GaN/SiC异质结的慢正电子研究

通过对不同生长厚度GaN/SiC(n-n)的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场. 这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不同的热膨胀系数有关. 而缺陷中大量的带状缺陷在界面中形成一个费米能级钉扎(Fermi level pinning),它的存在使界面中存在一定高度的势垒,导致在界面两端的一定区域内形成两个不同方向的电场. 用VEPFIT模拟该电场的存在,分四层(GaN/Interface/SiC1/SiC2)进行拟合,得到了很好的拟 关键词： 正电子湮没 缺陷 半导体     

用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费变能级

高校中不少实验室具有半导体探头能谱仪,可扩展用作正电子湮没多普勒增宽谱仪,并测量金属中电子的费变能级。     

正电子能量转换研究进展

简要介绍了正电子能量转换的原理、优点、重要应用前景及主要研究领域. The concept of positron energy conversion, the advantages of positrons, the possible applications and main research area of positron energy conversion were reviewed in this paper.     

用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷

本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiN_x:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiN_x:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8?;在应变层之后是过渡层,厚度约为50?。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。 关键词：     

正电子湮没与高温超导体

正电子是探测固体中电子密度、动量分布、缺陷和相变的灵敏探针．正电子湮没是研究高温超导体的电子结构和缺陷特性的有用工具．本文简要介绍了近年来用正电子湮没研究高温超导体的费米面、测量其电荷密度分布、缺陷特性及结构转变等方面的最新进展．     

HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定

提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τ_b为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τ_d为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.     

安德森和正电子

本文简要回顾了正电子的发现和研究历程，以纪念美国物理学家安德森诞生100周年．     

等离子体喷涂层的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术对等离子体喷涂铜基合金压缩形变的微观缺陷进行了测量。对等离子体喷涂合金，随着压缩量的增加，正电子寿命变短，这一现象与常规合金中观察到的情况相反。     

高温超导体Y-Ba-Cu-O相变的正电子湮没研究

在相变温度附近同时测量了电阻、正电子寿命谱和多普勒增宽能谱.发现在相变区域正电子的平均寿命τ_m、多普勒增宽线形参数H、S无规振荡,估计与晶格的稳定性有关,似乎支持以双极化子理论为主的超导机制.     

正电子湮没时间选择能谱仪的发展和应用

本文介绍了中国科学院高能物理研究所发展的正电子湮没时间选择能谱仪的技术及其在电子偶素物理研究方面的应用．实验表明，此种新式谱仪能够把正电子湮没物理和化学的研究向定量方向推进一步．     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

正电子在铝中湮没γ射线能量的精密测量

用Ge(Li)探测器测量正电子在两种不同来源的铝样品中的湮没辐射,以¹⁸¹Hf的482keVγ,峰做为基准,重复测定湮没峰与基准峰的相对位置,精密度达到±6eV。结果表明,在两种铝样品中的电子静止质量在10eV水平上是一致的。 关键词：     

一种不含自由参数的正电子吸收势

在准自由电子气模型的基础上得到一种不含自由参数的正电子吸收势，把它作为光学势的虚部，计算了能量在最小非弹性阀值到１００ｅＶ范围内正电子被Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ原子散射的总截面和能量为２００ｅＶ和３００ｅＶ时的散射微分截面，计算结果与实验进行了比较。     

正、负电子被原子散射的光学势方法──e~±－Na散射总截面的计算

将原子核散射理论中的光学势方法应用于正、负电子被原子散射的计算，提出了不含任意参数的光学势以及由此确定散射矩阵元的方法，计算了低能（≤５０ｅＶ）正、负电子被Ｎａ散射的总截面并与实验结果进行了比较。     

正电子放射层析成象系统设计的计算机模拟

在一个简单实用的数学模型基础上,利用现代计算机技术对正电子放射层析成象系统(PET)进行了模拟,并详细讨论了闪烁晶体材料的物理、几何特性以及探测器环直径的大小对于PET系统的空间分辨率的影响.本文所得的结论对于开发和设计PET系统来说,是非常有用的.     

利用金刚石探测器测量软X光辐射功率

使用天然Ⅱａ型金刚石光电导探测器（ＰＣＤ），测量激光等离子体发射的软Ｘ光辐射。由于探测器在２００ｅＶ～２２００ｅＶ之间具有平响应特性，可以不加滤片直接测量Ｘ光功率和能量。金刚石ＰＣＤ与软Ｘ光能谱仪和平响应Ｘ光二级管的测量结果基本一致。     

激光辐照对MgB2超导体电子结构的影响

研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。     

光电探测器直线性检测及数据处理

本文介绍了利用汉光阑法测量半导体光电探测器直线性的方法、装置,并着重介绍了用于抑制光源功率波动影响的数据处理技术和用于参考.点选择的数据处理方法.这些技术有效地提高了系统的测量重复性和准确度.     

关于GaAs的低迁移率问题

测量了5个不掺杂LPE-GaAs样品的电子迁移率温度关系,发现不同样品的诸曲线有互相交叉的现象,只用离化杂质散射一种非本征机制难于解释它。因此,假设未知散射中心(mobilitykiller)的存在看来是必要的。由于被研究的样品的纯度已相当高,Stringfellow等人所假设的杂质中心元胞势散射可以忽略不计。分析了光照对77K温度下电子浓度和迁移率的影响,认为未知散射中心可能是样品微观不均匀性造成的空间电荷区。 关键词：