低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器.该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级.测试结果表明,放大器功耗降为230μW/ch,电源电压降低0.7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷.     

液态金属离子源发射系统的电场计算

针对液态金属离子源的发射系统属于轴对称系统的特点,采用动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对液态金属离子源发射系统的电场进行了计算,结果表明,该方法计算精度高,非常适合于电子束、离子束系统发射极附近电场的计算.     

基于主动荷电的电荷感应粉尘浓度检测技术

静电电荷感应法在典型生产性粉尘检测中被广泛使用,但粉尘本身的静电量易受环境参数影响,且信号拾取难度较大,导致粉尘浓度检测相对误差较大。为降低检测误差,分析了主动荷电的电荷感应法的基本原理;通过研究不同种类粉尘在不同荷电电压下的粉尘检测信号信噪比,得到满足信噪比要求且不击穿的主动荷电电压值;研究了不同种类粉尘检测下限值;经过对比试验得到：主动荷电电荷感应法检测误差是14.2%,比静电荷感应法的误差小4.4%。     

基于微处理器的程控电流源设计

介绍了一种程控电流源的设计方法。该程控电流源输出电流范围为200~2 000 mA,电流频率为50 Hz,根据按键可控制电流的增减,其步进为1 mA。文中采用AT89C51作为控制器输出电流控制字,经过数模转换芯片MAX539进行数模转换以控制运放。仿真结果表明,该设计具有控制精度高,制作简单等优点。     

一种基于电流源模型的SoC电源分祈与验证方法

随着半导体技术的进步，SoC设计日益复杂和向低功耗方向发展，电源网络的设计日益关键。因此可靠的电源分析和验证结果已经成为向Foundry交付设计数据的先决条件之一。本文分析了SoC电源设计中存在的潜在问题，给出了业界适用的设计、验证方法，并以工程设计为例，给出层次性SoC设计中电源设计、验证的相关流程。     

高压电压源与电流源变频器性能对比的讨论

电流源高压变频器是高压变频器产品方案之一,有特定的应用场所,本文将其和电压源型高压变频器作了对比分析。     

大面积均匀微波等离子体源的电磁场计算及优化设计

本文对大面积均匀微波等离子体源的放电室中的电磁场进行了理论分析，导出放电室的直径、高度与微波窗口厚度三者之间的关系，给出一些典型参数时的电场强度分布图，提出了胶体高度可调的必要性，为该种形式源的优化设计提供了理论依据。     

用于功率MOSFET的新型栅电荷测试电路

栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小不能直接测量,测试时采用测量电压阶跃信号的方法来衡量电流阶跃信号的性能。与以往的测试电路对比结果表明,该电路可以使MOSFET栅极输入的电流更接近于理想的电流阶跃信号,该信号上升时间小于100 ns,并且上升后稳定,因此提高了栅电荷测量的准确度。     

基于BELLHOP的水声信道时变模型

随着海洋开发和信息产业的发展,对水声信道的研究日益重要。传统的射线声学模型不能很好地反映水下环境的复杂多变性。本文提出的BELLHOP--多普勒时变模型充分考虑了水体环境和信道几何结构等物理因素,反映了水声信道的衰减、多径、时变特性,并重点分析了多普勒效应造成信号频移和时间扩展(或压缩)的问题。     

电子感应加速器的加速电荷测量系统设计

阐述针对缺乏小型电子感应加速器密封加速管状态下的加速电荷检测手段,提出依据加速电子与靶相互作用产生电流的机制来计算加速电荷量。设计了基于FPGA的靶电流测量系统,根据实验结果计算加速电荷量为3.02×10^-8C。     

Analytical Charge Voltage Model in MOS Inversion Layer Based on Space Charge Capacitance

The2 -Dimensional nature of the inversion layer carrier in MOS structure is well-known[1 ,2 ] and the Quantum Mechanical Effects(QMEs) on MOS structure' s behaviorhave been extensively studied by numerical survey by self-consistent so...     

Analytical Charge Voltage Model in MOS Inversion Layer Based on Space Charge Capacitance

The concept of Space Charge Capacitance (SCC) is proposed and used to make a novel analytical charge model of quantized inversion layer in MOS structures. Based on SCC,continuous expressions of surface potential and inversion layer carrier density are derived.Quantum mechanical effects on both inversion layer carrier density and surface potential are extensively included. The accuracy of the model is verified by the numerical solution to Schrodinger and Poisson equation and the model is demonstrated,too.     

光电导聚合物中空间电荷光栅形成过程的研究

本文研究了光电导聚合物中空间电荷场的建立过程和稳态特性。研究了电荷俘获中心对空间电荷场强度，建立时间以及相移的影响。     

科学改造无功补偿装置减少电费支出

分析了功率因数偏低的原因,主要原因有原有低压无功补偿装置设计不合理,器件出现故障,不能提供系统所需的无功补偿功率。通过实例给出了无功补偿装置改造的具体做法,如加装电抗器,选用耐压等级合适的电容器,采用无功补偿装置专用交流接触器,并合理规划了无功补偿柜内散热通道。最后对改造前后的经济效益进行了分析。     

一种基于电荷泵锁相环的高精度数字移相方法

移相器是相控阵雷达的核心器件,随着工作频率的逐步提升,传统移相器的插入损耗和相位控制误差恶化严重,导致额外增加的功耗及波束性能变差.本文基于电荷泵锁相环（Charge Pump Phase-Locked Loop,CP-PLL）开展了高精度数字移相方法的研究.在分析CP-PLL相位数学模型与移相机理的基础上,提出了通过数控电流源的方法实现对输出信号相位的精确控制,建立电路模型开展仿真分析,并设计了实验电路模块,通过仿真和实测的对比验证了该方法的有效性和精确性,实现了移相步进优于1°,移相精度优于移相值的10%.该CP-PLL可通过作为本振信号或直接产生发射信号应用于相控阵雷达系统中,具有精度高、功耗低、易集成等特点,从而取代移相器,有效提升相控阵雷达的性能.     

乘性噪声背景下基于三阶循环矩的二维近场源定位方法

 本文提出一种基于三阶循环矩的近场源二维参数估计方法.该方法以均匀线阵为接收传感器阵列,通过构造三个三阶循环矩矩阵估计出近场源的方位角和距离参数,利用循环统计量去除加性噪声,通过预校准法消除乘性噪声,适用于乘性噪声或乘性噪声和加性噪声共存背景下的二维近场源定位.仿真实验验证了该方法的有效性.     

基于模拟电荷法的微间隙场增强因子研究

运动电极下的微间隙是国际电工委员会推荐安全火花试验装置（IEC-STA）短路火花放电体系的核心组成部分,也是研究装置短路放电特性、揭示短路放电机理的关键性难点。为研究其短路放电特性,运用扫描电镜对其电极进行了扫描分析,重构了最危险打火情形下的电极表面形貌模型。基于模拟电荷法建立了阴极表面场强的数学模型,并对传统模拟电荷法进行了改进,给出了其参数设置、算法流程及病态矩阵处理方法,并对场增强因子进行了数值计算。数值计算结果表明,对于给定的微凸起高度,场增强因子与微凸起密度并不成简单的单调关系,而是存在使场增强因子最大的微凸起密度;对于给定的微凸起密度,在电极间距较大的情况下,场增强因子随间距成单调递减关系,反之,则随间距的减小而增大。数值计算结果为IEC-STA短路放电特性研究奠定了基础。     

基于边缘电流逼近法近远场变换中的探头补偿

对探头H面方向图,国内使用的E面电场积分法,在天线的远区副瓣引入较大误差。针对这种情况,提出一种新的基于边缘电流逼近法的探头方向图应用。通过在微波暗室对某频段天线进行实验测试,分别用国内传统的E面电场法与新方法进行计算比较。结果表明,此方法大大的改善了副瓣精度,基本达到了国际先进水平,为国内高精度测试打下了坚实的基础。     

基于VO2/TiO2/FTO微结构的电压诱导相变存储器特性

相变存储器作为下一代具有竞争力的新型存储器,其基础和核心是相变存储介质.为了制备基于VO2薄膜的非易失性相变存储器,首先采用等离子体增强化学气相沉积法在氟掺杂二氧化锡(FTO)导电玻璃衬底上沉积一层厚度为100 nm的TiO2薄膜,再通过直流磁控溅射法制备VO2薄膜,并在TiOJFTO复合薄膜上形成VO2/TiO2/FTO微结构,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪和半导体参数测试仪表征分析微结构的结晶和非易失性相变存储特性.结果表明,N2和O2的体积流量比为60∶40时,在TiO2/FTO上可生长出晶向为〈110〉的高质量VO2薄膜,在VO2/TiO2/FTO微结构两侧反复施加不同的脉冲电压,可观测到微结构具有非易失性相变存储特性,在67,68和69℃温度下的相变阈值电压分别为8.5,6.5和5.5V,相比多层膜结构的相变阈值电压降低了约37％.