三硼酸锂(LBO)单晶的位错研究

本文叙述新型无机非线性单晶三硼酸锂(LBO)中位错的X射线衍射形貌观测和鉴定结果,探讨了位错形成的结构影响因素。 关键词：     

利用透射电镜衬度像变化判定位错环类型及注氢纯铁中形成的位错环分析

本文分两部分,第一部分研究了利用透射电镜衬度像变化判定材料中位错环类型的方法,即采用所谓inside-outside方法来判断位错环为空位型位错环或间隙型位错环. 第二部分讨论了加速器注氢纯铁在673—773 K时效后形成的位错环的类型. 关键词： 透射电镜 空位型位错环 间隙型位错环 氢     

应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响

单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度. 压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的, 因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义. 本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或500 ℃ 热处理后的预释放, 然后研究了上述应力预释放对压痕位错在后续较高温度(700–900 ℃)热处理过程中滑移的影响. 在未经应力预释放的情况下, 压痕位错在700–900 ℃热处理2 h后即可滑移至最大距离. 当经过上述预应力释放后, 位错在900 ℃热处理2 h后仍能达到上述最大距离, 但位错滑移速度明显降低; 而在700和800 ℃时热处理2 h后的滑移距离变小, 其减小幅度在预热处理温度为500 ℃时更为显著. 然而, 进一步的研究表明: 即使经过预应力释放, 只要足够地延长700和800 ℃ 的热处理时间, 位错滑移的最大距离几乎与未经预应力释放情形时的一样. 根据以上结果, 可以认为在压痕的残余应力大于位错在某一温度滑移所需临界应力的前提下, 压痕位错在某一温度滑移的最大距离与应力大小无关, 不过达到最大距离所需的时间随应力的减小而显著增长.     

镍基单晶高温合金相界面错配位错网络的演化

运用分子动力学方法,研究了镍基单晶高温合金γ/γ′相界面错配位错网络的特征.通过对界面位错的形成、位错的反应、位错网络的演化等现象的分析发现,在温度场影响下,位错网络将由弛豫初期的十四面体演化成最终的正六面体. 关键词： 镍基单晶高温合金 相界面错配位错 位错网络演化 分子动力学     

单晶铝在拉压循环过程中形成的两种位错组态与成因

研究了［１１０］和［１００］取向高纯铝单晶在６×１０^－4拉压疲劳应变振幅条件下的应力σ_m和内耗Ｑ^－１的变化，对不同阶段的位错组态作了详细的透射电子显微镜观察，并利用滑移几何的观点予以解释 关键词：     

KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量

本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10~(-4)nm。     

镍基单晶高温合金界面位错网在剪切载荷作用下的演化

运用分子动力学方法,研究了镍基单晶高温合金γ/γ' 相界面错配位错网在剪切载荷作用下的演化特征.结果表明:(100),(110) 和 (111) 三种相界面形成的位错网在载荷作用下有不同形式和不同程度的损伤,其变形和损伤随温度的增加而增加.在相同的剪切载荷和温度作用下,(100) 相界面形成的正方形位错网最稳定. 关键词： 镍基单晶高温合金 界面位错网 分子动力学     

低温偏硼酸钡(BBO)单晶包裹物的X射线形貌衬度

本文叙述低温相偏硼酸钡β-BaB₂O₄(BBO)单晶包裹物的两套等三角锥形X射线形貌衬度,并且讨论了其衬度的主要来源。 关键词：     

聚变材料钨辐照后退火形成的位错环特性及inside-outside衬度分析

对纯钨透射电镜薄膜样品在400℃进行了58 keV、1×10¹⁷ cm^-2(约0.1 dpa)的氘离子辐照,辐照后进行了900℃/1 h的退火处理.离子辐照产生了平均尺寸为(11.10±5.41)nm,体密度约为2.40×10²² m^-3的细小位错环组织,未观察到明显的空洞组织.辐照后退火造成了位错环尺寸的长大和体密度的下降,分别为(18.25±16.92) nm和1.19×10²² m^-3.通过透射电镜的衍射衬度分析,判断辐照后退火样品中的位错环主要为a/2<111>类型位错环.通过“一步法” inside-outside衬度分析判断位错环为间隙型位错环.辐照后退火还造成了较大位错环之间接触融合,形成不规则形状的大型位错环.此外,退火后样品中还观察到了尺寸为1—2 nm的细小空洞组织.     

邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度

本文描述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度及其本质的测定结果。提出应用“包裹物点缀”形貌技术测定单晶中大面积应变区本质的实验方法和结果,为深入了解晶体结构内部薄弱环节提供另一可行的途径。 关键词：     

邻苯二甲酸氢铷晶体中锥面包裹的形成及其结构之间的关系

本文从邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶的微观结构特性,讨论了晶面上特征层状包裹形成的结构影响因素。晶体内部的三种类型的微观结构隧道在一对特定的快速生长晶面作用下俘获母液中的杂质,是包裹形成的主要机理。本机理所预计的与实验观测结果符合较好。 关键词：     

邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶锥面特征层状包裹形成的结构因素

本文从邻苯二甲酸氢钾单晶的微观结构特性,讨论了晶面上特征层状包裹形成的结构影响因素。晶体内部的三种类型的微观结构隧道在一对特定的快速生长晶面作用下俘获母液中的杂质,是包裹形成的主要机理。本机理所预计的与实验观测结果符合较好。 关键词：     

邻苯二甲酸氢钾(KAP)的同步辐射截面形貌术

本文叙述邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体内部不完整性(滑移位错等)的同步辐射截面形貌图的衬度研究工作。有关缺陷象衬度随波长增加而提高的实验事实同引用均匀畸变动力学的理论所引入的平均应变梯度参数β和βt_eff的理论计算结果,相当符合,它为应用同步辐射源来清晰显示单晶中有关缺陷,提供一个波长选择的依据。 关键词：     

邻苯二甲酸氢铷晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响

本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。     

乙二胺四乙酸晶体结构的测定

乙二胺四乙酸的晶体结构,已经利用对称元素的方法测定,晶体属单斜晶系,空间羣为C_2h⁶,晶胞参数各为a=13.28?,b=5.64?,c=16.14?及β^*=83°45′,每个单胞中有四个分子。原子间的距离已计算出来,并加经讨论。从晶体结构来看,乙二胺四乙酸的两个羧基与两个氮原子形成分子内部的氢键。因此,乙二胺四乙酸只表现出二元酸的性质,分子的结构式应写成:     

晶体缺陷规范场中的刃位错

本文用位错连续分布方法表出了刃位错所产生的应变和应力场,得到了刃位错芯区内、外的应力场,位错芯区的无限小位错分布用缺陷规范场表出,并在一定规范条件下求解了位错规范场,在刃位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当r趋于零,刃位错的应力场为有限,消除了应力的奇异性。 关键词：     

邻苯二甲酸氢铷(RAP)晶体中的缺陷研究

本文从邻苯二甲酸氢物晶体中位错等缺陷的分布、形态,结合该晶体的微观结构特性,讨论了缺陷与结构之间的关系,并简要地探讨了缺陷的成因. 关键词：     

位错在裂纹顶端的象力

本文利用保角变换方法计算了近椭圆孔边位错象力。将椭圆一轴缩小到零,得到了裂纹情况的位错象力。 关键词：     

集中力作用下硅中位错结构

本文用化学侵蚀法研究了硅单晶样品在800—1000℃印压得到的位错“花结”。实验结果说明:印压产生的位错分布在{111}滑移面上;位错线的取向大部分是<110>或<112>方向。分析并观察到在压印下有两种位错环,一种是柏格斯矢量沿<110>方向并平行于(111)印压面;一种是柏格斯矢量沿<110>方向并与印压面相交。对位错环的结构进行了分析。