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采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF2,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。 相似文献
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ZnSe/ZnS多量子阱激子光学双稳性 总被引:2,自引:0,他引:2
用MOCVD在CaF_2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N_2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe/ZnS多量子阱的激子光学双稳性,据分析这是由激子的能带增宽效应引起的增强吸收光学双稳性. 相似文献
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用linear mufin tin orbital能带方法,计算Si衬底上(ZnS)n/(ZnSe)n(001)超晶格的能带结构,计算中采用外加调整势进行带隙修正.在得到较准确的能带结构和波函数的基础上,计算该超晶格系统的光学介电函数虚部ε2(ω).结果表明,该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点,在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应.并且该超晶格系统是直接带隙材料,在光电器件应用中有很大潜力.
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在(CdSe)1(ZnSe)3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO1,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。
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用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。 相似文献
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介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进 相似文献
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用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为Il,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。 相似文献
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Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算 总被引:2,自引:1,他引:1
我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光谱所验证。文中指出,这一计算方法同样适用于其它半导体超晶格。 相似文献
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硅—二氧化硅超晶格:探索硅基发光材料的一条新途径 总被引:4,自引:0,他引:4
理论上认为,由于Si/SiO2超晶格中硅层(阱层)的电子和空穴都受到极强的量子限制效应,硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙,从而发光效率大大提高.实验上,在非晶Si/SiO2超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象.晶体Si/SiO2超晶格研究也取得了初步的结果. 相似文献
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采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED) 结构, 通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格, 比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响. 结果显示: 随超晶格厚度增加, 样品的反向漏电流加剧; 300 K下电致发光仪测得随着电流增加, LED发光光谱峰值的蓝移量随超晶格厚度增加而减少, 但不同超晶格厚度的两个样品在300 K下的电致发光强度几乎无差异. 结合高分辨X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对样品的位错密度和V形坑特征分析, 明确了两样品反向漏电流产生巨大差异的原因是由于超晶格厚度大的样品具有更大的V形坑和V形坑密度, 而V形坑可作为载流子的优先通道, 使超晶格更厚的样品反向漏电流加剧. 通过对样品非对称(105)面附近的X射线衍射倒易空间图分析, 算得超晶格厚度大的样品其InGaN量子阱在GaN上的弛豫度也大, 即超晶格厚度增加有利于减小InGaN量子阱所受的应力. 综合以上影响LED发光效率的消长因素, 导致两样品最终的发光强度相近. 相似文献
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本文对半导体超晶格和量子阱的特点、研究对象及现状作了评述.着重讨论了在理论上和应用上都有重要意义的三个问题,即量子阱激光器、量子阱中的激子和多量子阱中的垂直输运. 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜。用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数。测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模拟及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献