Morse势函数和钼单晶等的临界切应力的温度依赖性

综述了以往钼、铁、铝、镁等单晶临界切应力温度依赖性的实验；指出：在滑移系统不变的条件下，在一定的温度范围内，临界切应力和温度呈近似指数关系是相当普遍的规律。Ｍｏｒｓｅ势函数应用和实验的吻合说明原子间力对屈服应力的重要作用。结合近来发展讨论今后的发展，指出金属范性的本质深入到电子结构层次研究的重要意义。     

钼单晶临界切应力的温度依赖关系

本文研究了钼单晶临界切应力和温度的依赖关系。数据指出:临界切应力的对数值在一定温度范围内,随绝对温度近似线性变化。这个结果和Cottrell-Bilby的位错气团模型不符合。假设温度升高,使杂质原子和位错中心原子的键合作用减弱,利用Morse势函可以解释Inσ-T的线性关系,并且所估计的斜率在数量级上和实验符合。     

应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响

单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度. 压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的, 因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义. 本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或500 ℃ 热处理后的预释放, 然后研究了上述应力预释放对压痕位错在后续较高温度(700–900 ℃)热处理过程中滑移的影响. 在未经应力预释放的情况下, 压痕位错在700–900 ℃热处理2 h后即可滑移至最大距离. 当经过上述预应力释放后, 位错在900 ℃热处理2 h后仍能达到上述最大距离, 但位错滑移速度明显降低; 而在700和800 ℃时热处理2 h后的滑移距离变小, 其减小幅度在预热处理温度为500 ℃时更为显著. 然而, 进一步的研究表明: 即使经过预应力释放, 只要足够地延长700和800 ℃ 的热处理时间, 位错滑移的最大距离几乎与未经预应力释放情形时的一样. 根据以上结果, 可以认为在压痕的残余应力大于位错在某一温度滑移所需临界应力的前提下, 压痕位错在某一温度滑移的最大距离与应力大小无关, 不过达到最大距离所需的时间随应力的减小而显著增长.     

非对称量子点中磁极化子性质的磁场和温度依赖性

采用Tokuda线性组合算符法和Lee-Low-Pines变换法,研究了温度和磁场对非对称抛物量子点中强耦合磁极化子性质的影响,简捷地得到了作为量子点的横向受限强度ω₁、纵向受限强度ω₂、电子-声子耦合强度α、外磁场的回旋频率ω_c和温度参数γ的函数的磁极化子的振动频率λ、基态能量E₀和有效质量m 关键词： 非对称量子点 强耦合磁极化子 磁场和温度依赖性     

光聚合物中全息光栅的温度依赖性研究

在Polyacrylic Acid(PPA)光聚合物中用双光束相干的方法成功地写入了全息光栅,用He-Ne 激光器作为探测光对光栅的写入过程进行了实时监测.分两种情况重点研究了温度对光栅成栅过程的影响,一是在不同的温度下写入光栅;二是在室温下写入光栅,待光栅强度达到最高时再改变温度来研究温度对光栅的影响.实验中温度的变化范围为25 ℃~100℃.     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

准二维强耦合激子有效质量的温度依赖性

采用Tokuda改变的线性组合算符法和改进的Lee-Low-Pines变换法,研究了温度对量子阱中电子(空穴)与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱耦合激子的有效质量的影响.结果表明,由电子(空穴)-体纵光学声子弱耦合所产生的激子有效质量(Mex*-LO)随量子阱宽N的增加而增大、随电子与空穴间相对距离P的增加而先增大后缓慢减小再趋于稳定,温度T对Mex*-LO及其随N和P变化的规律产生显著影响.同时,Mex*-LO)随T的变化也强烈的受到量子尺寸效应的影响;由电子(空穴)-界面光学声子强耦合所产生的激子有效质量Mcx*-IO随N的增加而减小,随T的升高而增大、随p的增加而先增大后缓慢减小再趋于稳定,但丁对Mex-IO随N和p变化的规律无明显影响.     

对称多重裂变的形变位势位垒及其对核温度的依赖性

提出用多个准卡西尼亚回转体围绕一个内接球来作为对称2重及多重碎裂的形状.该形状可以从一球形光滑地形交到断点(仅用一个形变参数).此形状是卡西尼亚卵形体的推广,在二裂变情况下已证明它是一个良好的近似.利用这种参数化的类卡西尼亚形状,计算出了2、3、4、6和8重碎裂的形变位势和位垒,计算中考虑了亲近势和裂变位垒对温度的依赖性.此外还讨论了裂变动力学延时效应对于平衡统计多重碎裂的影响.     

温度对镍基单晶高温合金γ/γ'相界面上错配位错运动影响的分子动力学研究

用分子动力学方法研究了温度对镍基单晶高温合金γ/γ'相界面上错配位错运动的影响.研究结果表明:无论是在低温还是在高温下,错配位错的运动都是通过扭折的形核及扭折沿位错线的迁移来实现;在低温时错配位错的相互作用有利于错配位错的运动;然而在高温时错配位错的相互作用可以阻碍错配位错的运动,从而阻碍γ和γ'相界面的相对滑动,有利于提高镍基单晶高温合金的高温力学性能. 关键词： 镍基单晶高温合金 相界面 错配位错 分子动力学模拟     

量子棒中弱耦合极化子有效质量的温度依赖性

基于Tokuda-Lee-Low-Pines变分法研究了温度对非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合极化子有效质量的影响,推导出量子棒中弱耦合极化子的有效质量m*随量子棒纵横比e'、电子-声子耦合强度α和温度参数γ的变化规律.数值计算结果表明,量子棒中弱耦合极化子的横向有效质量m?*和纵向有效质量mx*均随电子-声子耦合强度...     

GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性

对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。     

磁场和温度对束缚磁极化子有效质量的影响

研究强、弱耦合情形下,库仑场中束缚磁极化子的性质.采用改进的线性组合算符方法研究束缚磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性,对RbCl晶体进行数值计算,结果表明:在强耦合情形下,束缚磁极化子的振动频率随温度的升高和磁场的增强而增加;有效质量随温度的增加而增加,但随磁场的增强而减少.     

量子阱中极化子的自能与电磁场和温度的关系

采用Ｌａｒｓｅｎ谐振子算符代数运算与变分微扰相结合的方法，研究处于电磁场中量子阱内电子一体纵光学声子耦合诉性质的曙依赖性，得到了有限温度下系统的自能。     

Holstein极化子能带和有效质量的温度依赖性

使用正则变换方法,考察了一维Holstein极化子能带和有效质量的温度依赖性。结果表明,对于一定的电子声子耦合强度,Holstein极化子能带宽度随温度升高而变窄,有效质量随温度升高而增大。特别是当电子声子耦合强度足够大时,极化子能带宽度在很小的温度范围内会迅速地变为零,我们认为这种情况实际上是极化子从能带状态向自陷局域态的迅速转变,这与通常的相变现象有点相类似。当电子声子耦合常数越大时,极化子有效质量随温度的升高而增加得越快。很显然,研究电子声子相互作用,对理解固体的光学和输运等性质将有重要的意义。     

Keggin结构钼磷酸钾纳米粒子的制备和表征

本文合成了纳米粒子钼磷酸钾 K3PMo12 O4 0 · 8H2 O,并通过元素分析、红外光谱、X射线衍射、电镜进行了表征     

光纤光栅温度和应力特性的实验研究

报道了光纤光栅分别受温度和应力影响时其中心工作波长的漂移情况，实验结果与理论计算相符，并由此实验结果得出重要结论：利用光纤光栅的温度和应力特性，通过合理的设计，可以控制其工作波长的漂移量。     

表面极化子光学声子平均数的磁场和温度依赖性

采用变分法、幺正变换和拉格朗日乘子法,研究了有限温度下纯二维晶体中表面磁极化子的性质.讨论了表面光学声子平均数、磁极化子振动频率λ与磁场B、温度T及Lsgrange乘子u之间的关系.对KCl晶体进行了数值计算,结果表明:磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随磁场B的增强而增加,且随温度T升高而增加.当bgrange乘子u超出慢电子范围时磁极化子振动频率、表面光学声子平均数均随u增加而增大且变化越来越显著.     

温度对Ib型和IIa型金刚石大单晶(100)表面特征的影响

本文在5.6 GPa, 1250–1340 ℃的条件下, 利用温度梯度法, 以FeNiMnCo 合金为触媒, 沿籽晶的(100)晶面成功合成了不同晶形的优质Ib型和IIa型金刚石大单晶. 利用激光拉曼附件显微镜, 分别对上述不同温度下合成的两类金刚石样品上表面(100)面的中心区域及棱角区域进行观察分析. 研究发现, Ib型和IIa型金刚石大单晶(100)晶面上从中心到棱角处黑色纹路的分布逐渐变黑变密集; 另外, 随着金刚石合成温度的升高, Ib型金刚石大单晶(100)面上黑色纹路由稀疏逐渐变稠密, 而IIa型金刚石大单晶的黑色纹路较为稀疏; Ib型金刚石大单晶的形貌特征表现为从低温晶体的不规则分布过渡到中温、高温晶体的典型树枝状分布. IIa型金刚石大单晶(100)面特征随温度变化规律与Ib型的类似. 这两类金刚石大单晶表面特征的差异可能是由于IIa 型金刚石具有比Ib型更小的生长速度和更少的氮含量. 最后, 对两类塔状金刚石大单晶进行拉曼光谱测试分析, 结果表明IIa型金刚石大单晶的品质较Ib型金刚石大单晶好.