首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段. 关键词: X射线 剂量增强因子 总剂量效应 剂量率效应  相似文献   

2.
X射线剂量增强效应   总被引:3,自引:0,他引:3  
陈盘训  周开明 《物理》1997,26(12):725-728
简述了X射线辐射对材料产生剂量增强效应的物理过程,着重介绍了X射线剂量增强对电子器件的影响。这种剂量增强使X射线辐射引起的损伤比能量较高的γ射线要严重得多。  相似文献   

3.
浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词: EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射  相似文献   

4.
给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co60γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.  相似文献   

5.
当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时,界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。  相似文献   

6.
X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
 当X射线射入不同材料组成的界面时, 在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理, 并用MCNP蒙特-卡洛程序计算了钨-二氧化硅、钽-二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在X射线能量为100~150keV时,界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。  相似文献   

7.
牟维兵  陈盘训 《物理学报》2001,50(2):189-192
当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强.介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特-卡洛程序计算了钨-硅、钽-硅、钨-二氧化硅和钽-二氧化硅界面的剂量增强系数. 关键词: X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数  相似文献   

8.
清华汤姆逊散射X射线源初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
汤姆逊散射X射线源利用高亮度的相对论电子束与超短TW级激光相互作用,能产生能量可调、脉冲长度短(~100飞秒量级)的准单色高能X射线,在超快物理过程研究和医学领域具有广泛的应用前景。清华大学工程物理系加速器实验室正在积极筹建基于光阴极微波电子枪和飞秒强激光的汤姆逊散射实验平台,并利用实验室现有的16MeV返波行波加速器和Nd:YAG纳秒调Q激光系统进行了初步实验研究。在解决实验中出现的电磁干扰和韧致辐射X射线本底干扰等问题后,在实验中测量到了脉宽为6纳秒、脉冲光子产额为1.7x 10^4 的散射光子信号。在本文中将对实验装置和结果进行详细介绍。  相似文献   

9.
研究设计了多层平板铝电离室.用该电离室测量了30—100keV宽谱同步辐射X射线在Kovar/Au/Al,Pb/Al,Ta/Al界面附近的辐射剂量梯度分布,给出了不同材料界面剂量增强因子(dose enhancement fctor)(DEF).理论上用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算了实测模型下的不同材料的界面剂量增强因子,实验结果与理论模拟符合很好.为研究不同材料的剂量增强提供了理论和实验手段 关键词: 多层平板电离室 剂量增强 蒙特卡-洛模拟  相似文献   

10.
在同步辐射X射线成像中,时常会出现对比度不高或对比度不均匀的问题,这将导致图像中样品的一些细节信息难以被观察和分析。针对这一问题,提出一种X射线图像对比度增强的算法。该算法以同态滤波为核心,结合图像降噪预处理及灰度调整,以现图像的对比度增强,并提高图像质量。编写程序实现该算法,并通过对分辨率靶图像和海洋鱼类样品的X射线图像进行测试。结果表明,该算法可以很好地增强灰度分布不均匀的低对比度X射线图像,使样品信息显示更清晰,灰度分布更均匀。同时,对X射线图像的降噪效果明显。  相似文献   

11.
This paper describes the radiation source and its characteristics of the Synchrotron Radiation Experimental Hall of BEPC,the radiation measuring method and measured results.It has been found that the radiation dose level of the Synchrotron Radiation Experimental Halls is closely correlative with the relative location of the Experimental Halls to the injection points of the electron and positron beams,the thicknesses of the shielding walls,the times and efficiencies of the beam injections.  相似文献   

12.
介绍在北京同步辐射装置上进行的国内首次LLL型X射线干涉实验研究,在X光底片上观察到了Moire干涉条纹,为进一步利用X射线干涉技术实现纳米测量打下了初步基础.  相似文献   

13.
利用真空紫外同步辐射和反射式飞行时间质谱仪对氯苯进行了光电离研究,通过测量各离子的光电离效率(PIE)曲线,得到了氯苯的电离势为(9.11±0.05)eV及两种主要碎片离子C6H+5和C4H+3的出现势分别为(12.96±0.05)和(16.27±0.05)eV.结合有关文献的热力学数据,推导出C6H5Cl+、C6H+5及C4H+3的离子生成焓及一些键的解离能.实验获得了118.0nm同步辐射光电离下氯苯的质谱图.  相似文献   

14.
偶氮苯的同步辐射光电离研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
盛六四  武国华 《光学学报》1998,18(6):28-831
用同步辐射光电离质谱与符合技术的相结合测定了偶氮苯光电离效率谱,获得了该分子的电离势,导出了分子和分子离子中某些键的解离能以自由基C6H5N2的电离势。测得了不同光子能量激发下的质谱图,并对不同能量时偶氮苯的解离电离方式进行了分析。  相似文献   

15.
二茂铁的同步辐射光电离   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
利用同步辐射和飞行时间质谱 ,研究了二茂铁的真空紫外光电离 ,得到了该分子的电离势为 (6 .78± 0 .0 5 )eV ,碎片离子FeC5H5+ 的出现势为 (13.4 0± 0 .10 )eV .根据实验结果 ,分析了二茂铁的主要光电离解离通道 ,估算了分子及离子的键解离能 .用密度泛涵的方法对该分子离子及一些主要的碎片离子进行了初步的量化计算 ,得到了二茂铁的电离势和一些碎片的出现势 .利用量化计算的数据还估算了分子及离子的键解离能 ,并与文献值进行了比较  相似文献   

16.
同步辐射软X射线接触显微成像   总被引:3,自引:0,他引:3  
谢行恕  贾成芝 《光学学报》1995,15(11):568-1571
软X射线显微术适合于自然状态下生物样品的高分辨率显微成像。软X射线接触显微术是X射线显微成像方法中最简单也是迄今唯一到接近理论分辨的方法。本文阐述软X射线接触显微成像的原理和方法,并报告用合理肥步辐射光源进行软X射线接触显微成像的一些实验结果。  相似文献   

17.
To obtain the best possible performance from engineering materials, it is necessary to optimize their intrinsic properties, the processing involved in their production, and their performance in actual applications. To this end, the concept of the “materials science tetrahedron” was proposed [1 Committee on the Survey of Materials Science and Engineering (COSMAT) report (1974). [Google Scholar]]. Subsequently, an important environmental aspect, proposed by Doyama (1988), was added to the concept, giving a “materials science octahedron,” which has since been a guideline for R&;D in the field of engineering materials (Figure 1). The structure of engineering materials governs the properties, process, and performance of these materials. Synchrotron radiation has been widely used to successfully reveal structural information and its relationship to properties, performance, processing, and environment.  相似文献   

18.
Coherent synchrotron radiation (CSR) is now an established source of radiation in the terahertz region, with flux capabilities many orders of magnitude higher than conventional SR sources. Accordingly, CSR is playing an ever-increasing role in the field of Far-IR spectroscopy at synchrotron facilities around the world. However, with the improvement in spectroscopic resolution, the incident CSR spectra from several facilities are displaying intensity profiles that appear to be modulated by periodic peaks or deep indentations, while theory predicts a featureless distribution. After eliminating the usual suspects, like multiple reflections from windows, etc., one looks for a deeper explanation, such as the role played by the radiation impedance. This impedance is largely defined by the vacuum chamber in the region of the bend magnets, but probably with some effects from the straight sections as well.  相似文献   

19.
合肥同步辐射软X射线显微术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
谢行恕  徐向东 《物理》1996,25(2):104-111
合肥国家同步辐射实验室首期建设的光束线之一用于软X射线显微成像研究。实验站现已装置初型的扫描透射X射线显微镜,并正在进行亲一代的扫描显微建设,同时还使同步辐射光进行接触软X射线呈微成像研究,并对选取的一些生物样品进行了成像试验。本文介绍了合肥同步辐射光源上软X射线显微术实验线站的建设及完成的一些实验结果。  相似文献   

20.
深度同步辐射光刻初探   总被引:1,自引:0,他引:1  
田扬超  傅绍军 《光学学报》1994,14(4):47-448
LIGA技术被认为是制作微机械最有前途的方法,而LIGA技术较为关键的一步是深度同步辐射光刻。报道了深度同步辐射光刻的进展,刻蚀出了外圆直径为38μm~39μm,叶长约8μm,高约25μm的扇叶状微结构元件。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号