Y稳定的ZrO_2基体上YBa_2Cu_3O_7／SrTiO_3／YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的制备、超导性能和显微结构

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜，利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征．研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．Ｋ和８６．７Ｋ之间．ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为Ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶粒．三层膜中层界面比较清晰但不十分平整．在膜／基界面处有８－１０ｎｍ厚的过渡层，它由多晶的ＢａＺｒＯ３组成．膜层和（１０）ＹＳＺ基底之间具有如下的外延生长关系ＹＳＺ［００１］／／ＹＢＣＯ［１１０］／／ＳｒＴｊＯ３［１１０］；ＹＳＺ（１００）／／ＹＢＣＯ（００１）／／ＳｒＴｉＯ３（００１）．     

正入射Mo/B_4C软X射线多层膜

采用Ｍｏ／Ｂ４Ｃ材料在短波长波段（λ＜１０．０ｎｍ）进行软Ｘ射线多层膜实验研究。在指定波长（８．０ｎｍ附近）处对多层膜进行结构设计，并制备出了周期结构准确的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜样品。     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜     

强磁场下（YBa2Cu3O7）24／（PrBa2Cu3O7）2多层膜的电阻转变展宽

本文研究了不同磁场位形下（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２４／（ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２多层膜的电阻转变展宽，结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜ｃ轴的相对位形决定，而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明，Ｈ‖ａｂ时，Ｕ０∝Ｈ＾－α，Ｈ‖ｃ时，Ｕ０∝ｌｎＨ。这种三维－二维（３Ｄ－２Ｄ）转变，可以归因于ＹＢＣＯ／ＰｒＢＣＯ和ＹＢＣＯ层厚度处于３Ｄ－２Ｄ转变厚度范围所致。     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究

报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１作为发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１）／透明电极（ＺｎＯ：Ａ１）。制备的器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,测量了器件的电致发光（ＥＬ）光谱和亮度－电压曲线,研究了发光机理和效率－电压等特性。     

CuPc／InP（O／I）异质结的电学特性及其引起的Raman效应

本文首次报导了ＣｕＰｃ／ＩｎＰ，Ｈ２Ｐｃ／ＩｎＰ（Ｏ／Ｉ）异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了Ｏ／Ｉ界面态对ＣｕＰｔ ＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响，这种影响导致了ＣｕＰｃ ＬＢ膜分子产生了新的正则振动模。     

[Pd／Co—Nb／Pb／Si]多层膜的结构与磁性

用频溅射法制备了两套「Ｐｂ／Ｃｏ－Ｎｂ／Ｐｄ／Ｓｉ」多层膜，分别用Ｘ射线衍射和振动样品磁强计做了结构和磁性测量。随Ｐｄ层厚度增加，Ｐｄ层由非晶态过渡到晶态，并观察到Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）双峰结构，双峰的位置逐渐从两侧向体材料Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）峰的位置靠近。     

三层膜中特殊的内磁场效应

本文用直流溅射法在（１００）ＬａＡｌＯ３单晶基片上制备了ＬＳＭＯ／ＰＣＭＯ／ＬＳＭＯ三层膜，并研究了三层膜的电，磁特性。在零磁下，三层膜的电阻率随中间层Ｐｒ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３＋δ厚度的增加而显著下降、转变温度向高温区移动。中间层ＰＣＭＯ的作用相当于提供了一个内磁场。     

小能量0.35μm激光—X射线转换研究

以小能量０．３５μｍ激光（＜１００Ｊ）辐照盘靶（Φ６００μｍ×４μｍ），用软Ｘ射线平响应探测器测量Ｘ射线角分布（ｄＥ／ｄΩ）和Ｘ射线转换效率（ηｘ）。ｄＥ／ｄΩ＝ａ＋ｂｃｏｓθ，与角无关。ηｘ随激光入射角增加而下降。按金盘、多层膜（０．１１μｍ）金盘和ＣＨ膜（０．４μｍ）金盘顺序，ηｘ依次下降。     

聚合物复合膜的制备及吸液性能

由聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）制成的单层或多层微孔膜（PP，PP／PE／PP）具有良好的机械强度，且具备自关闭功能，已被广泛用作液态锂离子电池的隔膜，但PP，PP／PE／PP等微孔膜表面能低，难与塑料电极真正复合为一体，不能直接用于聚合物锂离子电池。因此在PP，PP／PE／PP等微孔膜表面涂敷一层具有黏结性质的过渡薄膜，兼顾两种材料的优点，有助于提高机械强度和将电极粘结起来的黏结力。聚合物复合膜是一种具有3层结构的复合膜，由两外层膜及中间膜组成。正丁醇不溶胀PVDF—HFP，可以丁醇为介质来测量复合膜的吸液率，该数据可作为膜孔率高低的判据，也可用于粗略判断膜电导率高低。     

Ce－C_（60）多层膜电阻的奇异化

通过对Ｃｅ－Ｃ（６０）多层膜电阻的原位观测，我们发现在Ｃｅ层上沉积Ｃ（６０）时，样品电阻有明显上升．这与以往研究过的其它金属（如Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ等）－Ｃ（６０）体系的结果有很大差异．我们认为稀土元素Ｃｅ与Ｃ（６０）间可能有某种新类型的相互作用．     

正放射Mo／B4C软X射线多层膜

采用Ｍｏ／Ｂ４Ｃ材料在短波长波段进行软Ｘ射线多层膜实验研究。在指定波长处对多层膜进行结构设计，并制备出了周期结构的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多怪膜样品。     

溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Ｃｏ（１５ｎｍ）／Ｖ（ｄＶ）］２０（０５ｎｍ≤ｄＶ≤４ｎｍ）多层膜的结构和磁性．用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析,表明它们层状周期结构良好,沿膜的生长方向具有ｆｃＣｏ（１１１）和ｂｃｃＶ（１１０）织构,且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜．界面一定程度的合金化,使其成为成分调制周期结构,也是它们的一个结构特征．由其铁磁共振谱计算得到较小的ｇ因子和４πＭｅｆ值,表明多层膜界面存在一定程度的合金化．对于Ｖ层厚度小于２２ｎｍ的多层膜,观测到自旋波共振谱,并作了分析．计算了层间耦合常数,说明Ｃｏ层之间存在较弱的层间交换耦合作用．     

半花菁／氮冠（醚）交替LB多层膜的二阶光学非线性性质

对一种新型的，具有双脂链的盘状非活性分子氮冠（醚）（ＮＣ）ＬＢ膜进行了表征。小角Ｘ射线衍射（ＳＡＸＤ）结果表明：纯ＮＣ分子可以形成非常好的ＬＢ膜有序结构。将它与活性分子半花菁（ＤＡＥＰ）制备成Ｙ型交替多层膜，由于半花菁分子的单脂链（长尾）可以镶嵌在ＮＣ分子的双脂链之间，改善了多层膜的结构有序性及稳定性，从而得到二次谐波强度随层数的变化在１￣１１６双层范围内显示出较理想的平方关系。通过二次谐波的测量     

YCO／CeO2／LaAlO3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱结合透射电子显微镜对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究。结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，基本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多。ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜。     

退火a－Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本文研究了退火ａ－Ｇｅ／Ｃｕ（ａ－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００ｋ与退火温度Ｔａ之间关系出现反常；（２）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在团相反应和多相品化；（３）实验首次发现在ａ－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小．     

退火α—Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本研究了退火α－Ｇｅ／Ｃｕ（α－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）α－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００Ｋ与退火温度Ｔα之间关系出现反常；（２）α－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在固相反应和多相晶化；（３）实验首次发现在α－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小。     

CuPc LB膜与InP接触界面电荷态对Raman光谱的影响

报道Ｃｕｐｃ／ＩｎＰ异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了界面态对ＣｕＰｃＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响。 关键词：