Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性

研究了具有不同氧含量的Bi2Sr2CaCu2O8 δ单晶超导临界温度的各向异性,通过测量沿ab面和c轴的电阻率发现,在轻欠掺杂到过掺杂区域,单晶沿ab面和c轴的Tc值是比较接近的,但在重欠掺杂区,沿ab面的Tc值比c轴的Tc明显高,从平衡态的相位涨落模型可以得到,由于涨落效应对 c轴的临界电流密度的压制作用比对ab面的要强,导致了Tc的各向异性,但这种模型无法解释重欠掺杂超导体中ab面和c轴的Tc如此大的差别,我们认为重欠掺杂超导体中的相位涨落行为不同于其他掺杂超导体中的行为,实验和理论上都值得进一步深入研究。     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶S-N转变的E-J特性

我们应用脉冲电流的方法测量了Bi2Sr2CaCu2O8单晶在4特斯拉强场下的大电流时等温E－J特性,我们观察到在大电流时,样品电阻率ρ迅速增大,随着电流的继续上升,经过一段正曲率增长阶段,几乎达到饱和值,最后经过一段负曲率上升,达到正常态,显示出完整的S形,应用尹道乐等人的统一物质方程理论,给出了实验曲线较好的数值拟合,根据拟合结构,讨论了理论中各个参量的物理意义。     

Bi2Sr2CaCu2O8+δAu界面性质的研究

采用高真空下(2～3×10-5Pa)原位,低温(77K)解理,高速原位蒸发金膜的方法,我们得到了接近"本征"的CuO2/Au接触界面.测量结果显示接触界面为欧姆接触.四端法测量的结果显示这样的界面有着较小的电阻率(<1.5×10-8Ωcm2).我们认为,一种可能是因为临近效应的影响造成了CuO2/Au接触界面电阻的消失,而所测量到的剩余电阻实际应为外电路引入的电阻,而另一种可能是界面仍然存在一极小的欧姆接触电阻.这将对研究高温超导体与金属接触的界面性质有着积极的意义.     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶中的反常尖锋效应

使用牛津震动样品磁强计 (VSM)研究了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的磁滞回线 .在 2 0到 40K温度之间发现了反常的尖锋效应 ,随样品O含量的增加 ,发生尖锋效应的外场也相应提高 .可以认为在尖峰效应处发生了由涡漩物质的有序固态到无序固态的相变 ,在有少量点缺陷存在的BSCCO单晶相图上 ,Bsp线终止于 2 0K温度处 ,在 2 0K以下温区没有发生准格子到涡漩玻璃的相变 ,涡漩固相始终以准格子形式存在 ;可以认为尖峰效应是外场、温度、无序的复杂函数     

用于微波滤波器的Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文报导用磁控离子溅射和后热处理方法在LaAlO3(001)衬底上制作2英寸双面Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212) 超导薄膜的方法和薄膜的特性.XRD测试表明薄膜具有纯的Tl-2212相和c轴垂直于膜面的织构.衬底两侧薄膜的结晶形貌和超导电性均匀,超导转变温度Tc一般为105 K左右,液氮温度下临界电流密度Jc>2×106A/cm2,10GHz频率下表面电阻最小达到350μΩ,可满足超导微波滤波器实用的需要.     

在MgO衬底上制作Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

在MgO衬底上,利用共蒸发方法制备DyBa2Cu3O7作为缓冲层,再利用磁控溅射和后处理方法,制备了Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜.X射线衍射θ～2θ及φ扫描结果表明Tl-2212薄膜、Dy-123薄膜与衬底MgO呈外延生长关系.制备的Tl-2212薄膜Tc＝105.5K,液氮温度下临界电流密度Jc＝2.5×106A/cm2.     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶中的反常尖锋效应

使用牛津震动样品磁强计(VSM)研究了Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶的磁滞回线.在20到40K温度之间发现了反常的尖锋效应,随样品O含量的增加,发生尖锋效应的外场也相应提高.可以认为在尖峰效应处发生了由涡漩物质的有序固态到无序固态的相变,在有少量点缺陷存在的BSCCO单晶相图上,B_sp线终止于20K温度处,在20K以下温区没有发生准格子到涡漩玻璃的相变,涡漩固相始终以准格子形式存在;可以认为尖峰效 关键词： 2Sr₂CaCu₂O₈单晶')" href="#">Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶 磁滞回线 尖锋效应 相变     

光声光谱技术在测量光谱响应特性方面的应用

用光声光谱技术测量光电探测器的相对光谱响应特性,以高灵敏度的光声池(池内装有吸收系数约为1的碳黑)作为参考探测器,具有较好的波长无选择性。用碳黑监测光源功率,减少光源功率起伏误差。采用二次测量归一化方法避免了分束器的影响。实验测得了比较准确的相对光谱响应特性曲线,为研究光电探测器的特性提供了一种可行的方法。     

Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶中的电阻反常行为

测量了Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶的ab面和c轴方 向电阻,在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现.其随外磁场(>100Gs)和电流的增 加而逐渐消失.文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再 进入行为. 关键词： 2Sr₂CaCu₂O₈单晶')" href="#">Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶 反常电阻峰 准再入行为     

Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶中的电阻反常行为

测量了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的ab面和c轴方向电阻 ,在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现 .其随外磁场 (>10 0Gs)和电流的增加而逐渐消失 .文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再进入行为 .     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)单晶的钉扎力标度和磁通钉扎机制

测量了 Bi2 Sr2 Ca Cu2 O8+δ单晶不同温度下的磁化曲线。根据 Bean临界态模型得到了不同温度下的钉扎力密度 FP 对磁场的依赖关系 ,发现在不同温度下的钉扎力密度可以标度在同一条曲线上。标度函数和最大钉扎力所对应的磁场与不可逆场 Hirr的比值都表明 Si2 Sr2 Ca Cu2 O8+δ单晶在磁通玻璃态的钉扎机制主要是正常相面钉扎。     

Micro‐Raman study of exfoliated Bi2Sr2CaCu2O8+δ single crystals with different thicknesses

Exfoliated Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ (Bi‐2212) single crystals were prepared by micromechanical cleavage of bulk Bi‐2212 single crystals on SiO₂/Si substrates. Room temperature micro‐Raman spectra were collected using a 532‐nm laser source. The evolutions of the spectra of A_1g (Bi), A_1g (Sr), and A_1g (O_Bi) Raman modes with different thicknesses of the samples were studied. The refractive index of Bi‐2212 single crystal was obtained by studying the intensity evolutions based on the interference effect. The observed wavenumber shifts of the A_1g (Bi), A_1g (Sr), and A_1g (O_Bi) modes were analyzed. Copyright © 2011 John Wiley & Sons, Ltd.     

溶胶-凝胶法制备Sr2Bi4Ti5O18薄膜及其铁电性能研究

采用溶胶-凝胶法,在氧气氛中和层层晶化的工艺条件下,成功地制备了沉积在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上的铁电性能优良的Sr2Bi4Ti5O18(SBTi)薄膜,并研究了SBTi薄膜的微结构、表面形貌、铁电性能和疲劳特性.研究表明:薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,且为随机取向;薄膜表面光滑,无裂纹,厚度约为725nm;铁电性能测试显示较饱和、方形的电滞回线,当外电场强度为275kV/cm时,其剩余极化2Pr和矫顽场2Ec分别为24.0μC/cm2和137.8kV/cm;疲劳测试发现薄膜经过4.4×1010次极化反转后,基本没有显示疲劳.     

Study on the superconducting composite material formation in the system Bi2Sr2CaCu2O8+x/Al-containing phases

Phase evolution in the Bi---Sr---Ca---Cu---Al---O system was studied. Two Al-containing phases BiSr_1.5Ca_0.5Al₂O_z and (Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ (x = 0.4 − 0.45) were determined to be chemically compatible with Bi_2.18Sr₂CaCu₂O_8+x (Bi-2212) at temperatures of the samples processing. The phase equilibria in the title system were investigated above the solidus temperature. The BiSr_1.5Ca_0.5Al₂O_z was found to be in equilibrium only with the melt and the (Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ phase. This latter aluminate equilibrated with Ca,Sr cuprates, CaO, the Cu-free phase, and the liquid. The melting and solidification in Bi-2212, doped with the aluminate, corresponded to the reversible reaction Bi-2212 + BiSr_1.5Ca_0.5Al₂O_z ↔ (Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ + liquid. Two sets of superconducting composite materials with initial compositions Bi-2212 + nBiSr_1.5Ca_0.5Al₂O_z and Bi-2212 + m(Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ were prepared by solidification from the partial melt. The former material was composed mostly of large Bi-2212 lamellas separated by the BiSr_1.5Ca_0.5Al₂O_z phase, which destroyed superconducting links between Bi-2212 grains. The latter material consisted of a Bi-2212 polycrystalline matrix with high concentration of small (ca. 3 μm) grains of (Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ imbedded in Bi-2212 lamellas. The Bi-2212 + m(Sr_1−xCa_x)₃Al₂O₆ materials displayed a trend to enhance flux pinning at T = 60 K with the increase of aluminate phase content.     

Effect of Ba substitution for Sr in Bi2Sr2CaCu2O y superconducting films prepared by rf-sputtering method

In order to investigate the effect of the distance between the CuO₂ layer and the SrO layer, d _Cu-Sr, on the superconductivity in the Bi₂Sr₂CaCu₂O _y system, we have substituted Ba for Sr. Bi-(Sr, Ba)-Ca-Cu-O superconducting thin films were prepared by the rf-magnetron sputtering method. Rietveld analysis was employed to estimate d _Cu-Sr. Samples with various d _Cu-Sr were obtained by changing the post-annealing temperature as well as the Ba concentration. T_c was found to increase with increasing d _Cu-Sr.     

Bi2Sr2CaCu2O8掺杂MgB2的磁通钉扎特性

为了研究超导材料中高温超导相颗粒的钉扎行为，在Ar气保护条件下，采用固相反应法制备了质量百分比为0，3，5和10％BizSr2CaCu2O8含量的MgB2块状样品．用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品进行了显微结构分析；用物理性能综合测试系统振动样品磁强计（最大磁场9T）测量了所有样品在不同磁场下的直流M（T）曲线，并测量了不同温度下的准静态磁化曲线，通过Bean临界态模型分析出Jc（H）曲线．随着掺杂量的增大掺杂后Tc基本不变，转变宽度略为增大；相比于未掺杂样品，掺杂量为3wt％样品抗磁信号和临界电流密度有较大提高．显微结构分析结果表明，部分Bi2Sr2CaCu2O8分解为Cu2O和其它杂相，有部分Bi2Sr2CaCu2O8颗粒保留在样品内部，成为有效的钉扎中心．最后本文对超导体中的高温超导相颗粒的钉扎行为进行了分析．