超高频双栅MOS晶体管

本文综述了双栅MOSFET的工作原理、器件结构和制造工艺.重点介绍适合于超高频工作的Mo栅MOS四极管的设计、结构和制造.     

氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管

本文介绍一种新型氨气敏MOS场效应晶体管.采用Pd-Ir合金作为场效应晶体管的金属栅极.器件对氨气有足够的灵敏度和较好的选择性.文章分析了器件对氨气的敏感机理.     

采用钼栅的功率MOS场效应晶体管

日立制作所研制的钼栅功率MOS场效应晶体管,不久将有样品出来。这种器件功耗在100瓦漏源耐压为160伏和200伏两种,用TO-3型管壳封装。与该公司的MOSFET功率管的老产品相比,这种器件的棚电阻要低一个数量级,因此其频率特性得以提高。与多晶钼栅相比,钼栅BT试验引起的栅阈值电压的初期值的变化比较大。     

EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究

重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。     

一种稳定的Pd栅MOS场效应晶体管

<正> Pd-MOS PET是一种氢气检测器件.它具有高灵敏度、高选择性、快响应速度和较好的稳定性.1975年瑞典I.Lundstr(o|¨)m等人研制出第一只 Pd-MOS FET.此种器件的工作机理为:当氢分子吸附在催化金属Pd上时,氢分子分解.氢原子通过Pd栅并吸附在金属-氧化物界面上形成偶极层.这偶极层使Pd栅MOS FET的阈值电压 V_T发生漂移.由于反应的可逆性以及氢通过Pd栅的扩散迅速,使得这一电压漂移可作为氢气浓度的测量。     

Pd-Ir合金栅MOS晶体管氨气敏感机理的研究

本文报道了一种新型半导体敏感器件──氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管。简要地介绍了器件的结构和制备。根据化学动力学理论,分析了器件对氨气敏感的机理,推导出氨气浓度与阈电压变化的定量关系。实验结果与理论分析基本吻合。     

栅长0．04μm的MOS晶体管

栅长０．０４μｍ的ＭＯＳ晶体管日本东芝公司研制成功世界上最小晶体管，栅长为０．０４μｍ。这种晶体管相当于１００Ｇ位以上的存贮器，适用于高速ＭＰＵ、高速、高频ＩＣ。该公司采用１．５Ｖ低电压、栅绝缘膜厚度０．００３μｍ、激态复合物曝光技术和固层扩散法等技...     

一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管,使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性,在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析,其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％,且关断时间小于１００ｎｓ     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.     

一种新型功率开关用的MOS栅双极晶体管

已研究成功一种新型单片集成功率开关器件(MOS栅晶体管MGT),其结构是:双极晶体管作输出级,两个MOS FET作驱动级。研究的目的是为了获得一种具有如下特性的功能开关器件:容易驱动,关断时间短和电流密度大。研究的器件结构特点是,在一个小单元内集成三个元件,MGT芯片由很多这种小单元组合而成。这种器件没有寄生闸流管,使它避免了闭锁现象。已研制成功具有阻塞电压为400～500伏的单元MGT器件。它能达到:在2伏集电极-发射极电压下,电流密度高达90安/平方厘米,关断时间短至1μs。一个MGT器件芯片包含36个小单元,制作在5×5mm的芯片上。在150℃时,其阻塞电压为500伏,在10A的电流下,开态电压为2.3伏,关断时间为0.5μs。     

MOS晶体管技术

简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制.从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术.     

神经MOS晶体管

神经ＭＯＳ晶体管是１９９１年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅ＭＯＳ器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新哭喊 件及其电路的国外研究现状、研究趋以及笔者所完成的研究工作。     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。     

亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63120-305 0217331SPICE 的功率达林顿晶体管的新电热动态宏观模型=A new electrothermal dynamic macromodel of the powerdarlington transistor for SPICE[会,英]/Zarebski,J.//The IEEE International Symposium on Circuits and Sys-tems Vol.3 of 5.—305～308(HE)     

晶体管、MOS器件

0611539 InGaP/InGaAs双delta掺杂沟道晶体管=InGaP／InGaAs double delta-doped channel transistor[刊,英]／ Hung-Ming Chuang,Shiou-Ying Cheng／／Electronics Letters．-2003,39(13)．-1016-1017(E)     

晶体管、MOS器件

Y2000-62422-22 0103672低功率射频应用中部分耗尽与全耗尽绝缘体上硅MOS 场效应晶体管的比较=Comparison between fully-and partially-depleted SOI MOSFET's for low-power ra-dio-frequency application[会.英]/Rozeau,O.& Jo-maah,J.//1999 IEEE International SOI ConferenceProceedings.—22～23(EC)Y2000-62422-24 0103673绝缘体上硅动态阈值电压 MOS(DTMOS)晶体管高频特性=High frequency characterization of SOI dynamic     

晶体管、MOS 器件

Y2002-63354-125 0314239使用多偏压 S 参数集的双极晶体管建模=Modelingbipolar transistors using multibias S parameter sets[会,英]/Biondi,T.＆ Palmisano,G.//2001 IEEE Radioand Wireless Conference.—125～128(TE)     

晶体管、MOS器件

Y2002-63084-133 021268240Gb/s 通信系统用的 InP 异质结构双极晶体管制造Fabrication of InP heterostructure bipolar transistorsfor 40Gb/s communication systems[会,英]/Abid,Z.//ICM 2000 Proceedings of the Twelfth International Con-ference on Microeleetronics.—133～136(PE)