近场高密度光存储

文章综述了近场高密度光存储领域的研究进展情况，着重介绍了固体浸没透镜（solid immersion lens,SIL)存储方案和近场超分辨结构（super resolution near-field,SuperRENS)的原理、研究进展及问题。     

光致变色材料多阶光存储模型与实验

光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。根据光化学反应的原理,分析了光致变色材料的写入过程,建立了光致变色多阶存储写入过程的反射率模型。根据该模型的仿真计算结果,设定了一组合适的曝光量,在1,2_双(2_甲基_5_(4_(1,3_二氧戊环基)苯基)噻吩_3_基)全氟环戊烯材料上实现了8阶存储。     

高密度蓝光存储及其扩展技术

蓝光技术被认为是第三代光存储的主流技术。介绍了蓝光存储中关键技术的发展过程,并对Blu_Ray和HD_DVD两种蓝光光盘的主流技术方案进行了比较分析。通过分析和比较后认为:HD_DVD技术方案具有较好的兼容性,因而较适合在PC机中应用;Blu_Ray技术方案具有容量大的优势,因而较适用于作为视频传播媒体。对蓝光存储的一些扩展技术,如蓝光多阶技术、蓝光超分辨近场结构技术和蓝光多波长技术等进行了综述。展望了蓝光技术的发展前景。     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展     

高密度数字光存储技术

 随着信息科学的迅速发展,对存储介质的存储密度和存储容量的要求在不断提高,然而传统的信息存储方法已几乎接近物理极限,于是寻找新的存储介质和存储方法就成为近年来信息科学的研究热点。光存储技术是继磁存储技术之后的又一新兴技术,它利用光改变物质物理或者化学性质存储信息,近年来不仅取得了重大的技术突破,而且形成了一个庞大的产业。现在以光盘为代表的光学数字数据存储技术已成为信息存储中不可缺少的载体。与以往的磁存储相比,光盘存储的优点是存储容量大、密度高、寿命长、信息的信噪比高,可以非接触式读写和擦除等。     

固体浸没透镜用于飞秒三维光存储研究

为进一步提高光存储密度，利用固体侵没透镜（SIL）与数值孔径为0.55的长工作距离物镜对飞秒激光脉冲进行聚焦，完成了PMMA及石英介质上的存储实验,并对聚焦物镜焦点与SIL底面离焦时的介质内焦点位置和系统的数值孔径进行了模拟。实验结果表明：当聚焦物镜焦点与SIL底面适当离焦时，实际聚焦在介质内的焦点深度不断加深，且系统的有效数值孔径不断增大。利用这一结果，在距PMMA表面20μm的地方得到了点间距1μm，层间距2.5μm的6层空间点阵；在距石英介质表面15μm的地方获得了点间距为0.6μm，层间距为2.5μm的5层空间点阵，其存储密度可达1.1×1012bits/cm3。     

磁光效应与磁光存储

简述了磁光效应的几种类型，重点介绍了磁光克尔效应原理及其在磁光信息存储技术中的应用，对磁光信息存储技术的发展作了展望。     

光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长（蓝光）磁光存储，磁光超分辨近场结构光存储（Super-RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术，文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理，并对其研究现状及发展前景作了全面综述。     

基于Polytec激光测振仪的光存储设备振动测试分析系统

针对光存储设备振动频率高的特点,采用Polytec激光测振仪拾取振动信号,并给出了基于Polytec激光测振仪的光存储设备振动测试分析系统。可用于硬盘盘片、磁头滑块、折臂组件、光盘盘片等振动测试,为光存储设备动态特性的测试和分析建立了良好的实验基础。     

AgTCNQ衍生物旋涂膜绿光可擦重写光存储性质研究

报道了新型电子转移复合物AgTCNQ脂类衍生物：银-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷)的旋涂薄膜的光谱特征、薄膜的静态绿光可擦重写光存储性能,并研究了薄膜的可擦重写机理。结果表明该薄膜在388nm和675nm处有两个源于复合物中阴离子自由基TCNQ(C2H4COOCH3)2^-中的电子跃迁的特征吸收峰;AgTCNQ酯类衍生物旋涂膜具有良好的绿光光存储性能,该薄膜在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率衬比度大于15％,循环次数可达100次以上,并且没有出现任何疲劳现象。机理研究表明,AgTCNQ酯类衍生物与AgTCNQ有着相同的可逆光致变色机理,即在激光作用下因复合物中可逆电子转移引起薄膜光学性质的可逆变化,从而实现可擦重写光信息存储。     

多阶光存储研究进展

多阶光存储是一种在不改变原有光路和机械系统的情况下,利用先进的信号处理与调制编码技术,显著提高存储容量和数据传输率的新型技术。综述了多阶光存储的发展历史及研究现状,并针对多阶光存储的两种类型(信号多阶和介质多阶),列举了几种典型的多阶光存储方案。从本质上分析了信号多阶技术和介质多阶技术的不同,展望了其发展方向。     

双光子吸收三维数字光存储

双光子吸收三维数字光存储是实现超高密度光存储的一种重要方法,双光子吸收几率与作用光强的平方成正比,使得只有位于焦点小范围内的记录介质受到激发,双光子吸收激发的光致聚事作用,光致变色作用、光致荧光漂白、光折变等效应,引起这一小范围内记录介质的光学性质发生改变,结果能将信息写到亚微米尺度的体积单元中,实现三维数字光存储,这种双光子吸收三维数字光存储密度可达10^12Bits/cm^3。文章介绍了双光子吸收三维数字光存储的原理和进展。     

基于菌紫质F态的永久光存储研究

在线偏振飞秒激光激发下, 菌紫质通过双光子光化学反应可以生成具有永久光致各向异性的蓝移产物F₅₄₀态. 基于F₅₄₀态的永久光致各向异性, 通过调控飞秒激光空间光场分布, 可以在菌紫质薄膜中实现永久光信息存储. 本文使用纯相位型空间光调制器调制飞秒激光光场, 在物镜焦平面上生成光学点阵图案, 可以将信息快速记录在菌紫质薄膜中. 同时, 通过改变入射激光偏振方向, 可以实现偏振复用光存储, 这在高密度光存储和数据加密领域具有潜在应用.     

用于新一代高密度可录光盘的有机材料研究进展

本文在总结近几年来国内外文献和专利报道的最新研究成果基础上，简要阐述了新一代高密度可录光盘的数据存储机理以及激光器工作波长与有机材料薄膜最大吸收波长相匹配的要求，介绍了在蓝(紫)光波段内(350～400nm)具有显著吸收的有机材料研究概况，并讨论了这些有机材料作为新一代高密度可录光盘数据存储介质的可能性。最后，对有机材料用于新一代高密度可录光盘数据存储介质的研究重点以及今后的发展前景进行简要讨论和展望。     

近场光存储及其研究进展

本文从近场光学的超分辨原理出发详细介绍和分析了孔径探针型近场光存储技术、SIL透镜近场光存储技术和近场超分辨结构光盘存储技术等的基本原理、研究现状以及它们的优缺点及存在的问题     

花菁化合物薄膜的光存储性能

采用旋涂工艺制备了花菁染料薄膜,测试了薄膜吸收、透过和反射光谱,通过椭圆偏振光谱计算了薄膜的光学常数,以该花菁染料薄膜为记录层的可录光盘的动态性能和优化功率测试表明,光盘的最佳写入功率在７ｍＷ左右,载楷（ＣＮＲ）可达４７ｄＢ。利用原子力显微镜观测了以不同功率记录后可录光盘的预刻槽形貌。     

绿光光存储实验研究

在光存储技术中,采用短激光波长激光器和大数值孔径物镜是提高光存储密度的两种有效途径.本文采用532 nm波长激光, 0.65数值孔径物镜,建立了绿光存储实验装置.并采用该实验装置在CD-RW相变光盘上进行了存储实验研究,实现了线宽约为500 nm的实验结果.