掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法,改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的a-Si：H,O薄膜.用离子注入方法掺入铒,经300一935℃快速热退火,在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光.氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系,不是单调地随氧含量的增加而增强.研究了掺铒a-Si:H,O薄膜和微结构,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系.     

掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构

采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .     

掺铒Al2O3薄膜与镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光特性比较

用中频磁控溅射工艺分别制备了掺铒Al2O3薄膜和镱铒共掺Al2O3薄膜,室温下测量了它们的光致发光特性.结果表明:镱铒共掺Al2O3薄膜光致发光的峰值强度为掺铒Al2O3薄膜的8倍以上, 两者的半值宽度近似相等;泵浦功率增强,掺铒 Al2O3薄膜光致发光强度出现饱和趋势,但镱铒共掺Al2O3薄膜的光致发光强度随泵浦功率线性增加.     

a—Si：O：H钝化膜

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.     

铒,氧共注a—Si：H和a—SiCx：H的1.54μm光致发光

在ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ中共注稀土铒和氧。３００℃和４００℃热退火后，测得了来自发光中心Ｅｒ３＋内层４ｆ电子跃迁的１．５４μｍ光致发光。４００℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加，发光强度逐渐减弱，这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。     

掺铒Al2O3薄膜的性能与制备

简述了几种Al2O3薄膜的制备方法,使用中频孪生靶非平衡磁控溅射系统制备了掺铒Al2O3薄膜,并对其进行检测,结果表明该方法制备的薄膜适于制作光纤放大器.     

a—Si：H和a—SixH1—x：H光学特性的研究

本文所用a-Si:H和a-SixN1-x:H薄膜是用辉光放电法制备而成的,薄膜中氮含量由淀积气体中氮气与硅烷气体体积比γ(=N2/SiH4)来控制,利用椭圆偏振光谱测定了a-Si:H和a-SixN1-x:H在波长为200A-6000A的范围内的光学常数.着重研究了其光学参数随制备时的衬底温度T和γ而变化的变化规律.     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

不同波长泵浦的掺铒Al2O3薄膜光波导1．53μm荧光特性

本文通过分析饵的能级结构,考虑了合作上转换、激发态吸收及交叉驰豫等上转换机制,给出了掺铒（Er^3 )Al2O3薄膜光波导1480nm、80nm和820nm3种泵浦波长下的速率方程,通过求稳态解,分析了3种波长泵浦时发射的1．53μm荧光特性以及合作上转换和激光态吸收对荧光的影响,结果表明利用980nm波长泵浦时可得到相对较强的1．53μm荧光,产浦强度时激发态吸收对荧光影响较大,而在高掺（Er^3 ）浓度时合作上转换占主导地位。     

掺钇α—Si：H膜的光性研究

用反射消光式椭圆偏振光谱研究了射频溅射法制备的不同衬底温度和不同掺钇浓度下的α-Si:H(Y)膜在可见光区的光学性质,结果与透射谱一致。由红外吸收谱判断膜中氢含量和存在形式随生长条件和掺钇浓度变化。     

用PECVD法沉积α-C:H薄膜的研究

本文报导了使用PECVD方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,利用化学反应平衡方程讨论了α-C:H膜的沉积机理以及[H]基对生成膜结构的影响。     

等离子增强化学汽相淀积SiC_x:H和SiN_xC_y:H薄膜的特点

<正> 一、引言 碳化硅具有优异的物理、化学稳定性,高的击穿电场和饱和电子迁移率等特性,因此被广泛用作温敏器件、集成电路表面钝化材料。 随着超大规模集成电路技术的发展,三元化合物薄膜的开发得到了重视,如氮氧化硅薄膜作为抗钠离子和抗潮湿的最后保护层,双层技术的中间层,已用于制造VLSI。氮碳化钛(TiC_xN_y)薄膜被用于保护涂层等。笔者在研究碳化硅、氮化硅薄膜的基础上,开展了碳氮化硅薄膜材料的研究。选择等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法制备碳化硅,碳氮化硅薄膜。     

a-Si:C:H and a-Si:N:H Thin Films Obtained by PECVD for Applications in Silicon Solar Cells

Hydrogenated amorphous silicon-carbon (a-Si:C:H) and hydrogenated silicon-nitrogen (a-Si:N:H) antireflective films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 13.56 MHz in SiH₄ + CH₄ and SiH₄ + NH₃ gaseous mixtures of various compositions. The silicon and glass samples were investigated by optical spectroscopy, Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR), and scanning electron microscopy (SEM). A correlation between film properties and process parameters was found. The refractive index decreased and the energy gap increased with an increase of carbon and nitrogen in the films. For some process parameters, it was possible to obtain smooth, hydrogen rich, and homogeneous films of low reflectivity. The silicon solar cells with antireflective coatings revealed an increase in efficiency.     

PECVD a-Si:H薄膜及光电导特性测量和分析(英文)

The thesis introduces the principle and course of a-Si:H films deposited with PECVD technique, the determination of characteristics of photoconductivity, and the variation under different substrate temperatures. (100-300℃). Through the experiment the activation energy is obtained, and the result shows that the best substrate-temperature is 250℃. Further analysis and discussions from distributions of hydrogen are also made.     

PECVD a—Si：H薄膜对TFT有源矩阵性能的影响及其淀积工艺研究

分析了a－Si：HTFT有源层──a－Si：H薄膜质量和厚度对于a－Si：HTFT关键性指标（通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率）的影响，深入、详细地研究了PECVD衬底温度、RF功率和频率、气体流量和反应室气压等淀积工艺参数对a—Si：H薄膜组分、结构的影响，并在实验的基础上给出了它们之间的关系曲线，确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的7.5cm372×276象素a－Si：HTFT有源矩阵。     

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.     

RF-PECVD法制备a-Si1-x Cx:H薄膜的光学性能研究

以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-x Cx:H)薄膜.采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析.结...     

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.