真空热处理对NiCrA1Y薄膜表面高温氧化的影响

采用直流磁控溅射法在镍基高温合金DZ4上制备了NiCrA1Y薄膜,并对NiCrA1Y薄膜进行真空热处理后再进行高温氧化,以生成一层致密的Al2O3膜,研究了真空热处理对NiCrAlY薄膜表面高温氧化的影响.结果表明:经过真空热处理的NiCrA1Y薄膜,高温氧化后表面生成了单一、稳定的α-Al2O3相,Al和O的粒子数分数分别约为32％和50％;而未经过真空热处理直接氧化的NiCrA1Y薄膜表面含有θ-Al2O3和α-Al2O3两种物相,且分布不均匀.     

氧化热处理对VO2薄膜特性的影响研究

采用直流磁控溅射法,结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜,通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试,从多角度分析了氧化热处理对VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态、红外透射率相变特性的影响。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,氧化热处理有利于VO2晶粒生长并增加薄膜致密性,同时其红外透射率具有明显相变特性,相变温度为60.5 ℃,3~5 m、8~12 m波段的红外透射率对比值达到99.5%,实现了对红外波段辐射的开关功能,适合应用于红外探测器的激光防护研究,同时可为深入研究对薄膜的氧化热处理提供参考依据。     

磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜

采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。     

热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响

采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻。结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃。     

真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析

对真空电弧沉积的ＴｉＮ薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明，薄膜中Ｔｉ、Ｎ两种元素原子比接近１：１，其它杂质元素含量极少，薄膜为ＴｉＮ单相结构，（１１１）晶面择优取向；薄膜表面形貌光滑致密，颗粒含量少；薄膜厚度分布较均匀。     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.     

氧化热处理对VO2薄膜红外光学相变特性的影响

采用直流磁控溅射法在硅基底上制备VO2薄膜,并对薄膜氧化热处理。分别对热处理前后薄膜进行X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了热处理对VO2薄膜晶相成分与红外透射率相变特性的影响。实验分析表明,经热处理的VO2发生非晶态向晶态转变,单斜金红石结构VO2(011)晶体具有明显择优取向,晶粒尺寸均匀度提高,且薄膜的红外透射率具有明显相变特性,相变温度为60.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。     

热处理对TaN薄膜电性能的影响

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。     

Y1铁电薄膜材料研究进展

曾经引起铁电学界轰动的Ｙ１材料，其组成已公之于世，其结构为（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｎ－１ＢｎＯ３ｎ＋１）２－氧化铋基层状铁电材料。目前研究较多的是ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９，ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９以及它们的固溶体。文章介绍了有关Ｙ１材料的研究背景，研究现状及发展前景     

真空退火对氧化钒薄膜的相成分和电学性能的影响

利用真空退火工艺处理p-Si(100)衬底上磁控溅射制备的氧化钒多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)以及四探针测试方法,研究了退火时间对薄膜的相成分和电学性能的影响,并观察分析了氧化钒薄膜的表面形貌.研究结果表明,随着退火时间的变化,薄膜的相成分不断发生变化,钒氧比例不断升高,可以得到多种氧化钒的相.适当的真空退火处理可以改善薄膜的表面质量,并且能有效地降低氧化钒薄膜的室温电阻率达两个数量级.     

热处理对NiP/CoNiP薄膜织构和磁性能的影响

用化学镀的方法制取了NiP/CoNiP薄膜并将样品进行真空热处理。用XRD、VSM、EDS等测试手段分析了热处理影响薄膜结构和磁性能变化的原因。结果发现,热处理使薄膜的结构发生了由α-Co向β-Co的同素异构转变;经热处理后晶粒尺寸长大到30 nm左右;经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到5.57×104 A/m;经400℃热处理后矩形比达到0.28。     

Effect of sputtering power on optical properties of prepared TiO2 thin films by thermal oxidation of sputtered Ti layers

In this research, TiO₂ thin films prepared via thermal oxidation of Ti layers were deposited by RF-magnetron sputtering method at three different sputtering powers. The effects of sputtering power on structure, surface and optical properties of TiO₂ thin films grown on glass substrate were studied by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopic (AFM) and UV–visible spectrophotometer. The results reveal that, the structure of layers is changed from amorphous to crystalline at anatase phase by thermal oxidation of deposited Ti layers and rutile phase is formed when sputtering power is increased. The optical parameters: absorption coefficient, dielectric constants, extinction coefficient, refractive index, optical conductivity and dissipation factor are decreased with increase in sputtering power, but increase in optical band gap is observed. The roughness of thin films surface is affected by changes in sputtering power which is obtained by AFM images.     

基于STM32的真空玻璃传热参数测试装置的研制

真空玻璃传热参数测试装置是一种专门测量真空玻璃传热参数的仪器设备。真空玻璃传热参数表征真空玻璃隔热保温、隔音降噪、防结霜结露等特性。以国标JC/T1079-2008为依据,并根据真空玻璃传热参数测试装置的组成结构,分别对其内部模块、电路控制系统、检测系统平台进行了研究、设计及制作;对真空玻璃在恒温条件下进行多次测试并研究分析了影响真空玻璃传热参数的一系列因素,测试出相应待测真空玻璃样品的传热参数。     

热处理对红外窗口镀层金属的影响

采用直流磁控溅射法制备红外透过窗口Ge窗的镀层金属。分别讨论了热处理温度和热处理时间对Ge窗金属化体系力学特性的影响。用纳米压痕仪测试仪测试Ge窗金属化体系的显微力学特性,并用金相显微镜观测金属薄膜的表面形貌,发现退火温度对Ge窗片上的金属薄膜的力学特性有较明显影响。     

含相变及表面吸收系数随温度变化的激光热作用温度场半解析计算

本文提出一种包含相变及表面吸收系数随温度变化的激光与金属材料相互热作用的半解析计算方法,并以含固液相变但未发生传质的热传导研究为例,给出计算实例。     

CO2激光热处理光热转换层的应用分析

介绍了CO_2激光热处理光热转换层技术,分析了磷化法和喷涂法工艺生成的光热转换层在激光热处理中的特点。针对磷化法光热转换层的热稳定性差、温度升高吸收率下降、磷酸盐溶液的污染等缺陷,探讨了喷涂法光热转换层作为激光热处理预处理层的应用,可显著地提高激光热处理的效率。     

Thin oxide films of silicon by high pressure oxidation

High pressure oxidation of silicon was performed at an oxidation temperature range of 650 to 800°C for thin oxide films with about 300 å thickness. The index of refraction was dependent on an oxidation temperature but independent of the oxidation pressure as 1.475 at 750°C. The dielectric breakdown strength of the oxide film was measured by the voltage ramping,method. The fixed oxide charge about 1.0 × 10¹¹ cm^?2 was also measured from the high frequency C-V measurement. The pulse scanning C-V measurement technique was used to measure the minority carrier generation rate in the depleted surface. The surface generation velocity was slightly dependent on the oxidation temperature and indicated that the fast surface states increased with decreasing oxidation temperature.     

星载光控高温超导衰减器及其光热效应影响时长

提出了一种针对星载高温超导系统使用的新型光控高温超导微波可变衰减器。该衰减器的实质是利用高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性，实现优良的衰减性能。主要结论包括：高温超导衰减器的插入损耗小于0．2dB，比常规衰减器低1个数量级；当激光波长为0．681μm时，高温超导衰减器的可变衰减精度小于0．01dB，比常规衰减器至少低1～2个数量级；研究了激光热效应的影响时长，当激光功率为45mW时，高温超导微带线的激光响应幅度约0．09dB，空间热效应影响持续时长约3．5s。