共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释。文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移的影响。对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变。 相似文献
5.
在室温下系统地观测了多孔硅样品的光致发光谱随激发光波长的变化.在激发波长为260—320nm范围内,光致发光谱出现明显的双峰结构,两峰峰位分别位于610nm和700nm波长附近.当激发波长由260nm开始逐渐增加时,短波峰与长波峰强度之比先增加,随后达极大值,它略大于1,以后,此比值急剧减小,逐渐趋于零,即只存在单一长波峰.以上现象难于用量子限制模型解释.假设在包围纳米硅粒的二氧化硅层中存在两种发光中心,可以用量子限制/发光中心模型来解释上述实验现象. 相似文献
6.
7.
8.
9.
10.
对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量,并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察,研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。 相似文献
11.
剖析了多孔硅光致发光与温度有关的实验现象,提出了一个既通过局域在量子线上激子态复合同时又通过一热释过程后经表面态复合的并在不同温度范围起作用的综合发光机理,定性地解释了多孔硅发光的温度特性及其它实验结果。 相似文献
12.
13.
介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺,并分析了它的微结构,实验测定了多孔硅光致发光谱(PL),由PL谱的峰值位于可见光区,不同于Si的带隙能量;用纳米量子限制效应(Q-CE),解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔEc和ΔEv,于是多了孔硅有效带宽成为E=E。+ΔE。而E。是Si的带宽为l.08eV,ΔEc和上ΔEv分别为h2/4meq2和h2/4mhq2,由此计算与实验结果一致。 相似文献
14.
15.
多孔硅光致发光谱的多峰结构 总被引:2,自引:0,他引:2
基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的. 相似文献
16.
多孔硅的氢化、氧化与光致发光 总被引:1,自引:1,他引:1
对于刚阳极氧化完的,阳极氧化后紧接着在H2O2中光照处理的及长期存放(10个月)的三种多孔硅样品进行了持续激光照射,不断监视它们的光致发光(PL)与富利埃变换红外(FTIR)吸收光谱,并在最后对它们作了X射线光电子能谱(XPS)测量,以确定它们所含氧化硅的情况.得出如下几条结论:(1)氢对多孔硅表面的钝化是不稳定的.(2)Si—H键不是发光所必须的.(3)氧对多孔硅表面的钝化是稳定的,纳米硅周围氧化层的存在及其特性对于稳定的多孔硅可见光发射是至关重要的.对激光照射下多孔硅发光的退化提出了新的解释. 相似文献
17.
18.
本文介绍了采用阳极氧化腐蚀工艺在单晶硅上制作多孔硅(PS)薄层,对PS薄层进行了微结构的分析为毫微结构量子线组成的复杂网络,其截面尺寸为纳米范围而纵向尺寸在微米量级。对PS样品光致发光谱的测定发现随阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加谱峰发生“兰移”并用PS的量子限制效应解释了上述实验现象。 相似文献
19.
嵌入聚合物聚苯胺的多孔硅光致发光的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
分别通过溶液法和阳极电化学腐蚀法制得聚苯胺(PANI)和多孔硅,并用匀胶机涂布法把聚苯胺嵌入到多孔硅中,观察了嵌入前后的样品的光致发光谱.实验结果表明,聚苯胺的嵌入增强了多孔硅的光致发光强度,却不改变其峰位及峰宽,这与现有文献报道的结果有所不同,并对此进行了分析.认为聚苯胺掺入多孔硅中之后,与硅形成了新的键,从而使多孔硅的光致发光得到增强. 相似文献
20.