斜入射时平板吸波材料电磁参数匹配规律研究

利用传输线理论推导出了电磁波斜入射时满足广义匹配规律的后向反射率公式,并应用3维网格法对单层平板吸波材料的吸波性能进行了分析......     

广义匹配规律在Salisbury屏反射性质研究中的应用

将广义匹配规律应用于Salisbury屏的反射性质研究中,给出了满足广义匹配规律Salisbury屏的后向反射系数公式,为损耗材料作为隔离层Salisbury屏的优化设计新方向提供了理论基础,并对具体优化设计中电磁参数的匹配问题提供方向性的指导．     

Salisbury屏电磁匹配特性及其在抗电磁辐射中的应用研究

利用抗电磁辐射平板材料和Salisbury屏组合使用,推导出了相应的反射系数公式并进行了优化设计.设计结果具有较好的dB衰减值,既满足了工程设计对厚度需求,又保证在2~18 GHz有较大的带宽.     

斜入射时网格法在耗损材料参数匹配机理研究中的应用

通过平面波反射系数公式给出了电磁波斜入射时单层电磁损耗材料反射系数公式,用网格法对影响反射系数的参数进行了分组讨论与优化,利用计算机对斜入射时耗损材料参数匹配进行了辅助设计,优化结果有利于实际材料的设计和应用.     

斜入射时电磁损耗材料吸波性能研究及计算机辅助设计

给出了电磁波斜入射时单层损耗材料反射系数公式,使用三维网格法对斜入射角度、材料电磁参数、材料厚度等因素进行了讨论,并对给定具体电磁参数的单层结构进行了计算机辅助设计.优化设计结果表明,该理论研究有利于实际材料的设计和应用.     

斜入射时网格法在吸波材料吸波机理研究中的应用

通过平面波反射系数公式和传输线理论,给出了电磁波斜入射时单层吸波材料反射系数公式,利用网格法对材料的电磁参数、厚度、频率与总后向反射率的关系,进行了分组讨论与匹配设计,指出低频段材料的外形设计应该根据不同频率点的强吸收特点采取厚度渐变式.     

三维网格法在Salisbury屏优化设计中的应用

将三维网格法引入到Salisbury屏的优化设计之中,并用电磁损耗材料代替了经典Salisbury屏的隔离层材料.通过设计和讨论,解决了Salisbury屏应用过程中厚度过大和强度太低的问题,较直观的给出了参数之间的匹配规律.符合全貌分析方法的观点,从全局上考虑问题,减小了单独讨论或者强调某一参量所带来的片面性影响.     

斜入射时抗电磁辐射材料电磁参数匹配的研究

给出了当电磁波斜入射时抗电磁辐射材料反射系数的公式,运用三维网格法讨论了斜入射的角度、材料电磁参数、材料厚度等因素对其的影响,并用计算机辅助设计了给定具体角度、具体电磁参数或具体厚度的抗电磁辐射材料。优化设计之后的结果可以对实际材料的设计和应用有具体的理论指导意义。     

高强度激光斜入射时涂漆光声信号变化趋势

高强度激光斜入射时涂漆光声信号变化趋势王阳恩尚志远董彦武王公正李争光（陕西师范大学应用声学研究所，西安７１００６２；第一作者，男，２８岁，硕士）自从１９７３年Ｒｏｓｅｎｃｗａｉｇ提出固体光声谱技术并创立ＲＧ固体光声理论以来，有关光声技术与理论的研究得...     

斜入射消色差延迟器理论

为了提高斜入射消色差延迟器件的精度,通过分析两种斜入射结构,得出了消色差性能较好的结构.结果表明,这种较好的结构由于折射率n和全内反射角θ引起相位延迟δ的变化趋势相反,而减弱相位延迟δ的变化,因而可以设计出高精度的消色差相位延迟器件.     

单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射

由单轴各向异性媒质中的麦克斯韦方程出发,导出了单轴各向异性吸波材料对斜入射电磁波的反射系数公式;通过数值计算,分析了单轴各向异性吸波材料的斜入射特性,得到负单轴ＲＡＭ的吸波性能优于正单轴ＲＡＭ的吸波性能及负单轴ＲＡＭ的吸波性能主要取决于材料的横向参数等结论．     

黏接结构紧贴型缺陷超声斜入射法检测

黏接结构缺陷检测是目前经济建设和国防安全亟须解决的应用问题.基于超声斜入射法对黏接结构中存在的紧贴型缺陷进行检测研究,制作了板厚为5 mm的含紧贴型脱粘缺陷的试样,采用水浸聚焦探头对试样分别进行垂直法和斜入射法的C-扫描检测实验,分析了不同入射角度对紧贴型缺陷检测以及气泡缺陷的影响.检测结果表明:斜入射法相较于垂直入射...     

短时信号分析法测量自由场斜入射反射系数

短时信号分析法是在声脉冲叠加法基础上 ,采用复指数模型参量法进行数据处理 ,使测量频段向低频延伸 .计算时引入既定极点大大提高了抗干扰能力 .通过参数优化的讨论和误差分析 ,保证了较高的测试精度 .在普通房间中对 2 .4m× 2 .4m超细玻璃棉进行实际测试的结果表明 ,其垂直入射反射系数与驻波管法测量结果较为吻合 ,斜入射测试结果与理论估算值基本一致