GeSbTe直接重写相变光盘动态写擦特性研究

ＧｅＳｂＴｅ体系是目前最适用于可重写相变光盘记录的材料，本文利用自己研制成功的相变光盘动态测试装置对本所研制的ＧｅＳｂＴｅ相变光盘进行了光盘动态写实验和材料性能研究，并实现了直接重写，取得了较大的进展。实验中发现脉冲擦除比直流擦除有较好的擦除效果和较多的重写次数。     

相变光盘膜系计算和设计

本文提出一种计算相变型光盘膜系光学特性的方法.并以TeSbSe光记录介质为例,讨论了三层膜相变光盘的优化设计.     

Ge2 Sb2 Te5相变薄膜光学及擦除性能研究

利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明,一定脉宽下,反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且,在1000 ns,500 ns,100 ns,60 ns的激光作用时间范围内,非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光,擦除功率大于4.49 mW以后,薄膜的反射率对比度高于15％,这表明Ge2Sb2Te5相变薄膜在短脉宽、低擦除功率条件下,可具有较高的晶化速度.同时,分析了非晶态和晶态Ge2Sb2Te5相变薄膜的光谱特性,对比研究了780 nm,650 nm,514 nm和405 nm波长处的反射率和反射率对比度,提出了Ge2Sb2Te5相变薄膜用于蓝光光盘的改进方法.     

相变光盘分离式光学头设计

光学头是光盘存储系统的核心器件，分离式光学头是把聚焦物镜和光学头的其他部分分离开来，以降低光学头可动部分的重量和体积，提高光学头的飞行速度，实现快速存取的目的。本文设计的相变光盘直接重写分离式光学头．具有结构简单，信号检出方便．易于装配等特点。     

GeSbTe 与 AgInSbTe 体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来 ,一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现 ,其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系 .文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点 ,阐述了其晶化机理 ;同时 ,较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响 ,并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点     

蓝光相变光盘的多层膜结构设计

为了使光盘获得优良的记录／读出性能并能够长期稳定地使用，必须优化设计相变光盘的多层膜结构。采用自行设计的模拟分析相变光盘读出过程设计软件，从光学角度出发模拟计算了蓝光(405nm)相变光盘的膜层结构，研究了多层膜系的反射率和反射率对比度等光学参量与各层膜厚度和槽深的关系。研究得出的最佳多层膜结构为：下介电层／记录层／上介电层／反射层的厚度对于台记录为100nm／10nm／25nm，／60nm，而对于槽记录则为140nm／15nm／30nm，／60nm，槽深为50nm。模拟计算结果对于将来高密度蓝光相变光盘的制备具有一定的指导意义。     

GeSbTe与AglnSbTe体系相变光盘的研究进展

自Ovshinsky把相变材料用于光存储以来，一大批具有可逆光存储性能的材料不断出现，其中研究较多的是GeSbTe和AgInSbTe两种体系．文章着重介绍了利用这两种材料制成的相变光盘记录介质的微观结构特点，阐述了其晶化机理；同时，较详细地概述了光盘的堆栈结构及掺杂其他元素对相变光盘性能的影响，并对比说明了GeSbTe和AgInSbTe两种体系在蓝光记录方面的各自特点．     

超分辨相变光盘的膜层计算与分析

利用多层膜反射率的矩阵法计算了GeSbTe超分辨相变光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系，最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。     

激光直接写入过程的计算机仿真研究

基于光刻胶正胶曝光显影过程的理论模型,用梯度折射率介质光线追迹的方法进行了由于局部溶解 同而造成的显影过程 胶面面形随时间变化过程的计算。对任意给定的曝光量分布及显影时间,可以精确地确定显影后的面形,为激光直写研究提供了一种有效的工具。同时,通过对显影速率作阈值近似后,导出了光刻胶曝光显影后面形与表面所需曝光量分布之间的关系,为激光直接写入提供了理论指导。     

相变记录介质GeSb2Te4薄膜的光学性质,晶体结构和晶化特性

采用高频磁控溅射制备了GeSb_2Te_4薄膜.系统地研究了真空热退火对GeSb_2Te_4薄膜光学性质和晶体结构的影响.对非晶态GeSb_2Te_4薄膜进行了热分析,给出了其结晶过程的动力学参数.     

二元光学元件和新型超分辨光盘读写头的设计研究

本文采用杨-顾相位恢复算法数值模拟设计了一个用于光盘读写头的二元光学元件,并构思了一种新型超分辨光盘读写头,在现有光盘读写头的激光波长处和数值孔径基础上,利用该二元光学元件实现光学超分辨,从而提高光盘存储容量.     

光盘与光存储技术简介

本文较全面地介绍了各类光盘的结构、性能、记录原理和加工过程 ,特别注意介绍光盘技术中涉及到的物理原理     

LOW TEMPERATURE OPTICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS OXIDE NANOCLUSTERS IN POLYMETHYL METHACRYLATE MATRIX

We studied the temperature-dependent steady-state and time-resolved fluorescence properties of very small (1-2 nm) ZnO, CdO, and PbO amorphous nanoclusters prepared in AOT reverse micelles and imbedded in polymethyl methacrylate(PMMA) films. X-ray diffraction and electron diffraction and imaging indicate that these structures are amorphous. These amorphous oxide nanoclusters demonstrate similar structural, electronic, and optical properties. Properties of steady-state fluorescence spectra indicate the unique localization of electronic states due to the amorphous structure. ZnO and CdO show double-band fluorescence structure, which is due to the spin-orbital splitting, similar to Cu₂O. Time-resolved fluorescence studies of the nanoclusters in the polymer reveal two lifetime components, as found in solution. The slow component reflects relaxation processes from band-tail states while the fast component may be related to high-lying extended states. The temperature dependence of fast fluorescence component reveals the presence of exciton hopping between anharmonic wells at temperatures higher than 200K. We correlate the barrier height between two wells formed around local atoms with the inter-atomic distance and bond ionicity.     

非晶态物理与软磁材料的产业化

由于非晶态材料具有独特的结构和优异的性能，其发现和发展对相关传统材料及其应用领域产生了巨大的冲击和深远的影响。从1960年首次发现非晶合金至今已有40余年，基础研究和应用开发均取得长足进展，特别是作为软磁材料的非晶合金带材已经实现了产业化，并获得了广泛应用。文章综述了非晶态物理方面的一些基本问题，以及非晶办磁合金的发展历史和产业化现状。     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

磁光盘光头瞬态光学特性研究

本文研究了磁光盘光头的瞬态光学特性,其结果实现了光头部件的最优化设计。     

非线性物理简介:8.光学孤子及其在光纤通讯中的应用

本文介绍了光学孤子的形成、特性及其在光纤通讯中的应用．     

电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质

用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.在微波功率为140—700W、源气体CHF₃∶C₆H₆比例为1∶1—10∶1条件下沉积的薄膜,光学带隙在1.76—2.85eV之间.薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响,吸收边随氟含量的提高而增大,光学带隙则主要取决于CF键的含量,是由于强电负 关键词： 氟化非晶碳薄膜 光吸收与光学带隙 电子回旋共振等离子体     

略谈我国光物理研究进展

简要地回顾了光物理学科的发展历史,以及我国在这领域的主要进展,并展望了２１世纪该学科可能得到重大发展的一些研究领域。