结温对高压白光LED光谱特性的影响

高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。     

功率型白光LED光学特性退化分析

将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200 h的老化,样品光通量退化为初始值的15%~18% 。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。     

荧光粉比例对白光LED特性的影响

用黄色和橙色硅酸盐荧光粉制备了白光LED,调整黄粉和橙粉的比例得到不同的色温.对样品进行光学测试,发现黄粉与橙粉的比例小于7时,黄光部分的峰值约590 nm,比例大于7时,黄光部分的峰值约570 nm;显色指数和流明效率都是随色温的增大先上升后下降,5521 K时达到最优值,这是由于低色温时,荧光粉的浓度大导致不能有效...     

LED发光二极管特性测试

使用常规实验仪器搭建了LED特性测试系统,测试了LED的伏安特性、光强分布特性、光谱特性、光功率与电流关系特性和发光效率与电流关系特性,得到了LED的阈值电压、正常电压、发光波长、半值角与指向性、峰值波长和光通量等参量.     

LED光学特性的测量与研究

采用微型光纤光谱仪测量了LED的峰值波长、半高宽、光强的角分布及不同温度下的LED光谱.通过对LED光学特性的定性、定量测量及探究,有助于学生了解LED的原理和结构、相关特性及测量方法.     

发光二极管峰值波长偏移对色度的影响

利用可调恒流源控制彩色LED发光,采用多道光谱仪测量LED的光谱特性,得到峰值波长随工作电流的变化产生的偏移,并计算了由此而引起的色度值变化.     

基于自适应差分进化算法的LED光谱匹配

为实现用单色发光二极管(LED)合成所需要的各种目标光谱,提出将自适应差分进化算法作为光谱匹配算法。以高斯修正模型表征单色LED的分布,基于均匀分布的LED,模拟了标准AM1.5太阳光谱和植被光谱,并采用相关指数和均方根误差作为评价标准。在此基础上,利用实验室现有的LED进行了实验验证,所提算法的拟合效果均比模拟退火算法和遗传算法好。实验结果表明,提出的自适应差分进化算法可自动设置参数,拟合效果好,可以被广泛应用于各种LED光谱匹配仿真实验和工程实践中。     

LED结温与光谱特性关系的测量

采用恒定驱动电流改变环境温度和恒定环境温度改变驱动电流两种方法分别对直径5 mm封装的AlGaInP型红光和黄光LED,InGaN型绿光和蓝光LED,以及InGaN蓝光+荧光粉的白光LED的结温与其光谱特性进行了测量,得到了不同条件下LED结温与光谱特性的关系.结果表明;AlGaInP LED的峰值波长与结温有良好线性关系,InGaN LED的峰值波长则与结温没有明显对应关系;但白光LED发射光谱的白、蓝功率比与结温有良好线性关系;对AlGaInP LED及蓝光激发的白光LED,通过光谱特性测量可快速、准确地确定光源系统中各LED的结温继而预测光源系统的有效寿命.     

功率效应对功率LED热阻的影响

分析比较了在不同输入功率条件下1 W GaN基LED样品的热学特性,得出了有效热阻随加载功率的变化规律。基于瞬态热测试方法,讨论了结-环境热阻与输入功率之间的关系。加载电流为100~500 mA的区域随着电功率增加,有效热阻明显降低;当电流增至500 mA以上时,有效热阻减小幅度越来越小;而当加载电流为900~1 650 mA时,结-环境的热阻随着电功率的增加而缓慢升高。随着注入电功率的增加,在不同电流区域同一个样品的热阻变化趋势却是相反的,这个现象归因于串联电阻热耦合随输入功率的变化。该结果对分析功率型LED热特性具有一定参考价值。     

大功率LED温度特性测量仪

用半导体加热/致冷芯片对LED恒温,用贴片式pt100作温度传感器,用具有人眼视觉特性的可见光亮度传感器组成光强探测器,研制了一种大功率LED温度特性测量仪.用该测量仪测量了1W白光LED在恒流和恒压驱动下光强、发光效率等参数的温度特性.实验表明,该测量仪恒温快,测量准确,成本低,操作便捷.     

荧光粉对大功率LED热特性的影响

为了研究荧光粉发热对大功率LED器件热特性的影响,设计了五种不同荧光粉涂敷方式的大功率LED器件,利用ANSYS软件建立热力学模型进行仿真。将模拟与实测结果进行比较,结果表明,铝基板底部的实测温度、透镜顶部的实测温度、芯片的计算结温与加荧光粉热载荷的模拟温度更相近,不加荧光粉热载荷条件下的模拟温度要低于加荧光粉热载荷的模拟温度和实测温度,并且荧光粉涂敷的量以及涂敷的方式对芯片结温、铝基板底部温度、透镜顶部温度都有影响。     

The illuminance and temperature distribution degradation of high power GaN LED caused by detachment of multilayer electrode

In this work, the high power GaN-based unpackaged chip was drive with high current of 600 mA and high temperature of 130 °C till failure. A large stain area was found in the main light area of die after degradation and the leakage current increased by tiny range. And the illuminance degraded greatly as shown in distribution map. In the meantime, the temperature rose dramatically. FIB, SEM and TEM characterization demonstrated that the detachment between multilayer metal electrodes was the main cause of the stain area and the degradation of illuminance and temperature, and also the higher junction temperature played a key role in this detachment phenomenon.     

一种实现大功率LED均匀照明的投射器设计

以特定区域的均匀照明为目标,设计一种以单粒LED为光源的均匀投射系统。根据LED的发光特性以及能量守恒定律选择采用折射 全反射(TIR)光学系统,通过建立TIR折射面及全反射面轮廓曲线上的点所满足的常微分方程,利用Runge Kutta求解常微分方程得到轮廓曲线上点的坐标,再在UG中对坐标点进行曲线拟合得到轮廓曲线,进而得到TIR模型及适合数控加工的面形数据。将TIR模型导入Tracepro并对投射系统追迹光线。模拟结果表明：目标平面的光照均匀度达到92.6%,系统的效率达到91.8%。     

Towards simulation of high temperature methane spectra

Methane plays a central role in gas layers of temperatures up to around 3000 K in a number of astrophysical objects ranging from giant planets to brown dwarfs, over proto-solar nebulae, to several classes of cool stars. In order to model and analyse these objects correctly, an accurate and complete list of spectral lines at high temperature is demanded. Predicting high temperature spectra implies, however, predicting hot bands and thus modelling highly excited vibrational states. This is a real challenge in the case of methane. We report the preliminary results of a theoretical study combining the global effective Hamiltonian approach and its computational implementation (STDS package: http://www.u-bourgogne.fr/LPUB/shTDS.html) with semi-quantitative statistical considerations.     

超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究

利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度E_THz（t）,表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50 kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗（即增益）的截止频率ν_c,随着电场的增大而增大;当电场大于50 kV/cm时,负功耗的截止频率ν_c开始在750 GHz（10 K）附近饱和. 关键词： 太赫兹 非平衡载流子 功耗谱 谷间散射     

大功率LED热阻自动测量方法研究

在没有散热措施的情况下,大功率LED芯片的温度迅速升高,当结温超过最大允许温度时,大功率LED会因过热而损坏。大功率LED灯具设计中,最主要的设计工作就是散热设计。利用LED半导体器件的结电压与结温具有良好的线性关系的特性,通过测量大功率LED工作时的正向压降,工作电流,恒温箱温度和热衬温度,采用的电学参数法,实现了大功率LED热阻的自动测量。设计并制作了大功率LED热阻自动测量仪,快速、准确的测量了LED晶片到热衬的热阻。六种不同规格LED晶片到热衬的热阻测量值与计算值之间的误差小于10%。热阻测量值普遍高于理论计算值,说明LED制造工艺水平还有很大的提升空间。     

新型大功率LED路灯设计与分析

随着大功率LED光源性能的不断提高,大功率LED路灯已经得到了广泛的应用。针对大功率LED路灯设计,提出适用于多芯片的新型二次光学系统,实现光学透镜模组化设计。利用微槽群阵列技术进行模组散热器设计,提高LED路灯的散热效率。通过测试配光曲线和温度等参数,分析LED路灯的性能。     

The effect of high iron-ion implantation doses on the X-ray emission spectra of silicon

X-ray emission spectroscopy (Si L _{2, 3} spectra, 3d3s → 2p electronic transition) was employed to study p-and n-type silicon samples implanted with Fe⁺ ions in a pulse mode (the implantation energy was 30 keV, the pulse current was varied up to 0.5 A, the pulse duration was 400 μs, and the ion irradiation doses ranged from 10¹⁴ to 10¹⁷ cm⁻²). The x-ray emission spectra were found to be dependent on the ion irradiation dose and the electron-accelerating voltage that was used in the x-ray studies. By comparing the Si L spectra with the spectra of reference materials and by modeling the former spectra, it was revealed that, as the ion-irradiation dose increases, there occur disordering of the structure, partial amorphization of the sample in a surface layer approximately 7200-? thick, and its subsequent recrystallization (under high irradiation doses). It was shown that this effect is most pronounced in a layer at a depth of ∼1000 ? and is not associated with the formation of iron silicide FeSi in the bulk of the sample but rather is due to the breakage of Si-Si bonds caused by ion implantation under the irradiation doses used. Original Russian Text ? D.A. Zatsepin, E.S. Yanenkova, é.Z. Kurmaev, V.M. Cherkashenko, S.N. Shamin, S.O. Cholakh, 2006, published in Fizika Tverdogo Tela, 2006, Vol. 48, No. 2, pp. 204–209.