用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

等离子体化学气相沉积及其在沉积超硬膜方面的应用

本文简要介绍了等离子体化学气相沉积的基本原理和几种主要类型的工艺特点，着重介绍了等离子体化学气相沉积在沉积超硬膜方面的新进展，主要包括制备氮化钛类薄膜、立方氮化硼薄膜、类金刚石薄膜及金刚石薄膜。     

APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的常压化学汽相沉积(APCVD)异质外延技术进行了讨论.在SiC薄膜的生长过程中对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.针对水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,非常好的解释了薄膜生长过程中出现的现象.     

金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究

以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积（MOCVD）技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射／沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN／GaN/Al2O3样品进行了分析,研究表明,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1-xN薄膜有一最佳TMIn/TEGa摩尔流量比。在一定范围内,降低其摩尔流量比,合金的生长速率增高,In组分提高;进一步降低TMIn/TEGa摩尔流量比,导致In组分下降,研究还表明,InGan薄膜的结晶品质随In组分的增大而下降,InGan薄膜的In组分由0．04增大到0．10,其最低沟道产额比由4．1％增至11．0％。     

C60单晶的汽相生长

报道使用Ｃ＿６０粉末，利用双炉装置，通过闭管汽相法生长Ｃ＿６０单晶的实验及结果。Ｃ＿６０单晶的质量很好，较大单晶的尺寸为０．５ｍｍ×０．６１ｍｍ×１．０ｍｍ。Ｘ射线衍射和电子衍射图的分析得到室温下Ｃ＿６０单晶为ｆ＿ｃｃ结构，确定了晶格常数，还进行了Ｒａｍａｎ光谱实验，实验结果表明，热、冷区温度及两者的温度差是影响大尺寸Ｃ＿６０单晶汽相生长的主要因素，对此进行了详细的讨论。     

X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜

氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外延法生长的氮化镓膜中倾斜和扭转现象,并应用到以X射线摇摆曲线的半峰宽计算氮化镓膜中位错密度.Ф扫描曲线表征外延的氮化镓晶体六方对称性,而极图表明氮化镓膜中存在马赛克结构.计算出螺位错密度为:2.93×109cm-2和刃位错密度为:5.25×1010cm-2.     

金属光学薄膜的激光化学沉积法

评述薄膜光学技术的发展动向及铜、金、铝光学薄膜的激光化学汽相沉积法。     

微波等离子体化学汽相沉积法沉积CNx膜的研究

对用微波等离子体化学汽相沉积法沉积在Si基片上的CN_x膜分别进行Raman散射、X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术的分析与测试. Raman散射的研究结果表明在CH₄与N₂的流量比低于1∶8时，CN_x膜的散射谱中以非晶石墨峰的形式出现.当流量比为1∶8时，则表现为较尖锐的C≡N键(2190cm^-1)的特征峰；从X射线光电子能谱的分析结果可以看出C，N成键的方式主要是C≡N键和C—N 关键词：     

LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响

众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm[1],而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1～1.8μm内任意波长发射[2],并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm～1.65μm[3],因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。     

用正电子湮没寿命谱诊断微晶和非晶的结构

利用高校近工物理实验仪器－正电子湮没寿命谱仪，设计了一个固体物理中用于诊断微晶和非晶结构的教学实验。     

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

 在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中，研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响，发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。     

生长于微结构内点状结构的成核热力学

研究了汽相沉积过程中的衬底表面凹结构的成核热力学,指出可以通过衬底表面微结构设计来控制成核过程以实现点状结构的生长．计算了凹结构内的临界核形成能,表明与平面相比成核优先在凹结构发生．考虑凹结构的“等效势阱”效应,发现凹结构内稳定原子团的生长速率远远大于平面处稳定原子团的生长速率． 关键词：     

NaCl微晶粒大气中扫描隧道显微术成像研究

研究了NaCl晶粒在室温下大气环境中扫描隧道显微术(STM)成像性质。对不同形态大小的NaCl晶粒所作的研究表明:离子导电在隧道过程中起着关键作用。由于离子导电机理和强电场的作用,造成STM图像存在“牵引现象”,使针尖分辨能力降低。样品与针尖之间的偏压、环境湿度对隧道状态有较大的影响。     

用NMR确定MCYST-LR环肽部分的结构

利用一维和二维核磁共振技术对从鱼塘水华样品中提取的一种毒素进行了研究,结合其它分析手段,确定了该毒素即为普通环七肽肝毒素Microcystin-LR (MCYST-LR),测定了该环七肽的环上氨基酸残基的连接方式和顺序.     

用广角X射线衍射系列方法测试和表征高聚物各种相态的结构特征

系统地论述了广角X射线衍射系列方法：径向分布函数、圆柱分布函数、取向分布函数、Rietveld粉末衍射全谱图最小二乘拟合、纤维全谱图精修以及衍射全谱图分峰等方法的基础理论、实验方法、计算程序及其可获得的结构参数;阐明采用这些方法研究高聚物非晶相、取向非晶相、结晶相的进展情况;探讨了联用这些方法研究高聚物二相、三相共存结构的一种新思路和新方案。而且已取得一定进展;并展望这一研究框架的全面实现,将能进一步拓展亢矣物共混物结构的研究。     

能量耗散技术探索液态物质结构的新进展

本文介绍了近期用能量耗散方法探索液态物质结构及其动力学行为的新进展。其中液态物质包括了金属及其合金的熔融态，以及高分子聚合物的溶液和熔融态。该方向的研究工作虽才开始，但已显示出能量耗散技术的广阔应用前景。     

ABOUT THE CLUSTERIZATION OF PARTONS IN THE HADRON PROCESSES

In this paper the concept of the clusterizations of partons of two kinds is proposed. In terms of the model of quark recom bination and the perturbative QCD a set of distribution functions describing the clusterization of the second kind are separated from the quark fragmentation function, and so some quantitative phenomenological information about the QC3 soft processes is obtained.     

同时采用三种方法测定热痛灵注射液中二组分的含量

本文经选择适当的测定波长，同时采用多波长直线回归，Ｐ－矩阵法和联立方程组新解法测定热痛灵注射液的含量。三咱方法简便、快速、准确，样品测定结果均和北京市药品标准法测定结果一致。     

SrTiO3基片的晶体质量及表面粗糙结构的X射线研究

用X射线双晶衍射摇摆曲线以及双晶X射线形貌对两个SrTiO₃基片的单晶质量进行了对比研究，并用X射线掠入射镜面反射及漫散射研究了它们的表面粗糙结构．结果表明，两个SrTiO₃基片中都存在镶嵌缺陷，其中一个样品的晶体质量相对较高．两个样品的表面粗糙结构相差很大，包括均方根粗糙度σ和横向相关长度ξ．σ分别为（0.5±0.1）和（1.3±0.1）nm，ξ分别为（1200±200）和（300±20）nm．样品的表面粗糙将增加Ｘ射线的漫散射强度而降低镜面反射的强度．晶体质 关键词：