高Tc氧化物超导体的性参数的研究

在高Ｔｃ氧化物超导体的研究中，引入分子平均电负性ＸＭＯ、单位氧原子上阳离子加合电离势∑ＩＭ和原子部分电荷δ０及δＭ的计算方法，并对ＹＢＣＯ、ＹＢＳＣＯ、ＢＩＳＣＣＯ、ＴＬＢＣＣＯ、ＴＩＲＥＣＣＯ、ＴＩＲＥＳＣＣＯ及ＲＥＢＣＯ等系列的Ｔｃ变化规律，进行了研究。     

高Tc铜氧化物超导体的同位素效应与氧的含量、位置的关系

在本文中,讨论了高Tc铜氧化物超导体中的同位素效应指数αO.αCu与氧的含量,位置的关系,得出了同位素效应指数的变化与氧的含量,位置密切相关.     

高Tc铜氧化物超导体的结晶化学和分块设计

本文简要地描述了已发现的铜氧化物超导体的不同结构类型,并按其中CuO平面的不同连接和分隔方式做了分块划分。利用这些连接、分隔的不同方式可以组合出新的结构类型。这种思想已被铅系的Pb-2222(PbBaSr(NdCe_2)Cu_3O_y),LaBa(NdCe)_2Cu_3O_y和Ta-1222等新化合物的设计和成功制备所证实。最后提出了寻求新型层状铜氧化物和超导新体系的可能方向。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应（Ⅰ）

本文就高Tc氧化物超导体中的元素替代效应,尤其是对123相化合物中不同原子位置上部分元素替代所导致的晶体结构、氧含量、正常态和超导态性质,以及载流子浓度等的变化作了系统的评述。深入讨论了从中给出的有关高温超导电性微观机制的信息。     

高Tc氧化物超导体涨落效应的研究及对相干长度和能隙的讨论

测量了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_y 多晶大样品及 Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)单晶薄膜超导体的涨落电导随温度的变化,从而定出了相干长度ξ.又从ξ及费米速度 v_F、临界温度 T_c 估算了(Δ2/k_BT_c)(Δ为能隙),与文献中直接测能隙得的数值比较接近.此外,我们还用 Aslamazov-Larkin 涨落理论计算的曲线与 BiSrCaCuO 的实验曲线进行比对,符合较好.     

高Tc超导体的接触电阻

比较了几种不同的引线与高 T_c 超导体连接方法的面接触电阻率.对接触电阻的 I-V 特性曲线进行了讨论并加以说明.同时,发现在 YBCO 超导材料内掺适量的银对于引线与样品之间的接触电阻有相当大的改善.提出了几种简便有效的减小接触电阻的方法.最低达到1.3×10~(-7)Ω·cm~2(77K).     

高Tc铜基超导体伏安研究

首次用软嵌式粉末电极直接测出了高温超导体 YBa_2Cu_3O_(7-δ)等中的 Cu(Ⅲ),并求得Cu(Ⅲ)的含量.YBa_2Cu_3O_(7-δ)被测样品用固态反应合成后,以不同处理条件制得,经 XRD相分析,碘量法测含氧量,测伏安曲线.用库仑仪测出反应 Cu(Ⅲ)→Cu(Ⅱ)及Cu(Ⅱ)、Cu(Ⅰ)→Cu 的峰电量.在4号及5号样品中检出了 Cu(Ⅲ),其量分别占样品中 Cu 元素的11.7%和14.8%.     

高Tc台阶结Josephson器件

采用预先在衬底上刻蚀出台阶然后原位外延生长高 T_c 超导薄膜的工艺,制备了高 T_c 台阶结 Josephson 器件.文中研究了直流 Josephson 电流对温度和外加微波功率的关系,实验结果与磁通流器件的行为基本相符.     

高临界温度氧化物超导体

 1986年以来,瑞士、美国、日本及中国的科学家相继发现了高温氧化物超导体.这些发现在国际科学界激起巨大反响,给寻找可在液氮温区（即77K以上）工作的超导体的人们带来了极大的“热冲击.从1911年到1986年的75年间,人们发现了数以千计的超导元素、合金和化合物.但它们的超导临界温度都较低,最高的只有23.2K(Nb₃Ge,1973年发现.必须使用技术复杂、代价昂贵的液态氮作冷却剂.超导体的电磁特性所带来极其诱人的优越性被低温技术带来的麻烦大大抵消.     

无限层结构的高Tc氧化物超导体

综述了无限层结构的高Ｔｃ氧化物超导体的发展及其研究进展。着重介绍了空穴型和电子型的块体及薄膜等不同样品的合成技术与物性。最后强调指出，无限层结构为高温超导体机理和材料的研究提供了理想的模型系统。     

高Tc超导体的NMR和NQR研究的进展

本文简要地叙述了近年来用该磁共振（ＮＭＲ）和核四汲共振（ＮＱＲ）方法对高Ｔｃ超导体的研究．讨论了Ｌａ系和Ｙ系材料在从反铁磁性转变到超导电性各阶段中的ＮＱＲ谱的变化及其所提供的信息．讨论了 ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的 ＮＭＲ研究，表明无论 Ｃｕ（１）或 Ｃｕ（２）均为自旋 Ｓ＝１／２的 Ｃｕ２＋伏态，并讨论了其中氧的伏态．简要叙述了金属超导体的自旋－晶格弛豫率随温度变化的规律，并将其与高Ｔｃ超导体中各元素的自旋－晶格弛豫率随温度变化的规津作了比较．     

掺银YBCO高Tc超导体的毫米波表面电阻

实验测量了掺银 YBCO 高 T_c 超导材料在八毫米波段的表面电阻与温度的关系,在20K和35.6GHz 时的微波表面电阻为2.7×10~(-2)Ω.对实验结果进行了理论分析.     

高Tc超导薄膜及电子器件

在 198 7年初,发现液氮温区超导体几星期之内,研究高温超导薄膜及其器件的工作在各国也随之广泛地展开.由于它在电子学方面的实际应用前景诱人,这些研究工作以前所未有的步伐发展着.这些应用包括单层型器件(如简单互连线、红外探测器和许多微波无源器件)和多层型器件[如复杂的互连线、超导量子干涉器件(SQUID)和约瑟夫森(Josephson)集成电路].在实验室范围内人们已经实现了上述单层型器件的应用,多层型器件也正在发展之中. 超导薄膜的制备是第一个目标.钇钡铜氧(YBa2Cu3O7-x)是首先发现的也是研究得最多的材料.各种物理气相淀积、化学气…     

探索高Tc超导新材料的可能途径

本文从已有的实验与理论研究成果出发，分析和讨论了主导铜氧化物超导体转变温度Tc及其微观机制的各种外在和内禀的因素，在此基础上提出了进一步探索高Tc超导新材料的几种可能途径．     

含氟铋系高Tc超导体的性能

本文报道了氟代氧的铋系超导体的多方面研究结果。着重讨论了氟是否进入超导相,氟的结晶学位置,及其对结构性能的变化影响和改善超导电性的机制等等。     

用于高TcrfSQUID的高Tc超导平面谐振器

我们设计并制备了用于高ＴｃｒｆＳＱＵＩＤ的超导平面谐振器，并测量了其谐振参数。实验表明，超导平面谐振器与分立元件式谐振器相比具有很高的品质因数，约为１０００－６０００。通过调节衬底材料，设计尺寸可以调节谐振频率。     

探索高Tc超导新材料的可能途径

本文从已有的实验与理论研究成果出发,分析和讨论了主导铜氧化物超导体转变温度Tc及其微观机制的各种外在和内禀的因素,在此基础上提出了进一步探索高Tc超导新材料的几种可能途径.     

大有效面积的高Tc rf SQUID

设计和制作了一种新型结构的高Tc rf SQUID探头.在使用高温超导薄膜共面谐振器作为射频谐振回路的情况下,采用了大面积高温超导薄膜作磁聚焦器.这种结构既有利于得到低的磁通白噪声,又可加上大面积聚焦器以增大有效面积,因而容易得到高的磁场灵敏度.实验中在15 mm×15 mm的衬底上得到了有效面积为1.27 mm2,在磁通噪声为2.1×10-5φ0/Hz时,磁场灵敏度为34fT/Hz.该结构易于推广应用到更高频率的高Tc rf SQUID.     

高Tc超导体的临界电流和磁体应用

1987年高温超导材料的发现,给人以希望.甚至有人预言一个新时代的到来,在石器、青铜、铁器和半导体时代之后会是超导体时代.超导体时代的大多数应用,取决于利用其零电阻特性制作强磁体的可能性.这要求能将超导材料制成线材,在强磁场下临界电流超过10’A/cm2。 传统的超导体线材,如 Nb-Ti线,Nb3Sn线,由于转变温度Tc较低,只能在液体氦温度下工作,带来诸多不便.氧化物高温超导材料,Tc在液氮温度之上,似乎可在77K 以上使用,但存在两个主要的问题.一个通常称做“弱连接”或“颗粒超导电性”问题,材料中晶界等弱连接区限制了材料临界电流的大…     

对高温氧化物超导体的黄金坐标分析

本文对60余种高温氧化物超导材料用Villars坐标进行再分析。又引进两个新的坐标(电负性平均值及平均化合价),发现在用这两个新坐标分析时,高温氧化物超导材料在图中的分布更趋于集中。 关键词：