《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

场致发光薄膜ZnS:Mn,Er内Mn中心和Er中心的相互作用

首次提出了场致发光中Mn及稀土离子的能量传递问题.研究了同时掺有Mn和Er的ZnS:Mn,Er薄膜在脉冲激发下场致发光的衰减常数与杂质浓度的关系.证实了由Mn到Er的能量传递.估计了传递系数及传递效率.     

《国外发光与电光》一九七六年分类目录

一、发光的一般问题- 期页磷光体的视觉效率(会议文摘)11ZnS:Ag,Al和ZnS:Cu,Al磷光体发光的浓度碎灭(会议文摘)12_从1975年国际发光会议看发光学及其技术动向(动态报导)31一低能离子电子发光(动态报导)43稀土在无机晶体中的发光48稀土在光学和发光材料中应用的理论基础4 30专题讨论会一稀土在发光中的应用446磷光体应用的最近进展533发光材料4上_发光使我们能看到看不到的东西548__研磨对硫化锌荧光粉性能的影响561-氢硫化物荧光粉(专利选报)5 74生物化学中的发光(上)6 47 二、电致发光(场致发光) 粉末薄膜材料和器件-谈场致发光器件的…     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

掺稀土的Y_2O_3、La_2O_3和Y_2O_2S粉末层的电致发光

掺三价稀土离子的场致发光荧光体发射铣线状光谱,它是(4f)电子组态内跃迁的特征,光谱范围从红到兰。这类荧光体之所以引起人们的兴趣,是因为有可能将它们应用于彩色平板显示器中去。已经报道过一些掺稀土的ZnS粉末的电致发光的研究工     

场致发光ZnS:Er~(3 )薄膜的激发机理

在掺杂稀土离子的ZnS薄膜中,其发光中心为电场所激发的机理,过去认为可能有以下两种:(1)经由热电子直接碰撞激发;(2)基质晶格的碰撞离化产生了电子空穴对,继而发生从电子空穴对到发光中心的能量谐振迁移。 最近,Krupka证实了在ZnS:Tb~(3 )薄膜中的场致发光是由热电子直接碰撞而发生的。他观测了作为加在ZnS:Tb~(3 ),Ta_2O_5多层结构上的外加电压函数的荧光强度比     

ZnS:TbF_3薄膜的直流场致发光

D.kahng等人报导过ZnS:TbF_3或者其他稀土氟化物薄膜的场致发光,这些稀土氟化物薄膜在交流激发下能产生发光。在这篇文章里这些发光电容器被称为Ⅰ类发光盒。我们已经制成不仅在交流激发下发光而且也能在直流激发下发光的电容器。在直     

ZnS中Er3+的正向注入电致发光

已报导的三价稀土离子(RE3+)和二价锰离子发光的电致发光器件,都是激发机理为碰撞激发的高场发光器件[1,2]。我们研究了znS:RE2+的带边激发光谱,由此提出了实现正向注入下三价稀土离子电致发光的发光器件的设想,这种器件的必要条件是在存在三价稀土离子的区域同时注入电子和空穴。在离子注入的ZnS:Er3+发光二极管上观察到了这种发光,实验证明不是碰撞激发,而是正向注入产生的发光。     

近期外文资料索引

一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光

从ZnS:Mn:Cu粉末获得直流场致发光(DCE)现在是完全肯定了,但至少还存在两个问题。其一是能量传给Mn~(++)中心的机构问题,另一个问题是从ZnS系统获得其他颜色还有困难。关于后一个问题,我们曾报导过铒激活的硫化锌的绿色直流发光,亮度达到2呎—朗伯,能量效率为10~(-3)％(2)原文为10~3％——译注)。虽然稀土掺杂的ZnS磷光体在广阔范围的光致发光光谱已有过报导(如Larach(3),(4)所综述),但至今还没有发表过有关粉末     

稀土离子注入的ZnS各种颜色发光二极管

ZnS单晶注入一种或两种稀土离子来制备发光二极管。本文研究了发光亮度与注入剂量的关系,发光亮度与电流的关系和发光亮度与温度的关系等。同时记录了电致发光和阴极射线发射光谱。选取两种不同的稀土离子注入到同一晶面,由于它们的比例不同,发光颜色可从一种稀土离子单独发光的颜色连续地改变到另一种颜色。     

《国外发光与电光》一九七五年分类目录

一发光的一般问题:ZnS荧光粉的表面吸附和光化学过程的研究关于磷光体效率的讨论会(动态)稀土发光的一些特性稀土磷光体中辐射及无辐射过程的估算(会议文摘)在磷光体生产中要注意的几点(会议文摘)美.日荧光粉工业的现状与发展趋势一九七五年国际发光会议文摘选辑 14 662 1 213专辑2 3 3 5 5 56 二场致发光:化合物半导体的场致发光扮末,薄膜材抖和器件:4 9 n 41 68 73 2 2 31 58 62 34 36 51 56561上1一JI J.︷,上唯1 2 2 2 2 21公5 5 55 场致发光留象板(动态) 用场致发光屏的电视显象系统(会议文摘) 稳定的高亮度薄膜场致发光屏(会议文摘)…     

在ZnS场致发光磷光体形成过程中Cu_2S相的作用

硫化锌磷光体的场致发光性能是因为在这些磷光体中有第二相——硫化铜的存在,这一推测到目前为止,无论从间接的或是直接的方面都得到了证实。在制备ZnS场致发光磷光体的过程中形成Cu_2S,现在已是无可争议的事实。可是Cu_2S参与ZnS磷光体场致发光激发过程的性质还不太清楚。 磷光体中这个相的含量和它对场致发光的作用之间的关系等有关资料可能对查明Cu_2S在场致发光磷光体中的作用有促进作     

Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件

日本J.Appl.phys.11(10)72,发表一篇短文,介绍Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件,内容如下: 利用离子注入技术制造薄膜场致发光元件是卓有成效的。我们研究了Mn注入的ZnS薄膜的场致发光性能及有关特性。这种技术有如下一些引入注目的优点:(1)通过反复交替地注入激活剂(Mn,Cu,Al,     

近期外文资料索引

一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

ZnS的直流场致发光

本文主要讲Mn和Cu激活的ZnS的直流场致发光。叙述了粉末、薄膜和单晶的制备工艺及其直流场致发光的观察。概括地叙述了基本的发光机理,并讨论了可能的发展前途。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF₃到CaS:TmF₃,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m²;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO₂超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF₃三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m²。     

场致发光ZnS:Mn,Cu,Cl薄膜对直角脉冲激发的响应

用Cu和Mn激活的ZnS,对于直流电场激发是重要的场致发光磷光体。这样磷光体的发射光谱是由于Mn激活所产生,峰值大约在5850A。Mn发光中心的激发,一般认为是没有中心的离化。在激发过程中,Cu激活剂所起的作用还不完全了解。 Thornton最先报道了ZnS:Mn,Cu,Cl蒸发薄膜的场致发光。有些人研究了这