长了内限制层厚度分别为0.3μm、0.5μm和0.7μm的器件。内限制层厚度等于0.5μm的器件的P-I特性最好,腔面未镀膜时,在2 A的注入电流下其光输出功率大于5 W,P/I斜率达2.74 W/A。结果表明,为了得到尽可能高的光输出功率,需要合理地设计隧道再生多有源区激光器的内限制层厚度。     

半导体激光器

TN248.4 2004031745半导体激光器后腔面高反射涂层的研究=Study of structure of high reflecting coating for semiconductor laser rearfacet[刊,中]/吴根柱(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),齐鸣…∥功能材料与器件学报.—2003,9(3).—343-346 采用金属银(Ag)作为高反射镀膜材料,ZrO_2介质膜     

半导体激光器

Uniphase公司研制的3502型半导体激光器系统可输出670nm的圆形高斯衍射受限光束。其特点是低噪声下的温度控制、激光器寿命长和TTL调制(50Hz)。据Uninhase公司宣称,3502型很适合于高性能图像记录应用。     

半导体激光器

介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计。实验测得,在室温条件下,稳光强器6h输出光强的稳定度达到0.28%。     

半导体激光器

TN248.42007010198一种大功率窄脉宽半导体激光电源的研究=Alarge pow-er semiconductor laser power supply with narrow pulsewidth[刊,中]/高军涛(中国电子科技集团公司第27所.河南,郑州(450015)),黄伟…//电光系统.—2006,(2).—24-26设计了一种大电流窄脉宽半导体激光器电     

半导体激光器

TN248.4 2004064104 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁(中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京(100083)),宋国峰…∥半导体学报.—2004,25(5).—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al_xGa_(1-x)As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al_xGa_(1-x)As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12(严寒)     

半导体激光器

TN248.4 2004010136 大功率半导体激光器的可靠性研究=Reliability of highpower semiconductor laser diodes[刊,中]/曹玉莲(中科院长春光机所.吉林,长春(1300220),王乐…∥发光学报.—2003,24(1).—100-102 对InGaAs/A1GaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半