以银纳米棒/氯化银为SERS基底用维多利亚蓝B分子探针检测大肠杆菌

加入增敏剂AgNO₃和NaCl,在银纳米棒(AgNRs)表面吸附了较牢固的AgCl并形成高SERS活性的AgNR/AgCl溶胶基底,维多利亚蓝B(VBB)分子探针在1 611 cm-1处有一较强的SERS峰。用VBB做大肠杆菌(EC)的染色剂,使染色的大肠杆菌具备VBB分子探针的SERS特性,即VBB染色大肠杆菌也在1 611 cm-1处有一较强的SERS峰。在最优条件下,该SERS峰强与大肠杆菌浓度在5×106～3×109 cfu·mL-1 范围内成正比,检出限为2×106 cfu·mL-1,用于水样和饮料中大肠杆菌的分析,具有简便、快速、灵敏等优点。     

注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

用离子注入方法,将稀土离子Er3+注入到n-Si单晶中,通过对其低温(77K)光致发光光谱的测量,研究其光学特性.结果表明,注入剂量控制在1×1012cm-2～1×1015cm-2范围,退火温度控制在900℃～1100℃时,样品的主要发光峰值位于1.54μm左右.研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系,给出峰值在1.54μm附近的未分辨开的谱线的半宽为16.4meV.     

高压下Na5Tb(WO4)4单晶的光谱

研究了Na5Tb(WO4)4单晶的高压发光规律,化学计量的Na5Tb(WO4)4基质发光单晶的发光来源于基质中高浓度Tb3+.用金刚石对顶砧显微光谱系统在0-4GPa范围内研究了Na5Tb(WO4)4的室温高压光谱,确定了各发射谱线的高压移动率.对Tb3+的5D4→7Fj(j=0,1,2,3,4,5),测到18条谱线高压移动率中除一条(5D4→7F2,常压峰值15509cm-1)蓝移外,都红移,红移率最大为-19.5cm-1/GPa(对应谱线5D4→7F4,常压峰值16876cm-1),与Tb3+在其它基质中相比,此移动率很大.     

掺Pb的Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体及非晶体的Raman光谱

本文研究了Bi2Sr2CaCu2O8单晶(Tc=85K)、Bi2-xPbxSr2Ca2Cu3Oy单相(Tc=107K)和Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O非晶体室温下20-720cm-1的Raman光谱.通过谱图的比较,我们认为456-466、631-650cm-1是高Tc氧化物的特征谱,它们与Cu-O链及Cu-O面上的强电子-声子耦合有关;掺Pb导致Bi(Pb)-O双层之间氧的分布改变,增强了Bi(Pb)-O双层之间的耦合,从而有助于提高超导转变温度Tc.     

LP-MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs

利用LP-MOCVD技术,采用两步生长法,在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮,室温载流子浓度为1.9×1017cm-3和迁移率为6214cm2/V.s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0.9Sb0.1中InAs(LO)的233cm-1和InSb(LO)的187cm-1两种光学声子行为。     

α-甘氨酸晶体中NH_3~+扭曲振动的变温拉曼光谱研究

1999年,Chilcott研究了α-甘氨酸单晶电阻抗随温度的变化,发现晶体在304 K开始导电。为了了解其导电机理,本文研究90 K到340 K的拉曼光谱,发现在α-甘氨酸单晶中NH3+扭曲振动模式分裂,表现为N-H(6)…O(1)(491 cm-1)和N-H(7)…O(2)(483 cm-1)模式,以及CO2-摇摆模式(503cm-1),在304 K均有不连续性变化,并与变温中子衍射晶体结构层内的氢键N-H(6)…O(1)键角和N-H(7)…O(2)长度出现转折点一致。由于α-甘氨酸晶胞中NH3+和CO2-基团构成的电偶极子在变温下重新定向,出现两性离子电荷重心变化致使晶体极化,引起晶体在304 K左右发生了铁电相变。     

钛酸铅单晶纳米棒的生长机制和声子特性研究

采用改进熔盐法经一步反应合成了直径50-80nm,长度为1-5μm的单晶PbTiO3纳米棒。纳米棒沿(100)晶向生长,其形成可以用Ostwald成熟机制来解释。PbTiO3纳米棒晶格结构为四方(a=b=3.926,c=3.963),与单晶相比四方性明显下降。通过变温拉曼测试发现其铁电-顺电相变温度为440℃,低于单晶(490℃)。相变过程中“软模”E(1TO)的软化行为(从67 cm-1到56 cm-1)比单晶显著减弱,表明钛酸铅纳米棒中铁电性的弱化。     

Mn5(PO3(OH))2(PO4)2(H2O)4的水热合成和光谱研究

在水热反应条件下合成出具有红磷锰矿结构的Mn5(PO3(OH) ) 2 (PO4 ) 2 (H2 O) 4单晶 ,在X ray单晶结构分析的基础上 ,对其固体紫外可见漫反射光谱、红外光谱、荧光光谱和热重光谱进行了研究。结果表明 ,构成该化合物的PO4 四面体及MnO6 八面体通过共顶点或共棱方式相连接 ,与P ,Mn配位的氧分为 3类 :即端基氧 (Od)、二桥氧 (Ob)和三桥氧 (Oc)。因而在 2 10和 2 5 0nm左右出现了Od→Mn和Ob ,c→Mn的荷移跃迁吸收谱带 ;在 10 0 0～ 110 0cm- 1 处 ,P—O的伸缩振动峰分裂为 3个 ;70 0～ 980cm- 1 处存在 3类Mn—O的伸缩振动。对标题化合物分别采用 2 18和 310nm的光激发 ,分别在 35 4和 4 13nm产生强而尖锐的荧光光谱发射峰 ,表现了很强的光学效应。热重分析表明该化合物在 2 70℃以下结构保持稳定 ,在 2 70～36 0℃范围内失去配位水。量化计算得单点能为 - 4 5 5 8 6 5 95 5 5 1a u ;前线轨道能量HOMO(Alpha) =- 0 2 80 80a u ,LOMO(Alpha) =0 0 15 2 7a u ,能隙为 0 2 96 0 7a u ;HOMO(Beta) =- 0 2 5 919a u ,LOMO(Beta)=0 0 0 10 8a u ,能隙为 0 2 6 0 72a u ;偶极矩为 4 2 0 82Debye。     

低气压下土壤中Pb等离子体光谱特性

用Nd∶YAG激光诱导激发土壤等离子体,研究了环境压力(在1.01×105与1×102 Pa之间)对土壤等离子体辐射特性及元素检出限的影响。结果表明,随着气压的降低,土壤等离子体的谱线强度、信背比先增大后减小,最高均可达常压下的1.69倍;电子密度同样呈现先增大后减小的趋势,在气压8×104 Pa下达到最大值3.56×1016 cm-3,比常压下高出1.5×1015 cm-3;在气压8×104 Pa下诱导激发等离子体发射光谱与常压下相比有较好的稳定性和较高的精密度。20次重复实验得到土壤等离子体分析线信号强度的相对标准偏差为1.1%,明显低于常压下的3.5%,低气压下稳定性显著提高。应用内标法对自制土壤中Pb元素建立定标曲线,计算得到气压8×104 Pa下土壤中Pb元素的检出限为57.27 mg·kg-1,较常压下降低了39.23 mg·kg-1。表明适当的低压环境可以有效提高LIBS的光谱检测灵敏度,改善元素分析的检出限以及增加光谱定量分析的准确度和精密度。     

食用菌的傅里叶变换红外光谱鉴别

利用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)研究了担子菌木耳目、非褶菌目和伞菌目6个科9个属的10种食用菌的子实体。将光谱分为5个区S1区(3 050～2 800 cm-1),S2区(1 750～1 500 cm-1),S3区(1 500～1 200 cm-1),S4区(1 200～950 cm-1),S5区(950～700 cm-1);在5个区中,强峰出现在S4区的1 080 cm-1附近和1 040 cm-1(1 020 cm-1)附近,以及S2区的1 640 cm-1附近,1 640 cm-1附近的峰为酰胺Ⅰ振动峰,前两峰为糖类振动峰。根据5个区光谱峰值和吸收强度比,可以鉴别不同的食用菌。700～950 cm-1范围有可能作为区分不同属蘑菇间的指纹区。     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级|±1/2>与|±3/2>之间的间隔为△ε1=-587×10-4cm-1,而|±3/2>与|±5/2>之间的能级间隔为△ε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g//=2.1810,g⊥=2.0937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A//=88.36×10-4cm-1,A⊥=81.20×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,|-3/2> |1/2>和|-1/2> |5/2>.     

掺钛宝石的光谱研究

用IFUS(Induction Field Up-shift Method)方法生长了浓度高,光学质量好的Ti:Al2O3单晶,通过测量Ti3+离子的吸收,激发,荧光光谱以及荧光寿命,分析研究了Ti:Al2O3单晶的发光特性和发光谱随温度的变化,(τFluo=3.1μs,300K;β=[Ti3+]/[Ti]=0.999,αm/αr=380,α488nm=9.5cm-1。     

化学蒸汽输运法生长完整硫化锌单晶

用化学蒸汽输运法(VT),以碘为输运剂,在封闭的生长安瓶内,生长温度900℃,蒸发源与生长中的晶体间温差(△T)为5—6℃,在园锥形安瓶顶端以取向的单晶作子晶,可以生长成完整的ZnS单晶.在大管径的安瓶中对流控制的质量输运可以快速长成具有大晶面,中间有空隙的梨晶.用控制对流并适当降低△T值在低蒸气过饱和下可以生出1厘米3以上量级无孪生的单晶.ZnS单晶为立方结构,位错密度104·cm-2n型导电,电阻率8×1012Ω·cm.晶体具有蓝色CRL、PL及EL,用掺有锰的多晶在同样条件下可以生长出ZnS:Mn2+单晶.     

用光镊技术研究硝酸铵气溶胶的挥发性

研究半挥发性气溶胶物质的气粒分配对于更准确地描述大气气溶胶的组成和尺寸分布是至关重要的。硝酸铵是亚微米颗粒物的主要组成部分,特别是在高污染事件中。为了更深入的了解硝酸铵气溶胶的气粒分配问题,利用激光悬浮技术捕获、悬浮半挥发性无机物硝酸铵液滴单颗粒（2～10 μm）,控制相对湿度条件、温度条件,并采集氢-氧振动带的受激拉曼峰位信息,利用非弹性米氏散射理论计算实时液滴半径尺寸、折射率和浓度,利用稳态传质模型Maxwell公式推算出了不同湿度下的蒸汽压。实验数据计算出的硝酸铵的饱和蒸汽压值的数量级与文献报道一致。当RH分别恒定在80%, 73%, 68%, 57.3%, 55.4%, 44.8%时,饱和蒸汽压值为(1.67±0.24)×10-3, (1.82±0.19)×10-3, (2.91±0.13)×10-3, (3.5±0.28)×10-3, (4.59±0.22)×10-3和(6.64±0.3)×10-3 Pa,显然,随着相对湿度的降低,饱和蒸汽压值增大,即湿度降低促进硝酸铵的挥发。此外,还推算了不同湿度下硝酸铵气溶胶液滴的挥发通量,挥发通量值在(4.01±0.79)×10-7～(3.32±0.77)×10-8 mol·(s·m2)-1之间。这对更好的了解气溶胶在挥发过程中的微观过程有重要意义。     

绿松石的激光拉曼光谱研究

对湖北、安徽地区绿松石进行了激光拉曼光谱测试分析。结果表明,绿松石中H₂O,OH-及PO3-₄的基团振动是导致其激光拉曼光谱形成的主要原因。3 510～3 440 cm-1的谱峰是由ν(OH)伸缩振动所致,其中ν(OH)振动导致的强拉曼特征谱峰在3 470 cm-1附近,ν(H₂O)伸缩振动致拉曼谱峰位于3 290～3 070 cm-1附近的较为宽缓的弱谱峰处;由ν₃(PO₄)伸缩振动致强拉曼特征谱峰在1 200～1 030 cm-1之间,其中ν₃(PO₄)振动导致的强拉曼特征谱峰在1 039 cm-1附近,ν₄(PO₄)弯曲振动位于650～540 cm-1范围,ν₂(PO₄)的弯曲振动谱峰位于500～410 cm-1处;不同产地、不同结晶类型的绿松石表现出的拉曼谱峰特征基本一致。     

FT-IR光谱结合曲线拟合与2D-IR光谱鉴别松茸

运用傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared,FT-IR)光谱结合二阶导数红外(Second-order Derivative Infrared,SD-IR)光谱、曲线拟合及二维相关红外(Two-Dimensional Correlation Infrared,2D-IR)光谱来区分松茸和姬松茸。结果显示:松茸和姬松茸的FT-IR光谱的总体特征基本相同;松茸与姬松茸SD-IR光谱在1650～750cm-1范围内吸收峰强度、位置、形状出现差异;曲线拟合结果显示松茸和姬松茸在1186～1000cm-1范围内子峰面积比例不同;2D-IR光谱在1666～1388cm-1和1120～918cm-1范围松茸和姬松茸的自动峰的数目和强度都有差别。实验结果表明,FTIR光谱结合2D-IR光谱、曲线拟合和SD-IR光谱能简单、快速、无损的区分松茸和姬松茸。     

脉冲软X光辐射三种材料的喷射冲量实验研究

在强光一号脉冲加速器上进行了国内首次的实验室软X光辐射三种材料的喷射冲量研究。结果表明，在能量为(0.2～0.33)keV、平均脉宽为39ns左右的X光辐射下，对灰漆、白漆和硬铝，在能注量分别为(92～152)J/cm2、(115～136)J/cm2和(163～192)J/cm2时，它们的冲量耦合系数分别为(0.61～0.80)Pa·s/(J·cm-2)、(0.58～0.97)Pa·s/(J·cm-2)和(0.61～0.84)Pa·s/(J·cm-2)。     

磁几何阻挫材料天然绿盐铜矿的中红外和拉曼光谱分析

在室温情况下,利用FTIR光谱仪测得了天然磁几何阻挫材料绿盐铜矿(Atacamite,β-Cu2 (OH)3Cl)的中红外光谱4 000～400 cm-1,同时还通过激光显微拉曼光谱仪获得了它的拉曼光谱4 000～95 cm-1.结合它的晶体结构参数,确认了官能团区4 000～2 500～1 000 cm-1和指纹区1...     

利用真空紫外脉冲场电离-光电子方法研究三氯乙烯阳离子振动光谱

在 76 4 0 0～ 796 5 0cm-1的能量范围内测量了三氯乙烯的真空紫外脉冲场电离 光电子 (VUV PFI PE)谱 .根据量子化学理论计算的频率以及Franck Condon因子 ,对VUV PFI PE谱的振动谱带进行了标定 ,确认了11个三氯乙烯阳离子的振动频率 ,分别为 :ν1+ =14 8cm-1,ν2 + =180cm-1,ν3 + =2 86cm-1,ν4+ =4 0 2cm-1,ν5+=4 72cm-1,ν6+ =6 6 0cm-1,ν7+ =875cm-1,ν8+ =990cm-1,ν9+ =10 38cm-1,ν10 + =12 6 7cm-1,ν11+ =14 0 8cm-1.这些测量和新近用真空紫外 红外光诱导电离确定的ν12 + =30 73cm-1一起 ,提供了三氯乙烯阳离子电子基态的所有 12个振动频率的实验值 .通过对VUV PFI PE谱 (0 ,0 )跃迁带的光谱拟合 ,确定了三氯乙烯的电离能为(76 4 4 1.7± 2 .0 )cm-1((9.4 776± 0 .0 0 0 2 )eV) .     

B和H离子顺次注入单晶Si 引起的缺陷及其热演变(英文)

室温下将130 keV,5x1014 cm-2 B离子和55 keV,1x1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT) 研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B 和H 离子顺次注入到单晶Si 可有效减少(111) 取向的H板层缺陷,并促进了(100) 取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT 观测结果显示,在顺次注入的样品中,B 离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B 离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。Abstract:Cz n-type Si (100) wafers were singly or sequentially implanted at room temperature with 130 keV B ions at a fluence of 5x1014 cm-2 and 55 keV H ions at a fluence of 1x1016 cm-2. The implantation-induced defects were investigated in detail by using cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and slow positron annihilation technique (SPAT). XTEM results clearly show that sequential implantation of B and H ions into Si could eliminate the (111) platelets and promote growth of (100) platelets during annealing. SPATmeasurements demonstrate that in B and H sequentially implanted and annealed Si, more vacancy-type defects could remain in sample region around the range of B ions. These results indicat e that the promotion effect shouldbe attributed to the role of both B and B implanted induced vacancy-type defects.