耦合双π环的自发磁化

分析和计算了耦合双π环的自由能，结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低，还证明了反向自发磁化是来自量子效应. 关键词： 耦合双π环 反向自发磁化 自由能     

高T_c超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化 ,发现与单结π环明显不同 ,当 β =2πLIc 0 趋于零时 ,环中仍有自发磁化 .详细计算表明随温度下降 ,β值增大 ,自发磁化磁矩很快上升并趋于0 2 .很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线 .     

高Tc超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLI_c/φ₀趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β值增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ₀/2.很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线. 关键词： 自发磁化 π结 自由能     

超导π环零环混合阵列的自发磁化

研究了超导π环零环的混合规则阵列，计算了阵列的自由能.结果表明，两个π环通过中间零环间接耦合使得两π环反向自发磁化能量较低.规则阵列中，相邻π环倾向于反向自发磁化.这一现象起因于超导波函数的量子相干效应. 关键词： 超导结 π环 零环 自发磁化     

环自发磁化的几个物理问题的研究

本文总结了我们对π环自发磁化的几个相关物理问题的研究结果.首先分析计算了有一个结是π结的三结π环的自发磁化,发现与单结π环明显不同,当β=2πLIc/φ0趋于零时,环中仍有自发磁化.详细计算表明随温度下降,β增大,自发磁化磁矩很快上升并趋于φ0/2,能和实验很好的符合.继而运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.并在此基础上计算了电感系数,输入脉冲电流的峰值和峰宽等因素对翻转过程的影响,获得了自发磁化电流在电触发下翻转的一般规律.最后分析和计算了耦合双π环的自由能,结果表明当两个π环自发磁化方向相反时系统的能量较低,还证明了互感为0时的反向自发磁化是来自量子效应.     

自发磁化的超导π环在电触发下的行为

运用Runge-Kutta四步积分法分析了一个双结π环电路在输入脉冲电流触发下自发磁化电流的翻转过程.发现在适当的参数条件下，输入周期性脉冲，π环环流会产生周期性翻转现象，由正到负和由负到正的翻转将产生不同的输出脉冲.以此可检验π环自发磁化电流的方向和电触发下的翻转现象. 关键词： π结 自发磁化 Runge-Kutta四步积分法     

自发磁化渗流模型的可视化演示实验

经过多年的发展,统计物理对自发磁化进行了深入研究并取得丰硕成果。但是对该理论,很多学生难以建立相应物理图像。借助自发磁化的渗流模型和Java语言,我们将自发磁化过程中铁磁物质磁性有无与系统微观形貌上所定义集团连通与否这一定量关系动态直观地展示给学生,从而达到增加感性认识,提高教学效果的目的。     

小粒子体系的自发磁化

从自旋波理论出发,通过直接求解Heisenberg模型,研究了低温下小粒子自旋体系的自发磁化规律。研究表明:极低温下自旋波被冻结;在任何温度范围内,Bloch T^3/2定律都不再严格成立。同时,本文还给出了小粒子中自旋受激反转几率随位置的分布,指出低温下不存在运动明显剧烈的表面层。 关键词：     

利用π－/π+探测对称能的高密行为

利用同位旋和动量相关的IBUU相对论强子输运模型,以¹³²Sn+¹²⁴Sn碰撞在E/A=400MeV，b=1fm时为例,研究了在3种不同的对称能作用下发射粒子谱中π－/π＋的比率随时间和横动量的演化. 计算结果表明，π－/π＋的比率与核物质对称能的硬度有一个反向变化关系. 由于π介子主要来自于核反应形成的高密区,因此π－/π＋的比率可以作为精确研究核物质对称能高密行为的一个探针. 通过与实验数据的比较，就能够得出比以往更精确的关于对称能高密行为的重要信息.     

W(110)基底上的铁纳米岛初始自发磁化态的微磁学模拟

用微磁学模拟研究W(110)基底上铁纳米岛的初始自发磁化态的磁畴结构,确定了不规则形状、椭圆形和矩形岛中不同磁畴态之间的各向异性常数的临界点,得到了纳米岛的磁化态作为各向异性常数和厚度函数的完整相图,相图中存在一较宽的过渡区,把双畴态与涡旋态和菱形态分开,过渡区两侧的边界是不确定的.计算结果表明,初始自发磁化态的磁畴结构主要由各向异性及岛的厚度决定,而且岛的边沿形状对涡旋态和菱形态的磁畴结构有重要影响.准确的铁纳米岛的各向异性常数仍有待于进一步确定. 关键词： 初始自发磁化磁畴结构 铁纳米岛 微磁学模拟 各向异性     

利用轴向磁化的永磁环制造轴向梯度磁场

首先叙述了由单个轴向磁化环所产生的磁场,并就两个永磁环所产生的纵向磁场进行了分析.对于两个沿同一方向磁化的永磁体环,沿磁环中心线将会产生一个强度较为均匀的轴向磁场.如果两者的磁化方向相反,则在两磁铁间的区域将产生一个纵向的梯度磁场,其磁场强度介于-B₀到+B₀之间.设计制造了一个高梯度的轴向磁场,其磁场梯度为47.2Tm,测量结果与计算结果非常一致.文中还讨论了产生变梯度磁场的方法.由于永磁环所产生的磁场和螺线管的磁场较为相似,磁铁外部空间将有较大的漏场,最后还讨论了屏蔽漏场的问题.     

非晶和纳米晶软磁丝状样品的环向磁化过程

采用阻抗法测定了不同磁结构的软磁丝状样品(非晶及纳米晶合金)的环向磁导率随环向磁场 强度和频率的变化. 按照Chen等的理论公式计算了样品的环向磁化曲线，结果发现，这一实 验原理公式对具有较大损耗的磁化过程并不适用. 因此，将其发展给出了更一般情况下的理 论公式. 此外，通过分析复数磁导率对环向磁场的依赖关系，确定了两类不同畴结构样品的 不同的环向矫顽力机理. 研究了交流频率对磁化过程的影响. 关键词： 非晶和纳米晶软磁丝 阻抗 环向磁化曲线     

基于时空变换恒定磁化的起始磁化曲线推算方法

起始磁化曲线作为铁磁材料磁学特性的重要表征, 研究其获取方法具有重要意义. 现有方法采用随时间变化磁场作为激励磁场, 通过改变激励磁场大小, 逐步改变试件内的磁场及磁感应强度并进行测量以得到起始磁化曲线, 效率较低, 准备繁琐. 为此, 本文从基本的磁学物理定理出发, 提出一种基于时空变换的起始磁化曲线推算方法. 该方法以细长棒状试件或环形试件作为被测试件; 采用恒定磁化在被测试件内产生空间变化磁场作为激励磁场; 通过测量试件表面的磁场值来推算试件内磁场值, 从而获取铁磁材料起始磁化曲线. 直流线圈恒定磁化环形和棒状试件仿真实验验证了该方法的理论正确性. 进一步地, 考虑实际应用限制因素的推算结果表明了该方法在实际应用中是可行的, 可为探索新的起始磁化曲线测量方法提供理论指导.     

多π关联对π发射源相干性的分析

对高能重离子碰撞中不同相于性程度π源产生的多π关联事件进行了蒙特卡罗模拟,比较了不同多重数子事件中的多π关联对π源相于性程度依赖的敏感性.对Bevalac流光室2.1A GeV Ne+Pb和1.2A GeV Ar+KCl中心碰撞产生的π源的相干性程度进行了分析,并与以往的2π干涉学的结果进行了比较.     

磁化水的磁化机理研究

研究了搅拌状态下三种磁化水的物理性质.得到水的表面张力系数、黏度和密度随磁感应强度和磁化时间均呈现多极值增减变化关系.该实验规律虽亦有多篇文献报道,但至今尚无合理解释.本文从水的分子结构和氢键的特点出发,综合应用电磁学、结构化学和热学的相关理论对水的磁化机理作了进一步研究,对磁化水表面张力系数、黏度和密度的多极值现象给出了解释.研究认为,当将水体置于200 mT以上的磁场中磁化时,电子受到磁场作用或扰动,状态发生变化,影响了电子间的相互作用,使部分氢键断裂.由于形成氢键的条件易于满足,液态水在一定温度下氢 关键词： 磁化水 磁化机理 表面张力 氢键     

磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器, 使用带斜面切口环形结构自由层, 抛弃采用厚度改变矫顽力的方式, 降低了磁性隧道结的面积电阻, 改进了垂直电流磁随机存储器. 通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口, 利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性, 结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能. 关键词： 自由层结构 磁化翻转 微磁 VMRAM     

π0介子寿命的实验研究

QCD(Quantum Chromo Dynamics)手征反常理论主导了π0介子到两个 γ 光子的衰变.基于手征反常理论和手征微扰论的修正,对π0介子寿命的理论预测精度高达1％.高精度实验测量π0介子的寿命可以严格检验低能区的QCD理论和手征微扰论.本工作重点介绍了三种测量π0介子寿命的实验方法:直接测量法、双光子反...     

计及多π关联效应的小相对动量区域2π干涉学

给出了相对论重离子碰撞中在关联nπ和非关联nπ的选取中存在多π关联效应时nπ关联函数的一般表达式.用这一表达式研究了计及多π关联效应的小相对动量区域2π干涉学,得到了从3π干涉学分析得到的π源参数与计及多π关联效应后,从2π干涉学分析得到的π源参数的解析关系,与相对论重离子中心碰撞1.?8A?GeV?Ar+?Pb的实验结果进行了对比.