钛层柱粘土的合成 Ⅰ．四氯化钛作钛源

由ＴｉＣｌ４／ＨＣｌ配制的含钛柱化剂与粘土进行阳离子交换后得到大孔钛层柱粘土（Ｔｉ－ＰＩＬＣ），详细研究了各种合成条件，诸如Ｔｉ（Ⅳ）及ＨＣｌ浓度，柱化剂老化时间，粘土初始浓度，交换温度及配料比等对层柱粘土的大孔及比表面积的影响．优化条件合成的Ｔｉ－ＰＩＬＣ存在两种晶面间距（ｄ００１），其中之一（２．５６ｎｍ）对应大孔结构．Ｔｉ－ＰＩＬＣ比表面积为３２８ｍ２／ｇ，５００℃焙烧后ｄ００１保持２．３２ｎｍ，６５０℃焙烧后比表面积仍达３０１．４ｍ２／ｇ．Ｔｉ－ＰＩＬＣ的大孔结构主要取决于交换时混合液中Ｔｉ（Ⅳ）和ＨＣｌ浓度，并与柱化剂老化时间、交换温度等因素有关；与原柱化剂中Ｔｉ（Ⅳ）和ＨＣｌ浓度无关．混合液中ＣＨＣｌ提高，Ｔｉ－ＰＩＬＣ的比表面积下降；当ＣＨＣｌ增至７０ｍｍｏｌ／Ｌ时，产物中大晶面间距消失，仅留下小晶面间距（～１．４ｎｍ）．随着混合液中ＣＴｉＣｌ４的提高，Ｔｉ－ＰＩＬＣ的比表面积先上升而后下降。当ＣＴｉＣｌ４增至１４６ｍｍｏｌ／Ｌ时，产物也仅有小晶面间距（１．４ｎｍ）．     

钛层柱粘土的合成:Ⅱ.硫酸钛作钛源

以硫酸钛作钛源得到的钛柱化剂与Ｎａ型蒙脱石交换合成了钛层柱粘土（Ｔｉ－ＰＩＬＣ）。详细考察了交换时温度、酸浓度、Ｔｉ（Ⅳ）浓度以及Ｔｉ（Ⅳ）与粘土比等对柱化粘土层结构的影响。结果表明，提高反应温度或降低酸浓度都能导致层离Ｔｉ－ＰＩＬＣ的生成，产物的大部分比表面积及也容由层离产生的大孔（Ｄ＞１．０ｎｍ）所贡献。Ｔｉ（Ⅳ）水解生成尺寸不等的氧化钛胶粒，带正电荷的胶粒插入粘土层间是产生层离的主要原因。     

金属氧化物在γ-Al2O3上单层分散的表面对称模型

提出了一个分散在γ－Ａｌ２Ｏ３表面的金属氧化物单层结构的表面对称模型，该模型认为金属氧化物单层结构到下规则：（１）金属氧化物的氧负离子将尽量保持与所在表面层的氧负离子相同的排列方式；（２）金属离子将根据所在表面层金属离子排布的对称性取与之相适应的排布方式；（３）金属子和氧负离子都对分散层的结构有影响。     

过氧杂多阴离子柱撑水滑石类层状化合物的合成与表征

以硝酸根型水滑石作交换前驱体，通过离子交换法合成了过渡金属离子一、三钛取代的Ｋｅｇｇｉｎ结构过氧钨硅杂多阴离子柱撑水滑石Ｚｎ２Ａｌ（ＯＨ）６－［ＳｉＷ１１（ＴｉＯ２）Ｏ３９］及Ｚｎ２Ａｌ（ＯＨ）６－［ＳｉＷ９（ＴｉＯ２）３Ｏ３７］，用元素分析、ＸＲＤ、ＩＲ、ＸＰＳ、化学分析等手段对产物的组成和结构进行了表征。结果表明，过氧杂多阴离子进入水滑石层间，使水滑石的层间距从０．９２ｎｍ增加到１．４７ｎｍ。     

钛层柱粘土的合成:I.四氯化钛作钛源

由ＴｉＣｌ４／ＨＣｌ配制的含钛柱化剂与粘土进行阳离子交换后得到大孔钛层柱粘土（Ｔｉ－ＰＩＬＣ），详细研究了各种合成条件，诸如Ｔｉ（Ⅳ）及ＨＣｌ浓度，柱化剂老化时间，粘土初始浓度，交换温度及配料比等对层柱粘土的大孔及比表面的影响。优化条件合成的Ｔｉ－ＰＩＬＣ存在的两种晶面间距（ｄ００１），其中之一（２．５６ｎｍ）大孔结构。Ｔｉ－ＰＩＬＣ比表面积为３２８ｍ＾２／ｇ，５００℃焙烧后ｄ００１保持２．３２ｎ     

金属氧化物在γ－Al_2O_3上单层分散的表面对称模型

提出了一个分散在γ－Ａｌ２Ｏ３表面的金属氧化物单层结构的表面对称模型．该模型认为金属氧化物单层结构符合以下规则：（１）金属氧化物的氧负离子将尽量保持与所在表面层的氧负离子相同的排列方式；（２）金属离子将根据所在表面层金属离子排布的对称性取与之相适应的排布方式；（３）金属离子和氧负离子都对分散单层的结构有影响．根据这些规则，对一价、二价、三价和六价金属氧化物的分散单层的具体形态进行了讨论．该模型预测的单层分散阈值与实验值符合得很好．提出了单层分散状态为一种中间状态的观点     

用GXRD和XPS分析离子注入层的表面结构

采用由金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源引出的强来流脉冲钨离子对H13钢进行了离子注入表面改性研究。借助掠面X射线衍射(GXRD)和X射线光电子能谱(XPS)考察了注入表面层的相结构以及钨、铁、碳的化学状态。研究发现，表面的含碳化钨层比含铁、钨氧化层要厚，离子注入层中钨元素以替位钨和三氧化钨形式存在，铁元素以金属铁和三氧化二铁形式出现，而又各价态元素的原于比随深度变化。     

析氯钛基RuO2—Co3O4—TiO2（60）涂层的研究

用稳定极化、Ｘ射线衍射，透射电镜和扫描电镜的方法研究了钛基Ｒｕｏ２－Ｃｏ３Ｏ４－ＴｉＯ２（６０）涂层的析氯活性，导电性，使用寿命，微观结构和表面形貌。并对其活性表面积进行了评价。详细讨论了涂层成份，微观结构和表面形貌对涂层析氯活性和活性面积的影响。     

超细纳米TiO2/Al2O3复合体的制备及其组成分布的研究

采用溶胶－凝胶法成功制备出纳米尺寸的ＴｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３复合体,并用ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＩＲ等手段研究了复合体的结构组成及ＴｉＯ２和Ａｌ２Ｏ２的分布状态,进一步探讨了机械研磨法制备ＴｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３复合体等因素对其组成的影响。ＸＲＤ分析表明,在〔Ａｌ＾＋３〕：〔Ｔｉ＾＋３〕＝１：１（或０．５）情况下,改进的溶胶－凝胶法制备纳米ＴｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３复合体,其ＴｉＯ２主要分布在Ａｌ２Ｏ３的表面层,在含Ｔ     

清洁及部分氧化的Ni_3Ti(0001)表面CO吸附的HREELS研究

用离子散射谱（ＩＳＳ）、俄歇电子能谱（ＡＥＳ）及低能电子衍射（ＬＥＥＤ）技术对Ｎｉ３Ｔｉ（０００１）表面结构与组成进行考察后，主要采用高分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ），以ＣＯ为探针分子，研究了清洁及部分氧化的Ｎｉ３Ｔｉ（０００１）表面上Ｎｉ，Ｔｉ间的相互作用及对ＣＯ吸附态的影响．结果表明：（１）在最表层几乎完全为Ｎｉ的Ｎｉ３Ｔｉ（０００１）清洁规整表面上，ＣＯ没有发生解离；（２）次表层Ｔｉ原子与最表层Ｎｉ原子间的电子相互作用，使初始吸附的ＣＯ伸缩振动与Ｎｉ（１１１）相比向低频位移约６０ｃｍ－１；（３）适量ＣＯ暴露后，ＣＯ氧端与近邻Ｔｉ原子的成键作用产生了一种新的Ｎｉｘ－Ｃ－Ｏ－Ｔｉｙ物种．Ｎｉ３Ｔｉ（０００１）表面部分氧化后，上述（２）和（３）作用消失     

Influence of the Position of the Connecting Spacer of the Chromophore on the Nonlinear Optical Response

A new chromophore, C1 , based on a similar DπA‐structure as in the FTC ‐chromophore but with a hydroxyalkyl spacer perpendicular to the direction of the dipole moment was synthesized. Both chromophores and the CLD ‐chromophore were used to prepare high T_g nonlinear optical vinyl polymers. The influence of the position of the spacer on the DπA‐system on the NLO response of the resulting polymers was investigated.

     

可溶性聚酰亚胺电化学反应机理的研究

本文研究了三种可溶性聚酰亚胺（ＰＩ）在机溶剂和水溶液中的电化学行为，发现ＰＩ在有机溶剂中的电化学行为明显不同于水溶液，利用红外光谱技术才半经验发子轨道计算方法，结合电化学测试的结果，确证了ＰＩ的电化学反应的机理。     

Determination of the mechanism of the oxidation of the trichloromethyl radical by the photolysis of chloral in the presence of oxygen

The photooxidation of chloral was studied by infrared spectroscopy under steady-state conditions with irradiation of a blackblue fluorescent lamp (300 nm < λ < 400 nm, λ_max = 360 nm) at 296 ± 2 K. The products were hydrogen chloride, carbon monoxide, carbon dioxide, and phosgen. The kinetic results reveal that the reaction proceeds via chain reaction of the Cl atom: The results lead to the conclusion that mechanism (B) is confirmed to be more likely than mechanism (A), which was favored at one time by Heicklen for the mechanism of the oxidation of trichloromethyl radicals by oxygen molecules: The ratio of the initial rates of CO and CO₂ formation gave k₇/k₆ = 4.23M^?1, and the lower limit of reaction (5) was found to be 3.7 × 10⁸M^?1 sec^?1.     

An improvement of the resolution of the identity approximation for the formation of the Coulomb matrix

A straightforward modification of the resolution of the identity (RI) approximation to the Coulomb interaction is described. In the limit of basis sets that are dominated by high angular momentum functions the observed speedups in realistic test systems reach a factor of 2 compared to the standard RI algorithm, and a factor of up to 300 compared to the standard algorithm to form the Coulomb matrix. More moderate savings on the order of 0-20% are obtained for the more commonly used smaller basis sets. A series of test calculations is reported to illustrate the efficiency of the algorithm.