超导薄膜磁场穿透深度的精确测量

磁场穿透深度λ是超导体的一个基本参数,目前,一般测试穿透深度的实验只能给出其变化量Δλ＝λ（Ｔ）－λ（０）,而不能得到λ的绝对值．并且由于测量精度的限制,用给定的理论模型拟合实验结果而得到的λ也有很大的不确定性．本文对此进行了详细的分析,并用双线圈互感法研究了超导薄膜穿透深度的精确测量,并给出了磁控溅射Ｎｂ膜的测量结果．我们的研究表明,这一方法能较为准确地给出λ的绝对值,从而避免了以往的测量及拟合所导致的不确定性．基于ＢＣＳ理论并考虑样品有限的电子平均自由程后,理论计算结果与我们的测量结果吻合较好     

超导薄膜的磁场穿透深度的测量

我们设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模拟的方法对线圈及其位形进行了优化．对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,我们的设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系     

薄介观超导环中的涡旋电荷分布

本文用Ginzburg-Landau理论研究在薄介观超导环中的涡旋电荷分布．对于巨涡旋态，我们发现随着外场的增加，内半径附近的电荷会从负号变为正号．本文表明，是顺磁迈斯纳效应和抗磁迈斯纳效应的竞争决定了涡旋电荷的分布．     

磁场下MgB2的电导涨落效应

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系,测量结果表明,磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ（H）符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程,MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构,由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合。     

薄介观超导环中的涡旋电荷分布

本文用Ginzburg-Landau理论研究在薄介观超导环中的涡旋电荷分布.对于巨涡旋态,我们发现随着外场的增加,内半径附近的电荷会从负号变为正号.本文表明,是顺磁迈斯纳效应和抗磁迈斯纳效应的竞争决定了涡旋电荷的分布.     

高温超导薄膜中的涨落超导电性及其维度

对RBa₂Cu₃O_7-δ(R=Y,Gd)超导薄膜电阻温度关系的仔细测量,观察到在T_c附近有相当强的超导涨落现象,研究发现,多晶和外延的YBa₂Cu₃O_7-δ薄膜在T_c以上均呈现出2D涨落超导电性;而当温度趋向于T_c时,有—2D向3D的转变发生,这与Lawrence-Doniach理论很好地相符,实验中还发现,一 关键词：     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本语文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式，并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论。     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式．并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论     

合金薄膜的临界磁场

本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ₀而l任意时,或者2d《ξ₀而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ₀而l>2d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。     

磁场中的超导膜

本文将文献[1]的理论推广到较厚的超导膜。首先采用能隙是常数的模型,借助于Schrief-fer方法,导出磁场中超导膜的补偿方程和电流方程。利用所得的方程,研究了均匀外磁场对金属膜超导性质的影响,讨论了超导膜在磁场中的相变,给出了确定超导膜的能隙、磁矩、平衡临界场H_c,以及分别相应于过冷和过热区域边界的临界场H_(c1)和H_(c2)的一般公式。所有这些表达式,在局域极限下,化为Гинзбург-Ландау理论的相应结果;在薄膜情形下,回到文献[1]的结果,文中对一般情形下的非局域效应作了具体的讨论。     

超导膜的能隙和磁场的依赖关系

本文计算出超导膜在磁场中的能隙。所得到的表达式适用于所有的温度,但磁场要满足((ehp₀/(mc) A/(πk_BT_c))²《1条件,其中A是矢势,hp₀是Fermi动量。理论结果和实验进行了比较,符合得还好。     

超导球在磁场中的受控运动—迈斯纳效应演示实验方案

用相互垂直的数个线圈构造空间磁场的极小值点，通过计算机改变线圈中的电流，使此极小值点做受控运动，从而实验通过悬浮于该处的超导球对迈斯纳效应的动态展示，文章还对实验的原理和可行性进行了讨论。     

高温超导Josephson阵列体系中的磁通涡旋势能分布

本从二维Josephson弱连接网络模型出发，讨论了单个磁通涡旋的势能分布，并利用数值分析，得出势能分布表达式，其分布呈余弦曲线，在此基础上，进一步研究了外磁场下的磁通涡旋势能分布，从分布图可以看出，在磁场作用下，势能增加，并随着最小网格单元内的磁通量子数f的不同，能量变化也不一样，但也呈现周期性。     

高分辨超导NMR谱仪的匀场

本文详细叙述了超导磁体的磁场分布和匀场线圈的设计。并对匀场电源、匀场线圈的精度和稳定性等要求作了估算。     

磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率

本文研究了磁场中耦合量子线的三阶非线性光学吸收率,并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式.最后,以GaAs/Al_xGa_1-xAs耦合量子线为例作了数值计算,并绘出了三阶非线性光学吸收率与磁场B,光子能量h-ω以及间隔D之间的依赖关系.     

垂直磁场中YBCO薄膜的磁通密度和电流密度分布

通过使用扩展后的Mikheenko等人提出的临界态模型,我们用数值计算方法找出了圆盘状超导薄膜在垂直外磁场中的磁通密度分布和电流密度分布.其中考虑到临界电流密度Jc会随外磁场Ha改变而变化,所以我们采用了Kim型表达式Jc(H)=J0/(1+(|H|/H0)n).计算出的初始磁化曲线和磁滞回线与YBCO薄膜的实验曲线（T=51～77K）符合得很好,说明这个方法在这段温区内比较成功.另外我们也得出并讨论了特征参数J0,H0随温度的变化关系.     

强耦合超导薄膜的临界场

关键词：