MIM隧道二极管的发光机理

本文介绍金属－绝缘体－金属（ＭＩＮ）结的基本结构以及发光机理，根据电流波动理论计算得到的表面等离子极化激元（ＳＰＰ）慢模能量分布与测量光谱的比较，得出发光中慢模起主要作用的结论，并以此来说明ＭＩＭ结Ｉ－Ｖ特性的负阻现象。     

MIM隧道发光结的光谱分析及负阻现象

在MIM隧道发光结的研究过程中,结的发光是SPP快模还是慢模起主要作用,一直是许多学者争论的主题。本文利用扫描电子显微镜估计MIM隧道结的表面粗糙度,然后根据对结的发光光谱的数据分析,得出快模在发光中占主要地位的结论,并以此解释MIM结I—V特性中的负阻现象。     

MIM隧道结的电子输运特性和发光研究

论述作为一种新型发光器件的ＭＩＭ隧道结的发光机理，报告了该器件的发光现象和Ｉ－Ｖ特性曲线中负阻现象的实验观察。数据显示，结中表面等离极化激元（ＳＰＰ）与粗糙度的耦合是引起光发射的主要方面，ＳＰＰ对隧穿电子的阻塞作用导致了电子输运中的负阻现象。此外，还观察到了直接辐射的紫外峰。     

LB薄膜在MIM发光结中的应用

在MIM隧道结的氧化铝和金层中加一层LB薄膜后,发现结的稳定性和其它一些物理性质比以前的普通结有所改善,本文讨论了变色现象,I—V特性曲线,并且展示了一些扫描电镜照片,从这些照片中我们可以粗略估计粗糙度.     

多层膜结构MIM隧道发光结的研究

在普通MIM隧道发光结的基础上,制备了多层膜结构MIM发光结。这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层MgF2。其发光性能优良,发光效率达10-6-10－5量级。测试表明,其光谱谱峰较普通MIM结有蓝移现象,并且I—V特性中存在强烈的负阻现象（NRP）。     

MIM与MIS隧道发光结发光机制的讨论

ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）与ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道发光结为新型全固态薄膜发光器件,在对基本结构简单介绍后,结合发光光谱,着重对ＭＩＭ与ＭＩＳ结发光所涉及的几种发光机制进行了分析讨论。     

金属／绝缘层／金属隧道结的粗糙度与发光光谱的关系

在金属／绝缘层／金属（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ，ＭＩＭ）隧道结发光中，粗糙度与表面等离电磁场量子（ＳｕｒｆａｃｅＰｌａｓｍｏｎＰｏｌａｒｉｔｏｎ，ＳＰＰ）的耦合起着非常重要的作用．本文利用原子力显微镜摄得发光ＭＩＭ隧道结粗糙表面的照片，研究了粗糙度分布的统计结果与测得的发光光谱之间的关系．     

SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用

本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.     

MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

MIM隧道发光二极管的电子输运研究

本文报道了ＭＩＭ隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流－电压特性。结果显示,由于ＳＰＰ波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻同象与实验结果相符合。     

共振隧穿二极管研究进展

简要评述共振隧穿二极管（ＲＴＤ）器件研究进展。重点探讨以下问题：为什么ＲＴＤ研究经久不衰？器件理论模型达到何等水平？器件特性、结构和材料方面有哪些关键？围绕这些问题,介绍了有关基本概念,对ＲＴＤ器件物理模型和特性近来的研究成果和前景进行了分析,并提要性地和同类的其它量子器件作了比较。     

共振隧穿二极管THz辐射源研究进展

太赫兹技术被称为“改变未来世界十大技术之一”,对基础科学研究、国民经济发展和国防建设具有重要意义,尤其在未来6G通信方面举足轻重。太赫兹波源是整个太赫兹技术研究的基础,也是太赫兹应用系统的核心部件。近年来,共振隧穿二极管(RTD)型太赫兹波源因体积小,质量轻,易于集成,室温工作,功耗低等特点受到广泛关注,为太赫兹波推广应用开辟了新的途径。通过文献分析,本文从器件材料技术、主要工艺及器件性能等方面对InP基与GaN基RTD太赫兹振荡器的发展进行评述,并探讨了InP基与GaN基RTD太赫兹振荡器件的研究方向。     

多峰I—V特性的共振隧穿量子器件

讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。     

多峰I—V特性的共振隧穿量子器件

讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。     

MIDyM隧道发光二极管的研究

稀土元素Dy引入以玻璃为基底的隧道发光二极管（简称为MIDyMTD）后，其发光强度得到了明显提高，Ⅰ－Ⅴ特性的负阻现象变弱，并出现了较弱的量子共振隧穿现象。量子共振隧穿导致了起发光中介作用的SPP慢模式的增强，最终导致了MIDyMTD发光的增强。另外，以铌酸锂单晶片为基底的MIDYMTD出现了较大的负阻（峰：谷—7：1），并且发射光谱的短波方向出现了戏剧性的增加。