p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO₂复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO₂复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明: 当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO₂复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7 nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO₂复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时 关键词： 溶胶-凝胶法 2复合薄膜')" href="#">Nb/SnO₂复合薄膜 结构表征 光电性能     

纳米晶SnO2透明导电薄膜的研制

阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景。介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O     

Cu掺杂SnO_2/TiO_2复合薄膜的制备及性能研究

制备Cu掺杂的纳米Sn O2/Ti O2溶胶,采用旋涂法在载玻片上镀膜,经干燥、煅烧制得Cu掺杂的Sn O2/Ti O2薄膜,通过对比实验探讨掺杂比例、条件、复合形式等对结构和性能的影响。采用XRD、SEM、EDS、UVVis等测试手段对样品进行表征,并以甲基橙为探针考察了其光催化降解性能。XRD测试结果显示薄膜的晶型为锐钛矿型,结晶度较高。SEM谱图显示薄膜表面无明显开裂,粒子分布均匀,粒径约为20 nm。EDS测试结果表明薄膜材料中含有Cu元素,谱形一致。UV-Vis吸收光谱表明Cu掺杂以及Sn O2/Ti O2的复合使得在近紫外区的光吸收比纯Ti O2明显增强。光催化实验表明Cu掺杂后使得Sn O2/Ti O2复合薄膜对甲基橙的光催化降解效率进一步提高,Sn O2/Ti O2复合薄膜的光催化活性在10%Cu掺杂时达到最高。     

基于旋涂法和电子束蒸发法制备的V2O5/Ag/V2O5叠层透明导电薄膜

利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V₂O₅/Ag/V₂O₅（VAV）透明导电薄膜,研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响。用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光电性能及功函数等性质进行了表征。实验结果表明,该薄膜具有良好的光学和电学性质,可见光（380~780 nm）平均透过率达75%,迁移率为16.89 cm²/（V·s）,载流子浓度为－1.043×10²² cm^-3,方块电阻值为15.1 Ω/□,功函数为5.17 eV。该制备方法降低了V₂O₅薄膜的工艺制备难度,为该材料在太阳能电池中的应用创造了良好的前期基础。     

TiO2/SnO2复合光催化剂的制备及性能

采用特殊液相沉淀法制备纳米级的TiO2/SnO2复合粒子,对制备的纳米TiO2/SnO2采用XRD、TEM等手段进行了表征。用它做催化剂在日光下对甲基橙溶液进行了光催化实验。结果表明,纳米级TiO2/SnO2复合催化剂比纯TiO2的催化活性好,当SnO2摩尔百分数为20%时效果最佳,在60min内对10mg/L的甲基橙水溶液的降解率高达90.2%,具有较好的光催化活性。     

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

以正硅酸乙酯(TEOS)为原料，采用旋转涂敷的方法，结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO₂薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性，傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH₃键，从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌，发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值，发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明，在300 ℃时介电常数最低达2.05. 关键词： 2')" href="#">多孔SiO₂ 低介电常数 溶胶-凝胶     

溶胶-凝胶法制备的GeO2-SiO2凝胶玻璃的红光发射

以3三氯锗丙酸和正硅酸乙酯为原料采用溶胶凝胶法制备了GeO2SiO2凝胶玻璃.室温下以532nm激光(Nd:YAG)激发GeO2SiO2凝胶玻璃有一强的发光峰,这种发光有两个发光带,其峰位分别在575nm和624nm.该发光现象是由镶嵌在GeO2SiO2凝胶玻璃中GeO2纳米颗粒产生的.利用吸收光谱和TEM对GeO2SiO2凝胶玻璃进行了表征,结果发现随着Ge含量的增加凝胶玻璃中GeO2纳米颗粒的尺寸越来越大,吸收边向低能边移动.X射线衍射和电子衍射确定GeO2SiO2凝胶玻璃中GeO2颗粒的结构为非晶结 关键词： GeO2-SiO2凝胶玻璃 溶胶-凝胶法 红光发射     

钙钛矿型纳米BaFeO3的制备、结构表征及铁磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备出钙钛矿型纳米BaFeO₃粉末,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析研究了其微观结构及形貌,结果表明：胶体试样经800℃退火处理后,形成了20nm左右的钙钛矿型BaFeO₃粉末,其(110)面晶面间距为0.280nm左右,(100)面晶面间距为0.401nm左右.利用振动样品磁强计(VSM)研究了纳米BaFeO₃粉末的室温铁磁性能,测量结果表明：在室温条件下,纳米BaFeO关键词： 溶胶-凝胶法 3')" href="#">钙钛矿型纳米BaFeO₃ 铁磁性 氧空位     

In2O3/SnO2薄膜的制备及光谱反射性能研究

开展了在伪装网基布上镀In₂O₃/SnO₂薄膜的性能研究,系统分析了薄膜厚度对其光谱反射性能的影响;总结了薄膜厚度对In₂O₃/SnO₂薄膜表面形貌、光谱反射辐射性能的影响规律,为In₂O₃/SnO₂薄膜的红外伪装应用奠定了基础理论和实验依据. 关键词： 2O₃/SnO₂薄膜')" href="#">In₂O₃/SnO₂薄膜 红外反射特性 红外发射率 可见光—近红外透过率     

Epitaxial Bi2Sr2CuOy thin films as p-type transparent conductors

Development of p-type transparent conducting thin films is tireless due to the trade-off issue between optical transparency and conductivity. The rarely concerned low normal state resistance makes Bi-based superconducting cuprates the potential hole-type transparent conductors, which have been realized in Bi₂Sr₂CaCu₂O_y thin films. In this study, epitaxial superconducting Bi₂Sr₂CuO_y and Bi₂Sr_1.8Nd_0.2CuO_y thin films with superior normal state conductivity are proposed as p-type transparent conductors. It is found that the Bi₂Sr_1.8Nd_0.2CuO_y thin film with thickness 15 nm shows an average visible transmittance of 65% and room-temperature sheet resistance of 650 Ω/sq. The results further demonstrate that Bi-based cuprate superconductors can be regarded as potential p-type transparent conductors for future optoelectronic applications.     

纳米晶氧化锡薄膜的接触特性

在 Ar和 O2 气体中 ,基片温度在 15 0～ 40 0℃的条件下 ,用直流磁控溅射的方法可以制备纳米晶透明导电薄膜。实验利用 TL M模型测试了纳米晶 Sn O2 透明导电薄膜的方块电阻、单位面积薄膜的接触电阻和电极与薄膜的结合力随热处理温度的变化情况     

溶胶-凝胶法MgF2紫外增透膜的制备和性能研究

采用溶胶-凝胶法,以醋酸镁和氟化氢为原料,以甲醇为溶剂制备了MgF2溶胶,利用浸渍提拉法在洁净石英基片上镀膜,考察了反应温度对溶胶微结构、薄膜结构和性能的影响。样品采用激光动态光散射、透射电镜、X射线粉体衍射仪、紫外-可见光谱仪、原子力显微镜进行表征。结果表明：通过该方法制备的表面平整的低折射率MgF2薄膜,在紫外区具有很好的增透性能,同时在紫外波长355 nm激光的辐照下（脉宽6 ns）,薄膜具有较高的抗激光损伤性能,激光损伤阈值达10.85 J·cm-2。     

磁控射频溅射三SnO_2薄膜的气敏光学特性研究

采用磁控射频溅射在玻璃基片上制备SnO2薄膜,对采用不同工艺制备的薄膜进行了XRD和常温下的膜片在CO2、乙醇中的气敏光学特性与透射光谱测试。结果表明,该薄膜在常温下对测试气体有敏感效应,会引起透射光谱的变化,并且光谱透射率的变化与波长相关。     

Ni/SnO_2复合薄膜的制备与光电性能

采用旋涂法将溶胶-凝胶法制备的Ni/Sn O2凝胶在玻璃基底上镀膜,得到了Ni/Sn O2复合薄膜,探讨了镍掺杂量、煅烧温度对薄膜结构和形貌的影响。通过X射线衍射、红外光谱、扫描电子显微镜等测试手段对Ni/Sn O2复合膜的结构和形貌进行表征。结果显示,500℃下煅烧的薄膜样品的结晶度较高,粒径小,颗粒分布均匀。用紫外-可见分光光度计和四探针电阻仪对其进行光学、电学性能测试,结果显示:适量的Ni掺杂可以提高Sn O2薄膜在近紫外光区的吸收,Ni/Sn O2薄膜在近紫外光区的吸收随着Ni2+掺杂摩尔分数从5%增加到10%而逐渐减小。当Ni2+掺杂摩尔分数为6%时,Ni/Sn O2复合薄膜的导电性能最好。     

氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜的制备及其光学性能

用溶胶-凝胶-水热过程制备了氧化硅稳定的氧化锡量子点,然后将其分散到氧化硅溶液中,用旋转涂膜的方法制备光学性能良好的氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜。X射线衍射和高分辨透射电镜表征显示氧化锡量子点具有良好的四方金红石晶型,平均粒径约4.0 nm。室温光致发光显示这种氧化硅稳定的氧化锡量子点薄膜在356 nm和388 nm处分别有很强的激子发光和缺陷态发光。根据透射谱拟合得到了氧化锡量子点薄膜的光学禁带宽度,其值约为3.96 eＶ。     

Preparation and characterization of Mg-doped ZnO thin films by sol-gel method

Undoped and Mg-doped ZnO thin films were deposited on Si(1 0 0) and quartz substrates by the sol-gel method. The thin films were annealed at 873 K for 60 min. Microstructure, surface topography and optical properties of the thin films have been measured by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM), UV-vis spectrophotometer, and fluorophotometer (FL), respectively. The XRD results show that the polycrystalline with hexagonal wurtzite structure are observed for the ZnO thin film with Mg:Zn = 0.0, 0.02, and 0.04, while a secondary phase of MgO is evolved for the thin film with Mg:Zn = 0.08. The ZnO:Mg-2% thin film exhibits high c-axis preferred orientation. AFM studies reveal that rms roughness of the thin films changes from 7.89 nm to 16.9 nm with increasing Mg concentrations. PL spectra show that the UV-violet emission band around 386-402 nm and the blue emission peak about 460 nm are observed. The optical band gap calculated from absorption spectra and the resistivity of the ZnO thin films increase with increasing Mg concentration. In addition, the effects of Mg concentrations on microstructure, surface topography, PL spectra and electrical properties are discussed.