直流磁控溅射磁性γ′-Fe4N膜生长机理研究

采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制,并归属了其生长普适类型.结果表明,磁控溅射法生长的薄膜表面具有自仿射分形特性,而且表面存在一定数量的空位或孔洞,粒子呈现悬臂沉积生长现象.γ′-Fe4N单相薄膜的生长指数β≈0.61±0.02,静态标度指数α≈0.57±0.20,各指数之间的关系为α+α/β≈2,薄膜生长属于KPZ普适类型.