超导薄膜磁场穿透深度的精确测量

磁场穿透深度λ是超导体的一个基本参数,目前,一般测试穿透深度的实验只能给出其变化量Δλ＝λ（Ｔ）－λ（０）,而不能得到λ的绝对值．并且由于测量精度的限制,用给定的理论模型拟合实验结果而得到的λ也有很大的不确定性．本文对此进行了详细的分析,并用双线圈互感法研究了超导薄膜穿透深度的精确测量,并给出了磁控溅射Ｎｂ膜的测量结果．我们的研究表明,这一方法能较为准确地给出λ的绝对值,从而避免了以往的测量及拟合所导致的不确定性．基于ＢＣＳ理论并考虑样品有限的电子平均自由程后,理论计算结果与我们的测量结果吻合较好     

超导薄膜的磁场穿透深度的测量

我们设计和研究了用于测量超导薄膜穿透深度的双线圈互感装置,用数值模拟的方法对线圈及其位形进行了优化．对磁控溅射制备的不同厚度的铌膜在不同温度下的测量结果表明,我们的设计大大提高了实验的准确性和稳定性,并得到了理论预期的随膜厚和温度的变化关系     

薄介观超导环中的涡旋电荷分布

本文用Ginzburg-Landau理论研究在薄介观超导环中的涡旋电荷分布．对于巨涡旋态，我们发现随着外场的增加，内半径附近的电荷会从负号变为正号．本文表明，是顺磁迈斯纳效应和抗磁迈斯纳效应的竞争决定了涡旋电荷的分布．     

磁场下MgB2的电导涨落效应

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系,测量结果表明,磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ（H）符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程,MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构,由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合。     

薄介观超导环中的涡旋电荷分布

本文用Ginzburg-Landau理论研究在薄介观超导环中的涡旋电荷分布.对于巨涡旋态,我们发现随着外场的增加,内半径附近的电荷会从负号变为正号.本文表明,是顺磁迈斯纳效应和抗磁迈斯纳效应的竞争决定了涡旋电荷的分布.     

高温超导薄膜中的涨落超导电性及其维度

对RBa₂Cu₃O_7-δ(R=Y,Gd)超导薄膜电阻温度关系的仔细测量,观察到在T_c附近有相当强的超导涨落现象,研究发现,多晶和外延的YBa₂Cu₃O_7-δ薄膜在T_c以上均呈现出2D涨落超导电性;而当温度趋向于T_c时,有—2D向3D的转变发生,这与Lawrence-Doniach理论很好地相符,实验中还发现,一关键词：     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本语文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式,并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论。     

变化磁场产生涡旋电场的一般形式

本文中引入矢量电势以给出变化磁场产生涡旋电场的一般表达式以及二维情形中的形式．并用来对熟知的圆柱形磁场分布作了计算和讨论