首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
在电子碰撞He原子同时电离同时激发的(e, 2e)反应中,利用DWBA模型,考虑了入射通道基态He原子两种不同的初态波函数,计算了He原子同时电离激发反应的三重微分截面(TDCS),并与实验数据进行比较。结果表明,有关联的Sliverman波函数计算得到的TDCS与实验数据吻合的更好点。  相似文献   

2.
考虑He靶原子具有径向及角度关联的初态波函数,应用三体库仑模型(简称3C)研究电子碰撞He原子电离激发过程,并进行理论推导,按照实验要求计算和分析了在共面不对称几何条件下,能量分别为5.50、1.50和0.570 keV的入射电子碰撞He原子电离激发的三重微分截面(TDCS),并将其计算结果与绝对实验数据及其它理论结果进行了比较. 计算结果表明,BBK模型能够定性地描述这样的反应过程,且能反映实验数据中TDCS呈现出一强的recoil峰,对于某些能量和散射角,其recoil峰甚至高于binary峰,这与中高能单电离过程是完全不相同的.  相似文献   

3.
文中采用氨原子的三种近似波函数,计算了入射电子能量为5599 eV时,敲出电子共面等能分享几何安排下,氦原子双电离He(e,3e)反应全微分截面.结果表明三种波函数的理论计算结果,在误差范围内都与实验数据基本吻合,其中采用Pluvinage波函数所得到的理论数据更接近实验数据.  相似文献   

4.
文中采用氦原子的三种近似波函数,计算了入射电子能量为5599eV时,敲出电子共面等能分享几何安排下,氦原子双电离He(e,3e)反应全微分截面.结果表明三种波函数的理论计算结果,在误差范围内都与实验数据基本吻合,其中采用Pluvinage波函数所得到的理论数据更接近实验数据.  相似文献   

5.
在DS3C模型的基础上,对氦原子(e,3-1e)反应的末态He+2场中未探测电子的屏蔽效应进行了研究.计算了(e,3-1e)过程中入射能为640 eV时,电子入射双电离He原子的四重微分截面(4DCS);讨论了非一级效应对截面结构的影响.所得结果与其他理论计算进行比较发现:文中结果与最新测量的实验数据较好地吻合.  相似文献   

6.
He原子(e,3e)反应中末态波函数的动量相关   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
在前期工作的基础上,进一步考虑了He原子(e,3e)反应中末态四体的动量相关.用改进后的理论计算了高能电子入射双电离He原子的五重微分截面(FDCS).与前期理论相比,所得结果大大地改善了理论曲线与实验结果的吻合程度.  相似文献   

7.
电子入射双电离He原子的理论研究   总被引:3,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
完成了高入射能(E05.6keV),低敲出能(E1=E2=10eV)情形下,电子入射双电离He原子五重微分截面(FDCS)的理论计算.计算中使用了三个电子在He+2离子场中的四体末态波函数.计算结果与其他理论结果进行比较发现:所得结果与最新的(e,3e)实验数据较好地一致.  相似文献   

8.
在入射光子能量为79.6 eV~139 eV范围内,利用DS3C模型计算了不同碰撞几何条件下He光双电离的三重微分截面(TDCS),并与3C模型计算结果、CCC理论结果和实验数据做了比较.表明,末态波函数动量相关效应成功地修正了3C结果,特别当入射光子能量接近阈值时,明显改善了与实验结果的符合程度.  相似文献   

9.
本文在一级Born近似下,研究了激光场中正电子对基态氢原子的碰撞电离反应,并与入射粒子为电子的(e,2e)反应进行了对比.激光场中正电子态和敲出电子态分别采用Volkov波函数和Coulomb-Volkov波函数,靶原子的缀饰波函数由含时微扰论给出.计算结果显示激光缀饰的三重电离截面明显依赖于入射粒子电荷符号.激光越强,二者差距越大.  相似文献   

10.
本文使用扭曲波波恩近似方法(DWBA)研究了共面对称条件下钙原子的电子碰撞电离反应((e,2e)反应),在DWBA理论的基础上,考虑了原子极化势和离子极化势对三重微分散射截面的影响.采用发展的DWBA方法,我们研究了出射电子能量从6.75 e V到29.25 e V范围内电子与钙原子的碰撞电离过程,计算了电离三重微分截面.通过与已有理论和实验数据进行比较发现,离子极化势对钙原子的共面对称(e,2e)反应散射微分截面有较大的影响,很好的描述了碰撞电离微分截面的结构效应,特别是在散射角度较小时(≦60o),本文计算结果与实验测量非常一致.  相似文献   

11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号