铁电晶体(K0.20Na0.20Sr0.60Ba0.20)Nb2O6全部电弹常数的测定

本文讨论了由作者首次人工合成的新的钨青铜结构铁电单晶(K_0.20Na_0.20Sr_0.60Ba_0.20)Nb₂O₆全部电弹常数的测量方法和测量程序。第一次发表了该晶体的全部电弹常数及电-机耦合系数等共53个数据。绝大多数的数据是按IRE标准进行测量的。采用了(zxl)45°切片的厚度切变振动模式和(xzt)45°棒的长度扩张模式来测定弹性系数s₆₆^D和s₁₃^D。对实验过程引起的测量误差进行了讨论。 关键词：     

利用超声脉冲回波重合法测定铌酸锂单晶弹性常数C_(ij)~E和C_(ij)~D

本文从基本的压电Christoffel方程出发导出三角晶系3m点群压电晶体弹性常数的表示式。并采用10MHz射频超声脉冲回波重合法测量了沿LiNbO_3不同对称方向传播的声速,结合e_(ij)和ε_(ij)~5给出了LiNbO_3全部弹性常数C_(ij)~E和C_(ij)~D。它们是 C_(11)~E=19.89,C_(12)~E=5.25,C_(13)~E=7.81,C_(14)~E=0.96, C_(33)~E=25.44,C_(44)~E=6.10,C_(66)~E=7.32×10~(10)N/m~2, C_(11)~D=21.51,C_(12)~D=3.65,C_(13)~D=7.91,C_(14)~D=-1.41, C_(33)~D=26.10,C_(44)~D=9.62,C_(66)~D=8.93×10~(10)N/m~2。     

D_3(32)点群压电晶体全部电弹常数的测定

本文依据压电板振动理论,提出D_3(32)点群压电晶体全部电弹常数测量新方案,以国产α-石英晶体为例,给出其全部电弹常数及部分机电耦合系数。     

碘酸锂晶体全部电弹常数的测量

本文探讨了碘酸锂晶体(α-LiIO₃,简称LI)全部电弹常数的测试方法。以压电板厚度振动模理论,推导出LI晶体独立电弹常数计算公式。对无压电耦合的弹性常数C₁₁^E和C₆₆^E,采用了声光同步测速法进行测量。最后,测量给出了LI晶体全部电弹常数和一些机电耦合系数共52个数据。     

四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体全部电弹常数的测定

本文提出了测量4mm点群压电晶体全部电弹常数的新方案,并以此方案具体测定了四硼酸锂(Li_2B_4O_7)压电晶体的所有电弹常数。该方案的突出特点是,被测样品仅用三种切型的晶片。     

D3(32)点群压电晶体全部电弹常数的测定

本文依据压电板振动理论,提出D₃(32)点群压电晶体全部电弹常数测量新方案,以国产α-石英晶体为例,给出其全部电弹常数及部分机电耦合系数。 关键词：     

铌酸锂压电晶体全部电弹常数的测定

本工作探讨了铌酸锂压电晶体(LiNbO_3,简称为LN)全部电弹常数的测量方法。给出了国产LN全部电弹常数及一些机电耦合系数共56个数据。确定了机电耦合系数k_(31)的数值为0.038,并推荐用+35°y旋转片来测定弹性常数c_(14)~E,其数值为0.088×10~(11)N/m~2。这两个数据将影响LN全部电弹常数的最后确定。     

56MeV—70MeV~(12)C+~(28)Si弹性散射研究

用大面积位置灵敏电离室测量了69.5MeV,66MeV,59MeV和56MeV轰击能量下~(12)C+~(28)Si弹性散射角分布。用光学模型对实验数据进行了拟合,并讨论了弹散角分布振荡及增强的可能原因。     

Stark效应诱导的类氢离子2s_(1/2)-1s_(1/2)跃迁几率的理论研究

基于微扰理论研究了静电场Stark效应诱导的类氢离子2s_(1/2)-1s_(1/2)跃迁,给出了Z=1—92类氢离子的Stark混合系数和2s_(1/2)-1s_(1/2)跃迁几率,讨论了Stark效应诱导的类氢离子2s_(1/2)-1s_(1/2)跃迁几率随原子序数的变化规律以及相对论效应对Stark混合系数和诱导跃迁几率的影响.结果表明,给定电场强度时,类氢离子的Stark诱导跃迁几率随着原子序数Z的增大单调减小.另外,相对论效应使得类氢离子的Stark诱导跃迁几率减小,甚至在Z=92时会减小到非相对论近似的55%.     

80.6MeV~(16)O轰击~(27)Al出射类弹碎片的测量

用大面积位置灵敏电离室测量了80.6MeV~(16)O轰击~(27)Al时产生的出射类弹碎片,得到了从Li到Na的能谱、角分布、E-θ平面上的d~2σ/dQ dE等高线图及Z分布;导出了准弹和深部非弹的截面;并对实验结果进行了讨论.     

7—5MeV/A的~(14)N在~(59)Co和~(51)V靶上的弹性散射的研究

用半导体探测器测量了7—5MeV/A的~(14)N在~(59)Co和~(51)V靶上的弹性散射能谱和角分布。定出了靶中重元素沾污的种类和绝对量。用广义菲涅耳模型拟合了弹散角分布,讨论了从拟合弹散角分布提取准弹截面的可能性。     

Ca_3NbGa_3Si_2O_(14)晶体的介电和压电特性

利用Y切和 (yxl) 30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体的介电、压电和部分弹性参数 .计算了 (yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化 .与La3Ga5SiO1 4晶体相比 ,Ca3NbGa3Si2 O1 4晶体具有更优良的压电性能 ,其压电常数d1 1=7 93× 10 - 1 2 C N ,d1 4=- 5 88× 10 - 1 2 C N .     

关于利用库仑光生测量新粒子X(2800)衰变到2γ的宽度Γ_(χ→2γ)的建议

对于从J(3095)辐射衰变得出的新粒子X(2800),可以从高能γ光子在核子(原子核)上光生微分截面中紧靠0°的实验数据准确定出X→2γ的宽度。讨论了此过程有关的费曼图,分析和估计了其中的耦合常数,计算了能量为50GeV和100GeV的γ光子在质子上(和100GeV的γ光子在铅核上)从0°—3°的微分截面。结果表明,只要Γ_(X→2γ)不是远小于1keV,就可以利用这种库仑光生准确定出它的衰变宽度。     

~(56)Fe(n,p)~(56)Mn反应截面测量

在E_n=12—18MeV,用活化法测量了~(56)Fe(n,p)~(56)Mn反应截面,在E_n=14.61±0.20MeV处做了绝对测量,结果为108.0±2.7毫巴.中子通量用伴随粒子法测定,并与反冲质子望远镜相比较,两种方法在1—2%的误差范围内一致.~(56)Mn的γ放射性用φ10×7.6厘米的NaI(Tl)闪烁谱仪测量,谱仪探测效率用4πβ-γ符合法标定的~(56)Mn标准源刻度.测量结果与现有数据进行了比较.     

法拉第效应实验中不同光强点对磁光调制器灵敏度的影响

通过实验验证马吕斯定律,并分别在消光位置与检偏器和起偏器偏振化方向夹角为45°的位置为检测点测量费尔德常数。通过分析实验数据及理论推导得出在检偏器和起偏器偏振化方向夹角为45°的位置时仪器的灵敏度最好。     

80.6MeV ~(16)O轰击~(27)Al反应的弛豫过程的研究

从80.6MeV~(16)O ~(274)Al出射类弹碎片的测量实验结果导出了角分布衰减系数、电荷分布及电荷分布的一次矩和二次矩随TKEL的变化,对该反应中的弛豫过程进行了分析。并讨论了势能面对电荷分布的一次矩和二次矩的影响。     

α-AlPO_4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO_4晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_(ij)和s_(ij)(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T_0=25℃时的一级、二级和三级温度系数。     

范德瓦耳斯分子K~(39)Xe~(129)中的自旋-转动对自旋交换耦合常数之比的确定

光泵的方法被用来确定K~(39)Xe~(129)范德瓦耳斯分子中的自旋-转动耦合常数对自旋交换耦合常数的比值X。详细地讨论了这些测量理论。 得到比值X=γN/α=4.8(1)。     

Ca掺杂对Y_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.05≤x≤0.20)薄膜超导电性的影响

本文利用脉冲激光沉积法在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)的(001)面上外延生长了系列Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ(0.05≤x≤0.20)超导薄膜.充分退火后的样品均为富氧材料,其X射线衍射(XRD)数据显示样品具有良好(001)取向,随着掺杂量x的增大,样品有由正交相变为四方相的趋势.低场下M～T测量数据显示超导态时样品具有抗磁性,随着Ca含量的增加超导转变温度(Tc)降低,当x=0.2时,仅有46K.当外加磁场达到10kOe时,磁化发生反转出现正值,表现为顺磁迈斯纳效应.     

测量压电陶瓷复电弹常数的一种方法

本文提出了通过测量压电陶瓷常用振动模基频附近的等效电路及其低频导纳(或阻抗)以获得压电陶瓷复数电弹常数的新的简便方法,此种方法比前人提出的方法简单且它的物理意义更加明确。