确定非正常触发主从JK触发器次态的一种简单方法

通过对非正常触发时主从JK触发器可能出现的工作波形的详细分析,归纳出了非正常触发时确定主从JK触发器次态的简单方法。     

新型CMOS JK触发器

该文以双反相器闩锁电路为基本存贮单元,采用开关级设计方法设计出一种新型的CMOS JK触发器。与传统设计相比,新设计具有较简单的结构、较少的元件以及较快的工作速度。     

基于MOBILE的JK触发器设计

介绍了一种新型量子逻辑单元电路——单稳双稳转换逻辑单元及其工作原理,在此基础上探讨并设计了以MOBILE为基本单元电路的具有同步置位复位功能的边沿型JK触发器电路,从而丰富了量子电路中触发器的类型     

基于MOBILE的JK触发器设计

介绍了一种新型量子逻辑单元电路--单稳双稳转换逻辑单元及其工作原理,在此基础上探讨并设计了以MOBILE为基本单元电路的具有同步置位复位功能的边沿型JK触发器电路,从而丰富了量子电路中触发器的类型.     

双阶跃JK触发器和多阶跃时序电路

本文首先分析双阶跃ＪＫ触发器完成的功能，推出它的特征方程，并设计其电路，然后用该触发器设计多阶跃时序电路。     

TTL主从JK触发器在CP脉冲升降沿的工作特性研究

TTL主从JK触发器在时钟脉冲下降沿会出现输出状态异变，本文对这一问题进行了研究。     

基于AERL的低功耗绝热JK触发器的研究

提出了一种低功耗的绝热JK触发器电路。在绝热AERL(Approved Energy Recovery Logic)反相器电路的基础上,提出了AERL反相器级联及AERL JK触发器的实现方法。在0.5微米PTM工艺下用Spice工具对提出的电路进行了模拟仿真。结果显示与传统的CMOS JK触发器和ECRL JK触发器相比,AERL JK触发器具有更低的功耗。     

基于74LS112JK触发器的抢答器设计

根据JK触发器在每个时钟脉冲作用时间内,其状态只变化一次,而且不同引脚都可以使触发器状态发生改变的特性,给出了用JK触发器来设计抢答器的设计方法及仿真,同时给出了用74LS112JK触发器设计抢答器的最优设计方法及思路。     

基于去抖动的JK触发器实验设计

JK触发器是一种功能完善且应用很广泛的触发器。在实验中,JK触发器实验虽然用Protues软件仿真能顺利完成,但是在实验箱上连接电路却不能得到预期的正确结果,这是开关抖动造成的。在此引入一种改进的电路:在时钟信号产生电路中引入由基本RS锁存器构成的去抖动电路,其可以有效地消除触点抖动造成的实验结果错误和误触发,得到与理论完全一致的结果。     

TTL JK边沿触发器在CP脉冲边沿的工作特性研究

TTL JK边沿触发器在CP脉冲边沿会出现输出状态异变现象.本文分析了异变的原因,提出了对CP脉冲上升时间和下降时间的要求条件.     

基于QCA的双边沿JK触发器的实现

量子元胞自动机(Quantum-dot Cellular Automata,QCA)是一种有望替代传统半导体晶体管的新型纳米器件.本文提出了一种改进的双边沿触发结构及其相应的JK触发器电路,用概率转移矩阵(Probabilistic Transfer Matrix,PTM)分析该触发结构,结果表明该结构较以往的可靠性更高.同时利用模块垂直堆叠方法来优化了JK触发器电路,新结构电路较之前的电路元胞数和整体面积均有所减少.     

Tailoring Mid-Gap States of Chalcogenide Glass by Pressure-Induced Hypervalent Bonding Towards the Design of Electrical Switching Materials

Phase change memory (PCM) and ovonic threshold switching (OTS) materials using chalcogenide glass are essential elements in advanced 3D memory chips. The mid-gap states, induced by the disorder and defects in the glass, are the physical mechanisms of the electrical switching behavior, while the origin of these trap states is still under debate and the medium-range clusters that break the global octet rule, such as over-coordinated atoms, are known to be responsible in various glass. Here, it is discovered that a large fraction of over-coordinated clusters fails to generate mid-gap states, which are probably caused by hypervalent bonding, a multi-centered covalent bond participated by delocalized lone-pair electrons. This is confirmed by the pressure-driven simulations of amorphous GeSe models, in which it is found that octahedral motifs and hypervalent bonds prevent the over-coordinated medium-range clusters from providing excessive electrons. In practical applications, compatible dopants can be used to change the number of hypervalent bonds, thus controlling the number of mid-gap states and consequently the performance of PCM and OTS materials. These results reveal the origin of mid-gap states in chalcogenide glasses, enabling extensive control in the development of pioneering electrical switching materials.     

由黑体Dbb*确定峰值Dλ*以及黑体波段D△λ*--G因子的计算

介绍了G因子的概念和确定方法.常规黑体Dbb*和相对光谱响应测量结果加上黑体辐射特性数据便可计算G因子.同时介绍了波段G因子及其计算方法.     

PCB丝网印刷中怎样控制油墨的黏度和触变性

电路板在电子产品中的应用非常广泛,其质量和稳定性直接决定产品的质量。印制电路板（PCB）是电子丝网印刷中的重要印刷内容。在PCB印刷中,油墨的主要性能（如油墨的黏度和触变性）直接影响着PCB的印刷质量和生产速度,因此,在印刷中要注意熟悉和调控油墨的黏度与触变性,保证PCB丝网印刷的质量。